Sebastian Gutsch

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	2078	848
h-index	28	16
i10-index	51	31

240

120

180

2012201320142015201620172018201920202021202220232024202515 53 121 204 169 226 212 221 151 171 154 165 176 31

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

46 مقالة

10 مقالات

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Margit ZachariasProfessor of Nanotechnology, Albert Ludwigs University Freiburgبريد إلكتروني تم التحقق منه على imtek.de
Daniel HillerTU Bergakademie Freibergبريد إلكتروني تم التحقق منه على physik.tu-freiberg.de
Julian López-VidrierDoctor in Physics - Group of Optoelectronics and Photonics, Universitat de Barclonaبريد إلكتروني تم التحقق منه على el.ub.edu
Andreas HartelIMTEK - Albert Ludwigs Universität Freiburgبريد إلكتروني تم التحقق منه على imtek.uni-freiburg.de
Jan LaubeIMTEK/Nanotechnologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على imtek.de
Philipp Löper- pvlab.epfl.ch - École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) - Photovoltaics and Thin Filmبريد إلكتروني تم التحقق منه على epfl.ch
Lluís López ConesaUniversity of Barcelona - Scientific and Technological Centers (CCiTUB)بريد إلكتروني تم التحقق منه على ub.edu
Christian KübelKarlsruhe Institute of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على kit.edu
Manuel SchnabelLawrence Berkeley National Laboratoryبريد إلكتروني تم التحقق منه على lbl.gov
Sergey A. DyakovSkolkovo Institute of Science and Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على tcd.ie
Michael Greben, Ph.D.Charles University, Faculty of Mathematics & Physics Department of Chemical Physics & Opticsبريد إلكتروني تم التحقق منه على matfyz.cuni.cz
Jan ValentaCharles Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على mff.cuni.cz
Oriol BlázquezCatalonia Institute for Energy Research (IREC)بريد إلكتروني تم التحقق منه على el.ub.edu
Ivan Perez WurflUniversity of New South Wales, SPREEبريد إلكتروني تم التحقق منه على unsw.edu.au
Yonder BerencénHelmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR), Germanyبريد إلكتروني تم التحقق منه على hzdr.de
Binesh Puthen-VeettilMacquarie Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على mq.edu.au
Markus JakobIMTEK/Nanotechnologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على imtek.de
Petr KuzelInstitute of Physics, Czech Academy of Sciencesبريد إلكتروني تم التحقق منه على fzu.cz
Andrew John BreenThe University of NSWبريد إلكتروني تم التحقق منه على unsw.edu.au
Sean Smith, FRACI, Fellow AAASProfessor and Director, National Computational Infrastructure, Australian National Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على anu.edu.au

متابعة

Sebastian Gutsch

Hahn-Schickard, Freiburg

بريد إلكتروني تم التحقق منه على hahn-schickard.de - الصفحة الرئيسية

nanotechnology quantum theory transport material characterization


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Formation of size-controlled silicon nanocrystals in plasma enhanced chemical vapor deposition grown SiOxNy/SiO2 superlattices‏ AM Hartel, D Hiller, S Gutsch, P Löper, S Estradé, F Peiró, B Garrido, ...‏ Thin Solid Films 520 (1), 121-125, 2011‏	146	2011
Sphericity and roundness computation for particles using the extreme vertices model‏ I Cruz-Matías, D Ayala, D Hiller, S Gutsch, M Zacharias, S Estradé, F Peiró‏ Journal of computational science 30, 28-40, 2019‏	144	2019
Fundamental temperature-dependent properties of the Si nanocrystal band gap‏ AM Hartel, S Gutsch, D Hiller, M Zacharias‏ Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 85 (16), 165306, 2012‏	98	2012
Phosphorus doping of Si nanocrystals embedded in silicon oxynitride determined by atom probe tomography‏ H Gnaser, S Gutsch, M Wahl, R Schiller, M Kopnarski, D Hiller, ...‏ Journal of Applied Physics 115 (3), 2014‏	80	2014
Charge transport in Si nanocrystal/SiO2 superlattices‏ S Gutsch, J Laube, AM Hartel, D Hiller, N Zakharov, P Werner, ...‏ Journal of Applied Physics 113 (13), 2013‏	80	2013
Location and Electronic Nature of Phosphorus in the Si Nanocrystal − SiO₂ System‏ D König, S Gutsch, H Gnaser, M Wahl, M Kopnarski, J Göttlicher, ...‏ Scientific reports 5 (1), 9702, 2015‏	77	2015
Absence of quantum confinement effects in the photoluminescence of Si3N4–embedded Si nanocrystals‏ D Hiller, A Zelenina, S Gutsch, SA Dyakov, L López-Conesa, ...‏ Journal of Applied Physics 115 (20), 2014‏	61	2014
Intrinsic nonradiative recombination in ensembles of silicon nanocrystals‏ AM Hartel, S Gutsch, D Hiller, M Zacharias‏ Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 87 (3), 035428, 2013‏	56	2013
Modulation doping of silicon using aluminium-induced acceptor states in silicon dioxide‏ D König, D Hiller, S Gutsch, M Zacharias, S Smith‏ Scientific reports 7 (1), 46703, 2017‏	53	2017
Defect-induced luminescence quenching vs. charge carrier generation of phosphorus incorporated in silicon nanocrystals as function of size‏ D Hiller, J López-Vidrier, S Gutsch, M Zacharias, K Nomoto, D König‏ Scientific Reports 7 (1), 863, 2017‏	50	2017
Resistivity of atomic layer deposition grown ZnO: The influence of deposition temperature and post-annealing‏ J Laube, D Nübling, H Beh, S Gutsch, D Hiller, M Zacharias‏ Thin Solid Films 603, 377-381, 2016‏	50	2016
Determining the crystalline degree of silicon nanoclusters/SiO2 multilayers by Raman scattering‏ S Hernández, J López-Vidrier, L López-Conesa, D Hiller, S Gutsch, ...‏ Journal of Applied Physics 115 (20), 2014‏	50	2014
Doping efficiency of phosphorus doped silicon nanocrystals embedded in a SiO2 matrix‏ S Gutsch, AM Hartel, D Hiller, N Zakharov, P Werner, M Zacharias‏ Applied Physics Letters 100 (23), 2012‏	49	2012
Structural and optical properties of size controlled Si nanocrystals in Si3N4 matrix: The nature of photoluminescence peak shift‏ A Zelenina, SA Dyakov, D Hiller, S Gutsch, V Trouillet, M Bruns, ...‏ Journal of Applied Physics 114 (18), 2013‏	48	2013
Effects of inter-nanocrystal distance on luminescence quantum yield in ensembles of Si nanocrystals‏ J Valenta, M Greben, S Gutsch, D Hiller, M Zacharias‏ Applied Physics Letters 105 (24), 2014‏	46	2014
Energy offset between silicon quantum structures: interface impact of embedding dielectrics as doping alternative‏ D König, D Hiller, S Gutsch, M Zacharias‏ Advanced Materials Interfaces 1 (9), 1400359, 2014‏	43	2014
Electronic properties of phosphorus doped silicon nanocrystals embedded in SiO2‏ S Gutsch, J Laube, D Hiller, W Bock, M Wahl, M Kopnarski, H Gnaser, ...‏ Applied Physics Letters 106 (11), 2015‏	42	2015
Charge transport and electroluminescence of silicon nanocrystals/SiO2 superlattices‏ J López-Vidrier, Y Berencén, S Hernández, O Blázquez, S Gutsch, ...‏ Journal of Applied Physics 114 (16), 2013‏	41	2013
Boron-Incorporating Silicon Nanocrystals Embedded in SiO₂: Absence of Free Carriers vs. B-Induced Defects‏ D Hiller, J López-Vidrier, S Gutsch, M Zacharias, M Wahl, W Bock, ...‏ Scientific Reports 7 (1), 8337, 2017‏	39	2017
Two-dimensional percolation threshold in confined Si nanoparticle networks‏ J Laube, S Gutsch, D Wang, C Kübel, M Zacharias, D Hiller‏ Applied Physics Letters 108 (4), 2016‏	39	2016

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون