Arnab Bhattacharya

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	3646	1378
h-index	30	18
i10-index	77	32

300

150

225

199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202512 39 67 72 74 76 36 55 61 55 53 32 44 66 67 61 84 81 116 125 131 154 212 218 246 267 299 283 263 219 46

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

18 مقالة

0 مقالة

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

A Azizur RahmanScientific Officer, Tata Institute of Fundamental Researchبريد إلكتروني تم التحقق منه على tifr.res.in
LUKE MAWSTUniversity of Wisconsinبريد إلكتروني تم التحقق منه على wisc.edu
D. BotezPhilip Dunham Reed Professor, University of Wisconsin-Madisonبريد إلكتروني تم التحقق منه على engr.wisc.edu
Brij Mohan AroraVisiting Professor , Indian Institute of Technology Bombayبريد إلكتروني تم التحقق منه على ee.iitb.ac.in
Kadir AbdulSingapore-MIT Alliance for Research and Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على smart.mit.edu
Nirupam HatuiUC Santa Barbaraبريد إلكتروني تم التحقق منه على ucsb.edu
Mandar M. DeshmukhCondensed Matter Physics and Materials Science, TIFR, Mumbai 400005 Indiaبريد إلكتروني تم التحقق منه على tifr.res.in
Amit P ShahDCMP & MS, Tata Institute of Fundamental Researchبريد إلكتروني تم التحقق منه على tifr.res.in
Arumugam ThamizhavelProfessor, Tata Institute of Fundamental Research, Colaba, Mumbai, Indiaبريد إلكتروني تم التحقق منه على tifr.res.in
Mahesh GokhaleDCMP & MS Tata Institute of Fundamental Researchبريد إلكتروني تم التحقق منه على tifr.res.in
Masihhur LaskarUniversity of Wisconsin-Madisonبريد إلكتروني تم التحقق منه على wisc.edu
Priti GuptaCrayoNano ASبريد إلكتروني تم التحقق منه على crayonano.com
Markus WeyersDept. Head Materials Technology, Ferdinand-Braun-Institutبريد إلكتروني تم التحقق منه على fbh-berlin.de
Sajal DharaAssistant Professorبريد إلكتروني تم التحقق منه على phy.iitkgp.ernet.in
Emroj HossainVisicon Power Electronicsبريد إلكتروني تم التحقق منه على visiconpower.com
Bhakti JariwalaPostdoc Fellowبريد إلكتروني تم التحقق منه على psu.edu
Carina B MaliakkalKarlsruhe Institute of Technologyبريد إلكتروني تم التحقق منه على kit.edu
Sandip GhoshTata Institute of Fundamental Researchبريد إلكتروني تم التحقق منه على tifr.res.in
Vibhor SinghIndian Institute of Science, Bangaloreبريد إلكتروني تم التحقق منه على iisc.ac.in
Ashish AroraAssistant Professor, IISER Pune (ResID AAN-2736-2020)بريد إلكتروني تم التحقق منه على iiserpune.ac.in

متابعة

Arnab Bhattacharya

Professor, Dept. of CMPMS, Tata Institute of Fundamental Research

بريد إلكتروني تم التحقق منه على tifr.res.in - الصفحة الرئيسية

Semiconductors epitaxial growth nitrides 2D layered materials Science education


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Gate Leakage Mechanisms in AlGaN/GaN and AlInN/GaN HEMTs: Comparison and Modeling‏ S Turuvekere, N Karumuri, AA Rahman, A Bhattacharya, A DasGupta, ...‏ IEEE Transactions on Electron Devices 60 (10), 3157-3165, 2013‏	280	2013
8 W continuous wave front‐facet power from broad‐waveguide Al‐free 980 nm diode lasers‏ LJ Mawst, A Bhattacharya, J Lopez, D Botez, DZ Garbuzov, L DeMarco, ...‏ Applied Physics Letters 69 (11), 1532-1534, 1996‏	242	1996
8 W continuous wave front‐facet power from broad‐waveguide Al‐free 980 nm diode lasers‏ LJ Mawst, A Bhattacharya, J Lopez, D Botez, DZ Garbuzov, L DeMarco, ...‏ Applied physics letters 69 (11), 1532-1534, 1996‏	240	1996
Synthesis and characterization of ReS2 and ReSe2 layered chalcogenide single crystals‏ AB Bhakti Jariwala, Damien Voiry, Apoorv Jindal, Bhagyashree A Chalke ...‏ Chemistry of Materials, 10.1021/acs.chemmater.6b00364, 2016‏	221*	2016
Highly Anisotropic in-Plane Excitons in Atomically Thin and Bulklike 1T′-ReSe₂‏ A Arora, J Noky, M Drüppel, B Jariwala, T Deilmann, R Schneider, ...‏ Nano letters 17 (5), 3202-3207, 2017‏	161	2017
66% CW wallplug efficiency from Al-free 0.98 μm-emitting diode lasers‏ D Botez, LJ Mawst, A Bhattacharya, J Lopez, J Li, TF Kuech, VP Iakovlev, ...‏ Electronics Letters 32 (21), 2012-2013, 1996‏	123	1996
A facile process for soak-and-peel delamination of CVD graphene from substrates using water‏ P Gupta, PD Dongare, S Grover, S Dubey, H Mamgain, A Bhattacharya, ...‏ Scientific reports 4 (1), 3882, 2014‏	118	2014
Layered transition metal dichalcogenides: promising near-lattice-matched substrates for GaN growth‏ P Gupta, AA Rahman, S Subramanian, S Gupta, A Thamizhavel, T Orlova, ...‏ Scientific Reports 6, 23708, 2016‏	113	2016
Magnetotransport properties of individual InAs nanowires‏ S Dhara, HS Solanki, V Singh, A Narayanan, P Chaudhari, M Gokhale, ...‏ Physical Review B 79 (12), 121311, 2009‏	105	2009
Recharging and rejuvenation of decontaminated N95 masks‏ E Hossain, S Bhadra, H Jain, S Das, A Bhattacharya, S Ghosh, D Levine‏ Physics of Fluids 32 (9), 093304, 2020‏	101	2020
MOVPE growth of semipolar III-nitride semiconductors on CVD graphene‏ P Gupta, AA Rahman, N Hatui, MR Gokhale, MM Deshmukh, ...‏ Journal of Crystal Growth 372, 105-108, 2013‏	93	2013
Correlation of InGaP (001) surface structure during growth and bulk ordering‏ M Zorn, P Kurpas, AI Shkrebtii, B Junno, A Bhattacharya, K Knorr, ...‏ Physical Review B 60 (11), 8185, 1999‏	85	1999
Nanostructured MoS2/BiVO4 Composites for Energy Storage Applications‏ Y Arora, AP Shah, S Battu, CB Maliakkal, S Haram, A Bhattacharya, ...‏ Scientific Reports 6, 36294, 2016‏	67	2016
Study of sputtered molybdenum nitride as a diffusion barrier‏ NG Anitha, V.P., Bhattacharya, A., Patil, M S.‏ Thin Solid Films 236 (1), 306-310, 1993‏	62	1993
Quantum-confined stark effect in localized luminescent centers within InGaN/GaN quantum-well based light emitting diodes‏ S De, A Layek, S Bhattacharya, D Kumar Das, A Kadir, A Bhattacharya, ...‏ Applied Physics Letters 101 (12), 121919, 2012‏	61	2012
Distorted wurtzite unit cells: Determination of lattice parameters of nonpolar a-plane AlGaN and estimation of solid phase Al content‏ MR Laskar, T Ganguli, AA Rahman, A Mukherjee, N Hatui, MR Gokhale, ...‏ Journal of Applied Physics 109 (1), 013107-013107-8, 2011‏	61	2011
High continuous wave output power InGaAs/InGaAsP/InGaP diode lasers: Effect of substrate misorientation‏ LJ Mawst, A Bhattacharya, M Nesnidal, J Lopez, D Botez, JA Morris, ...‏ Applied physics letters 67 (20), 2901-2903, 1995‏	60	1995
Three-core ARROW-type diode laser: novel high-power, single-mode device, and effective master oscillator for flared antiguided MOPA's‏ C Zmudzinski, D Botez, LI Mawst, A Bhattacharya, M Nesnidal, RF Nabiev‏ IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 1 (2), 129-137, 1995‏	60	1995
Inductively coupled plasma reactive-ion etching of β-Ga₂O₃: Comprehensive investigation of plasma chemistry and temperature‏ AP Shah, A Bhattacharya‏ Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 35 (4 …, 2017‏	59	2017
Two Distinct Origins of Highly Localized Luminescent Centers within InGaN/GaN Quantum‐Well Light‐Emitting Diodes‏ S De, A Layek, A Raja, A Kadir, MR Gokhale, A Bhattacharya, S Dhar, ...‏ Advanced Functional Materials 21 (20), 3828-3835, 2011‏	59	2011

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون