High-responsivity terahertz detection by on-chip InGaAs/GaAs field-effect-transistor array VV Popov, DM Ermolaev, KV Maremyanin, NA Maleev, VE Zemlyakov, ...
Applied Physics Letters 98 (15), 2011
66 2011 Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation VG Tikhomirov, VE Zemlyakov, VV Volkov, YM Parnes, VN Vyuginov, ...
Semiconductors 50, 244-248, 2016
40 2016 Miniature high-power nanosecond laser diode transmitters using the simplest possible avalanche drivers S Vainshtein, V Zemlyakov, V Egorkin, A Maslevtsov, A Filimonov
IEEE Transactions on Power Electronics 34 (4), 3689-3699, 2018
36 2018 Integrated array of gas sensors VI Anisimkin, RG Krystal, AV Medved, E Verona, VE Zemlyakov
Electronics Letters 34 (13), 1360-1361, 1998
22 1998 Collapsing-field-domain-based 200 GHz solid-state source SN Vainshtein, G Duan, VS Yuferev, VE Zemlyakov, VI Egorkin, ...
Applied Physics Letters 115 (12), 2019
19 2019 Wide-aperture detector of terahertz radiation based on GaAs/InGaAs transistor structure with large-area slit grating gate KV Marem’yanin, DM Ermolaev, DV Fateev, SV Morozov, NA Maleev, ...
Technical Physics Letters 36, 365-368, 2010
18 2010 Detection of terahertz radiation by tightly concatenated InGaAs field-effect transistors integrated on a single chip VV Popov, DM Yermolaev, KV Maremyanin, VE Zemlyakov, NA Maleev, ...
Applied Physics Letters 104 (16), 2014
17 2014 Electrochemical capacitance-voltage profiling of the free-carrier concentration in HEMT heterostructures based on InGaAs/AlGaAs/GaAs compounds PN Brunkov, AA Gutkin, ME Rudinsky, OI Ronghin, AA Sitnikova, ...
Semiconductors 45, 811-817, 2011
17 2011 Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов ЕА Тарасова, ЕС Оболенская, AB Хананова, СВ Оболенский, ...
Физика и техника полупроводников 50 (12), 1599-1604, 2016
16 2016 Исследование свойств монокристаллического алмаза, выращенного из газовой фазы на подложках из природного алмаза АА Алтухов, АЛ Вихарев, АМ Горбачёв, МП Духновский, ВЕ Земляков, ...
Физика и техника полупроводников 45 (3), 403, 2011
16 2011 Электрохимическое вольт-емкостное профилирование концентрации свободных носителей заряда в HEMT-гетероструктурах на основе соединений InGaAs/AlGaAs/GaAs ПН Брунков, АА Гуткин, МЭ Рудинский, ОИ Ронжин, АА Ситникова, ...
Физика и техника полупроводников 45 (6), 829-835, 2011
15 2011 Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после ЕА Тарасова, AB Хананова, СВ Оболенский, ВЕ Земляков, ...
Физика и техника полупроводников 50 (3), 331-338, 2016
14 2016 Terahertz detection in a slit-grating-gate field-effect-transistor structure DM Yermolayev, KM Marem’yanin, DV Fateev, SV Morozov, NA Maleev, ...
Solid-state electronics 86, 64-67, 2013
14 2013 3-D properties of the switching transient in a high-speed avalanche transistor require optimal chip design G Duan, SN Vainshtein, JT Kostamovaara, VE Zemlyakov, VI Egorkin
IEEE Transactions on Electron Devices 61 (3), 716-721, 2014
13 2014 Homoepitaxial single crystal diamond grown on natural diamond seeds (type IIa) with boron-implanted layer demonstrating the highest mobility of 1150 cm2/V s at 300 K for ion … AK Ratnikova, MP Dukhnovsky, YY Fedorov, VE Zemlyakov, ...
Diamond and related materials 20 (8), 1243-1245, 2011
12 2011 Исследование влияния параметров затворной области на статические характеристики полевых СВЧ-транзисторов на основе псевдоморфных гетероструктур AlGaAs–InGaAs–GaAs ВГ Тихомиров, НА Малеев, АГ Кузьменков, ЮВ Соловьев, ...
Физика и техника полупроводников 45 (10), 1405, 2011
12 2011 Characterization of single-crystal diamond grown from the vapor phase on substrates of natural diamond AA Altukhov, AL Vikharev, AM Gorbachev, MP Dukhnovsky, ...
Semiconductors 45, 392-396, 2011
11 2011 Interferometrically enhanced sub-terahertz picosecond imaging utilizing a miniature collapsing-field-domain source SN Vainshtein, G Duan, VA Mikhnev, VE Zemlyakov, VI Egorkin, ...
Applied Physics Letters 112 (19), 2018
10 2018 Nanosecond miniature transmitters for pulsed optical radars AV Filimonov, VE Zemlyakov, VI Egorkin, AV Maslevtsov, MC Wurz, ...
Internet of Things, Smart Spaces, and Next Generation Networks and Systems …, 2017
10 2017 Blue-green InGaN/GaN light-emitting diode with mesh-like top metal electrode Y Kholopova, I Khmyrova, S Larkin, V Zemlyakov, V Egorkin, ...
Microelectronic Engineering 174, 80-84, 2017
9 2017