متابعة
Vipul Chaudhary
Vipul Chaudhary
Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay
بريد إلكتروني تم التحقق منه على iitb.ac.in
عنوان
عدد مرات الاقتباسات
عدد مرات الاقتباسات
السنة
HKMG process impact on N, P BTI: Role of thermal IL scaling, IL/HK integration and post HK nitridation‏
K Joshi, S Hung, S Mukhopadhyay, V Chaudhary, N Nanaware, ...‏
2013 IEEE international reliability physics symposium (IRPS), 4C. 2.1-4C. 2.10, 2013‏
642013
Trap generation in IL and HK layers during BTI/TDDB stress in scaled HKMG N and P MOSFETs‏
S Mukhopadhyay, K Joshi, V Chaudhary, N Goel, S De, RK Pandey, ...‏
2014 IEEE International Reliability Physics Symposium, GD. 3.1-GD. 3.11, 2014‏
522014
يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.
مقالات 1–2