Bernd Jenichen

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	4585	621
h-index	33	12
i10-index	98	13

260

130

195

199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202512 12 11 27 39 69 100 126 61 98 78 117 175 220 213 175 160 152 137 163 182 226 227 225 248 235 215 203 172 155 109 92 77 16

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

12 مقالة

مقالة واحدة

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Vladimir KaganerPaul-Drude-Institut für Festkörperelektronikبريد إلكتروني تم التحقق منه على pdi-berlin.de
Oliver BrandtSenior scientist, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronikبريد إلكتروني تم التحقق منه على pdi-berlin.de
Henning RiechertDirector, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronikبريد إلكتروني تم التحقق منه على pdi-berlin.de
Dillip K. SatapathyProfessor, Department of Physics, Indian Institute of Technology (IIT) Madras, 600 036بريد إلكتروني تم التحقق منه على iitm.ac.in
Jonas LähnemannWissenschaftlicher Mitarbeiter, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronikبريد إلكتروني تم التحقق منه على pdi-berlin.de
Holger T. GrahnPaul-Drude-Institut für Festkörperelektronikبريد إلكتروني تم التحقق منه على pdi-berlin.de
Carsten PfüllerPost Doc, Paul-Drude-Institutبريد إلكتروني تم التحقق منه على pdi-berlin.de
Caroline Chèzeبريد إلكتروني تم التحقق منه على pdi-berlin.de
Sergio Fernández-GarridoAssociate Professor in Materials Science and ERC-CoG Grantee at Universidad Politécnica de Madridبريد إلكتروني تم التحقق منه على upm.es

متابعة

Bernd Jenichen

Paul-Drude-Institut

بريد إلكتروني تم التحقق منه على pdi-berlin.de

Physics Material science


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
X-ray diffraction peaks due to misfit dislocations in heteroepitaxial structures‏ VM Kaganer, R Köhler, M Schmidbauer, R Opitz, B Jenichen‏ Physical Review B 55 (3), 1793, 1997‏	403	1997
Surface reconstructions of zinc-blende GaN/GaAs (001) in plasma-assisted molecular-beam epitaxy‏ O Brandt, H Yang, B Jenichen, Y Suzuki, L Däweritz, KH Ploog‏ Physical Review B 52 (4), R2253, 1995‏	214	1995
Correlation of structure and magnetism in GaAs with embedded Mn (Ga) As magnetic nanoclusters‏ M Moreno, A Trampert, B Jenichen, L Däweritz, KH Ploog‏ Journal of Applied Physics 92 (8), 4672-4677, 2002‏	188	2002
Strain-mediated phase coexistence in heteroepitaxial films‏ VM Kaganer, B Jenichen, F Schippan, W Braun, L Däweritz, KH Ploog‏ Physical review letters 85 (2), 341, 2000‏	177	2000
Luminescence of GaAs nanowires consisting of wurtzite and zinc-blende segments‏ U Jahn, J Lähnemann, C Pfüller, O Brandt, S Breuer, B Jenichen, ...‏ Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 85 (4), 045323, 2012‏	151	2012
Strain-mediated phase coexistence in MnAs heteroepitaxial films on GaAs: An x-ray diffraction study‏ VM Kaganer, B Jenichen, F Schippan, W Braun, L Däweritz, KH Ploog‏ Physical Review B 66 (4), 045305, 2002‏	145	2002
Properties of GaN nanowires grown by molecular beam epitaxy‏ L Geelhaar, C Cheze, B Jenichen, O Brandt, C Pfüller, S Münch, ...‏ IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 17 (4), 878-888, 2011‏	143	2011
Periodic elastic domains of coexisting phases in epitaxial MnAs films on GaAs‏ T Plake, M Ramsteiner, VM Kaganer, B Jenichen, M Kästner, L Däweritz, ...‏ Applied physics letters 80 (14), 2523-2525, 2002‏	127	2002
Cyclotron-resonance-assisted photocurrents in surface states of a three-dimensional topological insulator based on a strained high-mobility HgTe film‏ KM Dantscher, DA Kozlov, P Olbrich, C Zoth, P Faltermeier, M Lindner, ...‏ Physical Review B 92 (16), 165314, 2015‏	113	2015
Weak antilocalization and electron-electron interaction effects in Cu-doped BiSe films‏ Y Takagaki, B Jenichen, U Jahn, M Ramsteiner, KJ Friedland‏ Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 85 (11), 115314, 2012‏	109	2012
Strong localization in InGaN layers with high In content grown by molecular-beam epitaxy‏ FB Naranjo, MA Sánchez-Garcıa, F Calle, E Calleja, B Jenichen, ...‏ Applied physics letters 80 (2), 231-233, 2002‏	104	2002
Combined molecular beam epitaxy and diffractometer system for in situ x-ray studies of crystal growth‏ B Jenichen, W Braun, VM Kaganer, AG Shtukenberg, L Däweritz, ...‏ Review of scientific instruments 74 (3), 1267-1273, 2003‏	91	2003
Influence of the interface composition of InAs/AlSb superlattices on their optical and structural properties‏ J Spitzer, A Höpner, M Kuball, M Cardona, B Jenichen, H Neuroth, B Brar, ...‏ Journal of applied physics 77 (2), 811-820, 1995‏	83	1995
Macro-and micro-strain in GaN nanowires on Si (111)‏ B Jenichen, O Brandt, C Pfueller, P Dogan, M Knelangen, A Trampert‏ Nanotechnology 22 (29), 295714, 2011‏	82	2011
Depth‐resolved measurement of lattice relaxation in Ga1− xInxAs/GaAs strained layer superlattices by means of grazing‐incidence x‐ray diffraction‏ U Pietsch, H Metzger, S Rugel, B Jenichen, IK Robinson‏ Journal of applied physics 74 (4), 2381-2387, 1993‏	70	1993
MnAs nanoclusters embedded in GaAs studied by x-ray diffuse and coherent scattering‏ M Moreno, B Jenichen, V Kaganer, W Braun, A Trampert, L Däweritz, ...‏ Physical Review B 67 (23), 235206, 2003‏	67	2003
Different growth rates for catalyst-induced and self-induced GaN nanowires‏ C Chèze, L Geelhaar, B Jenichen, H Riechert‏ Applied Physics Letters 97 (15), 2010‏	64	2010
Correlation between the structural and optical properties of spontaneously formed GaN nanowires: a quantitative evaluation of the impact of nanowire coalescence‏ S Fernández-Garrido, VM Kaganer, C Hauswald, B Jenichen, ...‏ Nanotechnology 25 (45), 455702, 2014‏	58	2014
Structural properties of GaN layers on Si (001) grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy‏ B Yang, A Trampert, O Brandt, B Jenichen, KH Ploog‏ Journal of applied physics 83 (7), 3800-3806, 1998‏	58	1998
Long-range order in thin epitaxial films grown on GaAs(001)‏ B Jenichen, VM Kaganer, J Herfort, DK Satapathy, HP Schönherr, ...‏ Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 72 (7), 075329, 2005‏	56	2005

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون