Martin Stutzmann

عدد مرات الاقتباسات

	الكل	قبل 2020
اقتباسات	45810	7494
h-index	98	34
i10-index	515	154

2300

1150

575

1725

1986198719881989199019911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025136 290 217 282 215 449 373 615 524 520 506 538 582 591 812 861 896 1184 1167 1289 1386 1341 1646 1546 1692 1906 2096 2217 2078 2047 2091 2048 1967 1837 1747 1625 1413 1289 1248 171

عدد المنشورات المتاحة للجميع

عرض المجموعة جميعها

100 مقالة

78 مقالة

المقالات البحثية المتاحة للجميع

المقالات البحثية غير المتاحة للجميع

تمّ اختيار المعلومات استنادًا إلى تفويضات التمويل

المؤلفون المشاركون

Oliver AmbacherGips-Schüle-Professur für Leistungselektronik, Universität Freiburgبريد إلكتروني تم التحقق منه على inatech.uni-freiburg.de
Martin S. Brandtapl. Professor für Experimentalphysik, Walter Schottky Institut, Technische Universität Münchenبريد إلكتروني تم التحقق منه على wsi.tum.de
Martin EickhoffInstitut für Festkörperphysik, Universität Bremenبريد إلكتروني تم التحقق منه على ifp.uni-bremen.de
Jose A. GarridoICN2 - Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology & ICREAبريد إلكتروني تم التحقق منه على icn2.cat
Roman DimitrovFinisarبريد إلكتروني تم التحقق منه على finisar.com
Hartmut WiggersUniversity of Duisburg-Essenبريد إلكتروني تم التحقق منه على uni-due.de
James R. ShealyCornell Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على ece.cornell.edu
Josef Gerhard MüllerMunich University of Applied Sciencesبريد إلكتروني تم التحقق منه على hm.edu
WARREN B JACKSONPrincipal Scientistبريد إلكتروني تم التحقق منه على parc.com
Carlos F. O. Graeff FRSC (ORCID:000...Professor Titular do DFM-FC, Universidade Estadual Paulista-UNESPبريد إلكتروني تم التحقق منه على unesp.br
Nils WeimannUniversity of Duisburg-Essenبريد إلكتروني تم التحقق منه على uni-due.de
Hans HüblWalther-Meissner-Institut, Bayerische Akademie der Wissenschaftenبريد إلكتروني تم التحقق منه على wmi.badw.de
David BiegelsenXerox Palo Alto Research Centerبريد إلكتروني تم التحقق منه على parc.com
Martin AlbrechtLeibniz-Institut für Kristallzüchtungبريد إلكتروني تم التحقق منه على ikz-berlin.de
Oliver WilliamsCardiff School of Physics and Astronomy, Cardiff Universityبريد إلكتروني تم التحقق منه على cardiff.ac.uk
Manuel CardonaMax Planck Institutبريد إلكتروني تم التحقق منه على fkf.mpg.de
Felix HoehneWalter-Schottky Institut, TU Münchenبريد إلكتروني تم التحقق منه على wsi.tum.de
Gyorgy CsabaPázmány Péter Catholic University, formerly University of Notre Dameبريد إلكتروني تم التحقق منه على itk.ppke.hu
Gema Martínez CriadoEuropean Synchrotron Radiation Facilityبريد إلكتروني تم التحقق منه على esrf.fr
Jordi ArbiolICREA and Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BISTبريد إلكتروني تم التحقق منه على icrea.cat

متابعة

Martin Stutzmann

Professor (retired) of Experimental Physics, Walter Schottky Institut, TU München

بريد إلكتروني تم التحقق منه على tum.de - الصفحة الرئيسية

Semiconductor Physics


عنوان ترتيب حسب الاقتباسات ترتيب حسب السنة الترتيب حسب العنوان	عدد مرات الاقتباسات عدد مرات الاقتباسات	السنة
Two-dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization charges in N-and Ga-face AlGaN/GaN heterostructures‏ O Ambacher, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, M Murphy, ...‏ Journal of applied physics 85 (6), 3222-3233, 1999‏	3809	1999
Two dimensional electron gases induced by spontaneous and piezoelectric polarization in undoped and doped AlGaN/GaN heterostructures‏ O Ambacher, B Foutz, J Smart, JR Shealy, NG Weimann, K Chu, ...‏ Journal of applied physics 87 (1), 334-344, 2000‏	2174	2000
Light-induced metastable defects in hydrogenated amorphous silicon: A systematic study‏ M Stutzmann, WB Jackson, CC Tsai‏ Physical Review B 32 (1), 23, 1985‏	1578	1985
Pyroelectric properties of Al (In) GaN/GaN hetero-and quantum well structures‏ O Ambacher, J Majewski, C Miskys, A Link, M Hermann, M Eickhoff, ...‏ Journal of physics: condensed matter 14 (13), 3399, 2002‏	1436	2002
The origin of visible luminescencefrom “porous silicon”: A new interpretation‏ MS Brandt, HD Fuchs, M Stutzmann, J Weber, M Cardona‏ Solid State Communications 81 (4), 307-312, 1992‏	1125*	1992
Optical constants of epitaxial AlGaN films and their temperature dependence‏ D Brunner, H Angerer, E Bustarret, F Freudenberg, R Höpler, R Dimitrov, ...‏ Journal of applied physics 82 (10), 5090-5096, 1997‏	812	1997
Defect structure of epitaxial GaN films determined by transmission electron microscopy and triple-axis X-ray diffractometry‏ T Metzger, R Höpler, E Born, O Ambacher, M Stutzmann, R Stömmer, ...‏ Philosophical magazine A 77 (4), 1013-1025, 1998‏	747	1998
Protein-modified nanocrystalline diamond thin films for biosensor applications‏ A Härtl, E Schmich, JA Garrido, J Hernando, SCR Catharino, S Walter, ...‏ Nature materials 3 (10), 736-742, 2004‏	651	2004
Black nonreflecting silicon surfaces for solar cells‏ S Koynov, MS Brandt, M Stutzmann‏ Applied physics letters 88 (20), 2006‏	588	2006
The defect density in amorphous silicon‏ M Stutzmann‏ Philosophical Magazine B 60 (4), 531-546, 1989‏	449	1989
Determination of the Al mole fraction and the band gap bowing of epitaxial films‏ H Angerer, D Brunner, F Freudenberg, O Ambacher, M Stutzmann, ...‏ Applied Physics Letters 71 (11), 1504-1506, 1997‏	426	1997
Large free-standing GaN substrates by hydride vapor phase epitaxy and laser-induced liftoff‏ MKKMK Kelly, RPVRP Vaudo, VMPVM Phanse, LGL Görgens, ...‏ Japanese journal of applied physics 38 (3A), L217, 1999‏	421	1999
Chemical control of the charge state of nitrogen-vacancy centers in diamond‏ MV Hauf, B Grotz, B Naydenov, M Dankerl, S Pezzagna, J Meijer, ...‏ Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 83 (8), 081304, 2011‏	417	2011
Thermal stability and desorption of Group III nitrides prepared by metal organic chemical vapor deposition‏ O Ambacher, MS Brandt, R Dimitrov, T Metzger, M Stutzmann, RA Fischer, ...‏ Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1996‏	389	1996
pH response of GaN surfaces and its application for pH-sensitive field-effect transistors‏ G Steinhoff, M Hermann, WJ Schaff, LF Eastman, M Stutzmann, M Eickhoff‏ Applied Physics Letters 83 (1), 177-179, 2003‏	370	2003
Sound velocity of thin films obtained by surface acoustic-wave measurements‏ C Deger, E Born, H Angerer, O Ambacher, M Stutzmann, J Hornsteiner, ...‏ Applied Physics Letters 72 (19), 2400-2402, 1998‏	369	1998
Detailed investigation of doping in hydrogenated amorphous silicon and germanium‏ M Stutzmann, DK Biegelsen, RA Street‏ Physical Review B 35 (11), 5666, 1987‏	369	1987
Electronic properties of semiconducting FeSi₂ films‏ CA Dimitriadis, JH Werner, S Logothetidis, M Stutzmann, J Weber, ...‏ Journal of applied physics 68 (4), 1726-1734, 1990‏	321	1990
Graphene transistor arrays for recording action potentials from electrogenic cells‏ LH Hess, M Jansen, V Maybeck, MV Hauf, M Seifert, M Stutzmann, ...‏ Advanced Materials 23 (43), 5045, 2011‏	303	2011
Optical process for liftoff of group III-nitride films‏ MK Kelly, O Ambacher, R Dimitrov, R Handschuh, M Stutzmann‏ Physica Status Solidi A (Applied Research) 159, 1997‏	302	1997

يتعذر على النظام إجراء العملية في الوقت الحالي. عاود المحاولة لاحقًا.

مقالات 1–20

عدد الاقتباسات في العام

اقتباسات مكررة

الاقتباسات المدمجة

إضافة مؤلفين مشاركينالمؤلفون المشاركون

متابعة

عدد مرات الاقتباسات

المؤلفون المشاركون