Articles amb requisits d'accés públic - Kaddour LekhalMés informació
Disponibles en algun lloc: 3
Effect of AlGaN interlayer on the GaN/InGaN/GaN/AlGaN multi-quantum wells structural properties toward red light emission
P Ruterana, M Morales, N Chery, TH Ngo, MP Chauvat, K Lekhal, ...
Journal of Applied Physics 128 (22), 2020
Requisits: Agence Nationale de la Recherche
Reconfiguration of amorphous complex oxides: A route to a broad range of assembly phenomena, hybrid materials, and novel functionalities
DJ Prakash, Y Chen, ML Debasu, DE Savage, C Tangpatjaroen, ...
Small 18 (1), 2105424, 2022
Requisits: US National Science Foundation, US Department of Energy
Highly tin doped GaAs at low growth temperatures using tetraethyl tin by metal organic vapor phase epitaxy
O Elleuch, K Lekhal, Y Guan, TF Kuech
Journal of Crystal Growth 507, 255-259, 2019
Requisits: US National Science Foundation
Les dades de publicació i de finançament es determinen automàticament per mitjà d'un programa informàtic