Články se zplnomocněním k veřejnému přístupu - Shinya AIKAWADalší informace
Nedostupné nikde: 5
Self-Limiting Layer-by-Layer Oxidation of Atomically Thin WSe2
M Yamamoto, S Dutta, S Aikawa, S Nakaharai, K Wakabayashi, ...
Nano letters 15 (3), 2067-2073, 2015
Zplnomocnění: Australian Research Council
Homogeneous double-layer amorphous Si-doped indium oxide thin-film transistors for control of turn-on voltage
T Kizu, S Aikawa, T Nabatame, A Fujiwara, K Ito, M Takahashi, ...
Journal of Applied Physics 120 (4), 2016
Zplnomocnění: National Natural Science Foundation of China
Influence of Al2O3 layer insertion on the electrical properties of Ga-In-Zn-O thin-film transistors
K Kurishima, T Nabatame, M Shimizu, N Mitoma, T Kizu, S Aikawa, ...
Journal of Vacuum Science & Technology A 33 (6), 2015
Zplnomocnění: US National Institutes of Health
Effect of carbon doping on threshold voltage and mobility of In-Si-O thin-film transistors
K Kurishima, T Nabatame, N Mitoma, T Kizu, S Aikawa, K Tsukagoshi, ...
Journal of Vacuum Science & Technology B 36 (6), 2018
Zplnomocnění: US National Institutes of Health
Influence of Al2O3 gate dielectric on transistor properties for IGZO thin film transistor
K Kurishima, T Nabatame, M Shimizu, S Aikawa, K Tsukagoshi, A Ohi, ...
ECS Transactions 61 (4), 345, 2014
Zplnomocnění: US National Institutes of Health
Dostupné někde: 1
Si-incorporated amorphous indium oxide thin-film transistors
S Aikawa, T Nabatame, K Tsukagoshi
Japanese Journal of Applied Physics 58 (9), 090506, 2019
Zplnomocnění: National Natural Science Foundation of China
Informace o publikování a financování jsou automaticky vybírány počítačovým programem