Profile

Muhammad Ali Johar

Epi Principal Engineer, Coherent Corp

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Zitiert von: 1773

MOCVD Epitaxy SiC AlGaN/GaN HEMT MOSFET

Dr. Sekhar Halubai

Nagoya Institute of Technology, Japan

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Zitiert von: 438

Si QD solar cells AlGaN/GaN HEMT Si MEMS Nano Phosporous and NLO materials

Bong-Ryeol Park

SK Hynix, Senior Device Engineer

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Zitiert von: 393

DRAM pheripery TR CMOS transistor AlGaN/GaN HEMT Power transistor Compound semiconductor

Wang Quan

Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

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Zitiert von: 354

MOCVD Microwave Power Device AlGaN/GaN HEMT 2DEG

Isra Mahaboob

Intel Corporation

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Zitiert von: 280

Stretchable Electronics AlGaN/GaN HEMT III-Nitrides Opto-electronics Power electronics

Justinas Jorudas

Center for Physical Sciences and Technology (FTMC)

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Zitiert von: 242

AlGaN/GaN HEMT THz detection THz

Fabio Soci

University of Modena and Reggio Emilia

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Zitiert von: 240

AlGaN/GaN HEMT device charcterization enrgy harvesting

Dr JK Kaushik

Govt of India

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Zitiert von: 195

AlGaN GaN HEMT Surface Traps DLTS CV IV

Dongmin Keum

Hongik University

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Zitiert von: 181

AlGaN/GaN HEMT Normally-off Radiation Reliability GaN

Denis Milakhin

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics of the Siberian Branch of Russian Academy of …

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Zitiert von: 106

ammonia MBE GaN AlGaN/GaN-HEMT 2DEG RHEED

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