Prof. Mantu Hudait

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	6958	1760
h-index	44	21
i10-index	137	60

580

290

145

435

2000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202519 26 27 33 36 64 65 63 89 133 240 299 381 519 572 575 576 521 515 381 339 367 383 309 320 41

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

42 άρθρα

0 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Marko RadosavljevicIntel CorporationΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα intel.com
Michael ClavelVirginia Polytechnic Institute and State UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα vt.edu
Suman DattaJoseph M. Pettit Chair ProfessorΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα gatech.edu
S.B. KrupanidhiIndian institute of scienceΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mrc.iisc.ernet.in
Steven RingelThe Ohio State UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα osu.edu
Yan ZhuToshiba America Electronic ComponentsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα vt.edu
Nikhil JainNational Renewable Energy LabΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrel.gov
Shashank PriyaPenn StateΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα psu.edu
Deepam MauryaVirginia TechΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα vt.edu
Patrick S. GoleyResearch and Development at PsiQuantumΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα psiquantum.com
Jheng-Sin LiuVirginia TechΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα vt.edu
David WiltAir ForceΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα us.af.mil
Dheeraj MohataSenior Integration Engineer, GCS IncΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα gcsincorp.com
Edward Yi changNational Chico Tung universityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mail.nctu.edu.tw
Robert J. BodnarUniversity Distinguished Professor of Geosciences, Virginia TechΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα vt.edu
Niloy MukherjeeEugenus, Inc.Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα eugenustech.com
Jonathan P PelzOhio State UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα osu.edu
Rutwik JoshiGraduate Researcher, Virginia TechΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα vt.edu
E A FitzgeraldCornell, ATT, MIT, Massachusetts Institute of Technology, NTUΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mit.edu
Robert F. HicksProfessor Emeritus, UCLA, and CEO, Surfx TechnologiesΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ucla.edu

Παρακολούθηση

Prof. Mantu Hudait

Assoc. Prof. of ECE, Virginia Tech; Past: Intel Corporation, Ohio State U, IISc-Bangalore, IIT-KGP

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα vt.edu - Αρχική σελίδα

MBE III-V semiconductors Germanium-tin Transistors Photonics


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Advanced high-K gate dielectric for high-performance short-channel In< inf> 0.7</inf> Ga< inf> 0.3</inf> As quantum well field effect transistors on silicon substrate for low … M Radosavljevic, B Chu-Kung, S Corcoran, G Dewey, MK Hudait, ... Electron Devices Meeting (IEDM), 2009 IEEE International, 1-4, 2009	278*	2009
Electrical transport characteristics of Au/n-GaAs Schottky diodes on n-Ge at low temperatures MK Hudait, P Venkateswarlu, SB Krupanidhi Solid-State Electronics 45 (1), 133-141, 2001	237	2001
Germanium based field-effect transistors: Challenges and opportunities PS Goley, MK Hudait Materials 7 (3), 2301-2339, 2014	206	2014
Effects of thin oxide in metal–semiconductor and metal–insulator–semiconductor epi-GaAs Schottky diodes MK Hudait, SB Krupanidhi Solid-State Electronics 44 (6), 1089-1097, 2000	193	2000
Single‐junction InGaP/GaAs solar cells grown on Si substrates with SiGe buffer layers SA Ringel, JA Carlin, CL Andre, MK Hudait, M Gonzalez, DM Wilt, ... Progress in Photovoltaics: Research and Applications 10 (6), 417-426, 2002	175	2002
Doping dependence of the barrier height and ideality factor of Au/n-GaAs Schottky diodes at low temperatures MK Hudait, SB Krupanidhi Physica B: Condensed Matter 307 (1-4), 125-137, 2001	171	2001
Ultrahigh-Speed 0.5 V Supply Voltage In< sub> 0.7</sub> Ga< sub> 0.3</sub> As Quantum-Well Transistors on Silicon Substrate S Datta, G Dewey, JM Fastenau, MK Hudait, D Loubychev, WK Liu, ... Electron Device Letters, IEEE 28 (8), 685-687, 2007	149*	2007
Fermi level unpinning of GaSb (100) using plasma enhanced atomic layer deposition of Al2O3 A Ali, HS Madan, AP Kirk, DA Zhao, DA Mourey, MK Hudait, RM Wallace, ... Applied Physics Letters 97 (14), 2010	142	2010
High-performance 40nm gate length InSb p-channel compressively strained quantum well field effect transistors for low-power (VCC= 0.5 V) logic applications M Radosavljevic, T Ashley, A Andreev, SD Coomber, G Dewey, ... 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 1-4, 2008	135	2008
The influences of surface treatment and gas annealing conditions on the inversion behaviors of the atomic-layer-deposition< equation>< font face='verdana'> Al</font>< sub> 2 … HD Trinh, EY Chang, PW Wu, YY Wong, CT Chang, YF Hsieh, CC Yu, ... Applied Physics Letters 97 (4), 042903-042903-3, 2010	132*	2010
Interface states density distribution in Au/n-GaAs Schottky diodes on n-Ge and n-GaAs substrates MK Hudait, SB Krupanidhi Materials Science and Engineering: B 87 (2), 141-147, 2001	129	2001
III–V multijunction solar cell integration with silicon: Present status, challenges and future outlook N Jain, MK Hudait Energy Harvesting and Systems 1 (3-4), 121-145, 2014	127	2014
Group III-V devices with delta-doped layer under channel region MK Hudait, PG Tolchinsky, RS Chau, M Radosavljevic, R Pillarisetty, ... US Patent App. 12/316,878, 2010	126	2010
Control of oxygen vacancies and Ce⁺³ concentrations in doped ceria nanoparticles via the selection of lanthanide element N Shehata, K Meehan, M Hudait, N Jain Journal of Nanoparticle Research 14, 1-10, 2012	121	2012
Heterogeneous integration of enhancement mode in0.7ga0.3as quantum well transistor on silicon substrate using thin (les 2 μm) composite buffer architecture for high-speed and … MK Hudait, G Dewey, S Datta, JM Fastenau, J Kavalieros, WK Liu, ... Electron Devices Meeting (IEDM), 2007 IEEE International, 625-628, 2007	121*	2007
Barrier-Engineered Arsenide–Antimonide Heterojunction Tunnel FETs With Enhanced Drive Current D Mohata, B Rajamohanan, T Mayer, M Hudait, J Fastenau, D Lubychev, ... IEEE Electron Device Letters 33 (11), 1568-1570, 2012	118	2012
Effect of twinning on the photoluminescence and photoelectrochemical properties of indium phosphide nanowires grown on silicon (111) RL Woo, R Xiao, Y Kobayashi, L Gao, N Goel, MK Hudait, TE Mallouk, ... Nano letters 8 (12), 4664-4669, 2008	109	2008
Modulation-doped multi-gate devices MK Hudait, R Pillarisetty, M Radosavljevic, G Dewey, JT Kavalieros US Patent 8,120,063, 2012	108	2012
Carrier transport in high-mobility III–V quantum-well transistors and performance impact for high-speed low-power logic applications G Dewey, MK Hudait, K Lee, R Pillarisetty, W Rachmady, M Radosavljevic, ... IEEE electron device letters 29 (10), 1094-1097, 2008	106	2008
Anomalous current transport in Au/low-doped n-GaAs Schottky barrier diodes at low temperatures S Hardikar, MK Hudait, P Modak, SB Krupanidhi, N Padha Applied Physics A 68, 49-55, 1999	103	1999

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς