Gaudenzio Meneghesso

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	23518	11132
h-index	70	47
i10-index	432	257

2500

1250

625

1875

2000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202579 66 85 117 106 142 151 184 279 324 511 565 770 847 962 1148 1236 1503 1529 1555 1795 2099 2202 2404 2401 225

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

120 άρθρα

125 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Enrico ZanoniProfessor, Electronics, University of PadovaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα dei.unipd.it
Matteo MeneghiniFull Professor at the University of PadovaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα dei.unipd.it
Carlo De SantiAssistant professor, UNIPDΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unipd.it
Matteo BuffoloPostdoctoral researcher, University of PadovaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα dei.unipd.it
Nicola TrivellinAssistant professor at University of PadovaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unipd.it
Alessandro ChiniProfessor of Electronics, University of Modena and Reggio Emilia, ItalyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unimore.it
Fabiana RampazzoUniversity of PadovaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα dei.unipd.it
Giovanni VerzellesiProfessor of Electronics, University of Modena and Reggio Emilia, ItalyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unimore.it
Davide BisiRenesas ElectronicsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα renesas.com
Marco BarbatoUniversity of PadovaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα dei.unipd.it
Andrea CesterDepartment of Information Engineering, Padova UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα dei.unipd.it
Alessandro CariaPostdoc reseracher, Department of Information Engineering, University of PadovaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unipd.it
Giovanna MuraDIEE- University of Cagliari- ItalyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα diee.unica.it
Francesco PivaPost Doc researcher University of PadovaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unipd.it
Lorenzo TrevisanelloTridonicΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tridonic.com
Farid MedjdoubIEMN - CNRSΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα iemn.fr
Denis MarconimecΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imec.be
Maura PavesiDept. of Marhematical, Physical and Computer Sciences - Univ.of Parma ITALYΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unipr.it
Michele GoanoProfessor of Electronics, Politecnico di Torino, Dipartimento di Elettronica e TelecomunicazioniΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα polito.it
Francesco BertazziAssistant Professor, Politecnico di Torino, Dipartimento di Elettronica e TelecomunicazioniΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα polito.it

Παρακολούθηση

Gaudenzio Meneghesso

University of Padova, Dept. of Information Engineering

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα dei.unipd.it - Αρχική σελίδα

GaN- SiC- Based Power Devices Optoelectronics (LED & Laser) Photovoltaics MEMS Electrostatic Discharge


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
The 2018 GaN power electronics roadmap H Amano, Y Baines, E Beam, M Borga, T Bouchet, PR Chalker, M Charles, ... Journal of Physics D: Applied Physics 51 (16), 163001, 2018	1250	2018
Reliability of GaN high-electron-mobility transistors: State of the art and perspectives G Meneghesso, G Verzellesi, F Danesin, F Rampazzo, F Zanon, A Tazzoli, ... IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 8 (2), 332-343, 2008	803	2008
Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies G Verzellesi, D Saguatti, M Meneghini, F Bertazzi, M Goano, ... Journal of Applied Physics 114 (7), 2013	489	2013
Deep-level characterization in GaN HEMTs-Part I: Advantages and limitations of drain current transient measurements D Bisi, M Meneghini, C De Santi, A Chini, M Dammann, P Brueckner, ... IEEE Transactions on electron devices 60 (10), 3166-3175, 2013	447	2013
GaN-based power devices: Physics, reliability, and perspectives M Meneghini, C De Santi, I Abid, M Buffolo, M Cioni, RA Khadar, L Nela, ... Journal of Applied Physics 130 (18), 2021	438	2021
Surface-related drain current dispersion effects in AlGaN-GaN HEMTs G Meneghesso, G Verzellesi, R Pierobon, F Rampazzo, A Chini, ... IEEE Transactions on Electron Devices 51 (10), 1554-1561, 2004	423	2004
A review on the physical mechanisms that limit the reliability of GaN-based LEDs M Meneghini, A Tazzoli, G Mura, G Meneghesso, E Zanoni IEEE Transactions on Electron Devices 57 (1), 108-118, 2009	340	2009
A review on the reliability of GaN-based LEDs M Meneghini, LR Trevisanello, G Meneghesso, E Zanoni IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 8 (2), 323-331, 2008	336	2008
Power GaN Devices M Meneghini, G Meneghesso, E Zanoni Cham: Springer International Publishing, 2017	237	2017
Current collapse and high-electric-field reliability of unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs G Meneghesso, F Rampazzo, P Kordos, G Verzellesi, E Zanoni IEEE Transactions on Electron Devices 53 (12), 2932-2941, 2006	232	2006
Accelerated life test of high brightness light emitting diodes L Trevisanello, M Meneghini, G Mura, M Vanzi, M Pavesi, G Meneghesso, ... IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 8 (2), 304-311, 2008	214	2008
Buffer traps in Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs: Investigation of the physical properties based on pulsed and transient measurements M Meneghini, I Rossetto, D Bisi, A Stocco, A Chini, A Pantellini, C Lanzieri, ... IEEE Transactions on Electron Devices 61 (12), 4070-4077, 2014	190	2014
Investigation of trapping and hot-electron effects in GaN HEMTs by means of a combined electrooptical method M Meneghini, N Ronchi, A Stocco, G Meneghesso, UK Mishra, Y Pei, ... IEEE transactions on electron devices 58 (9), 2996-3003, 2011	188	2011
Technology and reliability of normally-off GaN HEMTs with p-type gate M Meneghini, O Hilt, J Wuerfl, G Meneghesso Energies 10 (2), 153, 2017	179	2017
AlGaN/GaN-based HEMTs failure physics and reliability: Mechanisms affecting gate edge and Schottky junction E Zanoni, M Meneghini, A Chini, D Marcon, G Meneghesso IEEE Transactions on Electron Devices 60 (10), 3119-3131, 2013	176	2013
A combined electro-optical method for the determination of the recombination parameters in InGaN-based light-emitting diodes M Meneghini, N Trivellin, G Meneghesso, E Zanoni, U Zehnder, B Hahn Journal of Applied Physics 106 (11), 2009	172	2009
Investigation of high-electric-field degradation effects in AlGaN/GaN HEMTs M Faqir, G Verzellesi, G Meneghesso, E Zanoni, F Fantini IEEE Transactions on Electron Devices 55 (7), 1592-1602, 2008	166	2008
Reliability and parasitic issues in GaN-based power HEMTs: A review G Meneghesso, M Meneghini, I Rossetto, D Bisi, S Stoffels, M Van Hove, ... Semiconductor Science and Technology 31 (9), 093004, 2016	159	2016
Time-dependent failure of GaN-on-Si power HEMTs with p-GaN gate I Rossetto, M Meneghini, O Hilt, E Bahat-Treidel, C De Santi, S Dalcanale, ... IEEE Transactions on Electron Devices 63 (6), 2334-2339, 2016	159	2016
Time-dependent degradation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors under reverse bias M Meneghini, A Stocco, M Bertin, D Marcon, A Chini, G Meneghesso, ... Applied Physics Letters 100 (3), 2012	156	2012

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς