Heejun Yang

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	7813	4606
h-index	36	30
i10-index	88	68

1100

550

275

825

20112012201320142015201620172018201920202021202220232024202538 107 218 273 317 466 493 575 644 704 801 881 957 1067 194

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

9 άρθρα

0 άρθρα*

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Hyun-Jong ChungKonkuk UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα konkuk.ac.kr
Jinseong HeoSamsung Advanced Institute of TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα samsung.com
Linfeng SUNProfessor, Beijing Institute of TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα bit.edu.cn
Dohyun KimDepartment of PhysicsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaist.ac.kr
Sera KimASML,Sungkyunkwan UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα skku.edu
Shoujun ZhengBeijing Institute of Technology, School of PhysicsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα bit.edu.cn
Yonas Assefa EshetePeter Grunberg institute (PGI), Forschungszentrum JuelichΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα fz-juelich.de
Mali ZhaoAssistant professor, Tongji UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tongji.edu.cn
pierre seneorUnité Mixte de Physique CNRS/Thales, Université de Paris SudΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cnrs-thales.fr
Woohyun ChoPh.D Candidate, KAISTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaist.ac.kr
Yanggeun JooPh.D candidate, Physics, KAIST, KoreaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaist.ac.kr
Heemyoung HongPh.D candidate, Physics, KAIST, KoreaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaist.ac.kr
Dong-Wook KimProfessor of Physics Department, Ewha Womans University, Seoul 03760, KoreaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ewha.ac.kr
Yongsoo YangDepartment of Physics, KAISTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaist.ac.kr
Sangsu YerKAIST Ph.D. studentΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaist.ac.kr
Jaehun ChaPh.D Candidate, KAISTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaist.ac.kr
Se Kwon KimDepartment of Physics, KAISTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaist.ac.kr

Παρακολούθηση

Heejun Yang

Professor, KAIST Physics, Korea

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα kaist.ac.kr - Αρχική σελίδα

Condensed Matter Physics 2D Materials Semiconductor Devices


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Phase patterning for ohmic homojunction contact in MoTe2 S Cho, S Kim, JH Kim, J Zhao, J Seok, DH Keum, J Baik, DH Choe, ... Science 349 (6248), 625-628, 2015	1188	2015
Graphene barristor, a triode device with a gate-controlled Schottky barrier H Yang, J Heo, S Park, HJ Song, DH Seo, KE Byun, P Kim, IK Yoo, ... Science 336 (6085), 1140-1143, 2012	1134	2012
Bandgap opening in few-layered monoclinic MoTe₂ DH Keum, S Cho, JH Kim, DH Choe, HJ Sung, M Kan, H Kang, JY Hwang, ... Nature Physics 11 (6), 482-486, 2015	1053	2015
Structural and quantum-state phase transitions in van der Waals layered materials H Yang, SW Kim, M Chhowalla, YH Lee Nature Physics 13 (10), 931-937, 2017	386	2017
In-sensor reservoir computing for language learning via two-dimensional memristors L Sun, Z Wang, J Jiang, Y Kim, B Joo, S Zheng, S Lee, WJ Yu, BS Kong, ... Science advances 7 (20), eabg1455, 2021	299	2021
Self-selective van der Waals heterostructures for large scale memory array L Sun, Y Zhang, G Han, G Hwang, J Jiang, B Joo, K Watanabe, ... Nature communications 10 (1), 3161, 2019	203	2019
Synaptic computation enabled by joule heating of single-layered semiconductors for sound localization L Sun, Y Zhang, G Hwang, J Jiang, D Kim, YA Eshete, R Zhao, H Yang Nano letters 18 (5), 3229-3234, 2018	172	2018
Graphene-passivated nickel as an oxidation-resistant electrode for spintronics B Dlubak, MB Martin, RS Weatherup, H Yang, C Deranlot, R Blume, ... ACS nano 6 (12), 10930-10934, 2012	166	2012
Quantum interference channeling at graphene edges H Yang, AJ Mayne, M Boucherit, G Comtet, G Dujardin, Y Kuk Nano letters 10 (3), 943-947, 2010	141	2010
Sub-nanometer atomic layer deposition for spintronics in magnetic tunnel junctions based on graphene spin-filtering membranes MB Martin, B Dlubak, RS Weatherup, H Yang, C Deranlot, ... Acs Nano 8 (8), 7890-7895, 2014	136	2014
Graphene for true ohmic contact at metal–semiconductor junctions KE Byun, HJ Chung, J Lee, H Yang, HJ Song, J Heo, DH Seo, S Park, ... Nano letters 13 (9), 4001-4005, 2013	124	2013
Active hydrogen evolution through lattice distortion in metallic MoTe2 J Seok, JH Lee, S Cho, B Ji, HW Kim, M Kwon, D Kim, YM Kim, SH Oh, ... 2D Materials 4 (2), 025061, 2017	120	2017
Nonmonotonic temperature dependent transport in graphene grown by chemical vapor deposition J Heo, HJ Chung, SH Lee, H Yang, DH Seo, JK Shin, UI Chung, S Seo, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 84 (3), 035421, 2011	106	2011
Protecting nickel with graphene spin-filtering membranes: A single layer is enough MB Martin, B Dlubak, RS Weatherup, M Piquemal-Banci, H Yang, ... Applied Physics Letters 107 (1), 2015	94	2015
Long-Range Lattice Engineering of MoTe₂ by a 2D Electride S Kim, S Song, J Park, HS Yu, S Cho, D Kim, J Baik, DH Choe, KJ Chang, ... Nano letters 17 (6), 3363-3368, 2017	91	2017
Band gap opening by two-dimensional manifestation of Peierls instability in graphene SH Lee, HJ Chung, J Heo, H Yang, J Shin, UI Chung, S Seo Acs Nano 5 (4), 2964-2969, 2011	89	2011
Passivation of metal surface states: microscopic origin for uniform monolayer graphene by low temperature chemical vapor deposition I Jeon, H Yang, SH Lee, J Heo, DH Seo, J Shin, UI Chung, ZG Kim, ... Acs Nano 5 (3), 1915-1920, 2011	83	2011
Recent progress in synaptic devices based on 2D materials L Sun, W Wang, H Yang Advanced Intelligent Systems 2 (5), 1900167, 2020	75	2020
Ultralow switching voltage slope based on two-dimensional materials for integrated memory and neuromorphic applications L Sun, G Hwang, W Choi, G Han, Y Zhang, J Jiang, S Zheng, K Watanabe, ... Nano Energy 69, 104472, 2020	66	2020
Patterning of ferroelectric nanodot arrays using a silicon nitride shadow mask HJ Shin, JH Choi, HJ Yang, YD Park, Y Kuk, CJ Kang Applied Physics Letters 87 (11), 2005	60	2005

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς