Simone Assali

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	2529	1694
h-index	27	24
i10-index	40	37

460

230

115

345

201320142015201620172018201920202021202220232024202523 47 73 127 172 177 209 253 282 352 304 460 43

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

45 άρθρα

11 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Oussama MoutanabbirΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα polymtl.ca
Sebastian KoellingPolytechnique MontréalΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα polymtl.ca
Erik BakkersΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tue.nl
Marcel A VerheijenEindhoven University of TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tue.nl
J.E.M.HaverkortTechnische Universiteit EindhovenΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tue.nl
Ilaria ZardoDepartment of Physics - University of BaselΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unibas.ch
Friedhelm BechstedtProfessor für Festkörpertheorie, Friedrich Schiller Universität JenaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ifto.physik.uni-jena.de
Dominik KriegnerScientist at Institute of Physics of the Czech Academy of SciencesΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα fzu.cz
Alain DijkstraPostdoctoral Researcher, Technical University of MunichΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα wsi.tum.de
Sébastien PlissardLAAS, CNRS, Université de ToulouseΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα laas.fr
Samik MukherjeeAssistant Professor at the Jio Institute, Navi Mumbai, IndiaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα jioinstitute.edu.in
Paul KoenraadEindhoven University of TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tue.nl
Martino PoggioProfessor of Physics, Director of Swiss Nanoscience Institute (SNI), University of BaselΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unibas.ch

Παρακολούθηση

Simone Assali

CEA-IRIG/PHELIQS Grenoble

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cea.fr - Αρχική σελίδα

Epitaxial growth Thin films and Nanomaterials Optical spectroscopy Silicon photonics Quantum materials


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Direct band gap wurtzite gallium phosphide nanowires S Assali, I Zardo, S Plissard, D Kriegner, MA Verheijen, G Bauer, ... Nano letters 13 (4), 1559-1563, 2013	368	2013
Hexagonal silicon realized HIT Hauge, MA Verheijen, S Conesa-Boj, T Etzelstorfer, M Watzinger, ... Nano letters 15 (9), 5855-5860, 2015	207	2015
Efficient water reduction with gallium phosphide nanowires A Standing, S Assali, L Gao, MA Verheijen, D Van Dam, Y Cui, ... Nature communications 6 (1), 7824, 2015	189	2015
Monolithic infrared silicon photonics: The rise of (Si) GeSn semiconductors O Moutanabbir, S Assali, X Gong, E O'Reilly, CA Broderick, B Marzban, ... Applied Physics Letters 118 (11), 2021	148	2021
Atomic layer deposition of Pd and Pt nanoparticles for catalysis: on the mechanisms of nanoparticle formation AJM Mackus, MJ Weber, NFW Thissen, D Garcia-Alonso, RHJ Vervuurt, ... Nanotechnology 27 (3), 034001, 2015	117	2015
Enhanced Sn incorporation in GeSn epitaxial semiconductors via strain relaxation S Assali, J Nicolas, O Moutanabbir Journal of Applied Physics 125 (2), 2019	105	2019
Growth and Optical Properties of Direct Band Gap Ge/Ge_0.87Sn_0.13 Core/Shell Nanowire Arrays S Assali, A Dijkstra, A Li, S Koelling, MA Verheijen, L Gagliano, ... Nano letters 17 (3), 1538-1544, 2017	103	2017
Atomically uniform Sn-rich GeSn semiconductors with 3.0–3.5 μm room-temperature optical emission S Assali, J Nicolas, S Mukherjee, A Dijkstra, O Moutanabbir Applied Physics Letters 112 (25), 2018	96	2018
All‐Group IV Transferable Membrane Mid‐Infrared Photodetectors MRM Atalla, S Assali, A Attiaoui, C Lemieux‐Leduc, A Kumar, S Abdi, ... Advanced Functional Materials 31 (3), 2006329, 2021	83	2021
Exploring crystal phase switching in GaP nanowires S Assali, L Gagliano, DS Oliveira, MA Verheijen, SR Plissard, LF Feiner, ... Nano Letters 15 (12), 8062-8069, 2015	74	2015
High-bandwidth extended-SWIR GeSn photodetectors on silicon achieving ultrafast broadband spectroscopic response MRM Atalla, S Assali, S Koelling, A Attiaoui, O Moutanabbir Acs Photonics 9 (4), 1425-1433, 2022	67	2022
Optical properties of strained wurtzite gallium phosphide nanowires J Greil, S Assali, Y Isono, A Belabbes, F Bechstedt, FO Valega Mackenzie, ... Nano letters 16 (6), 3703-3709, 2016	53	2016
Atom-by-atom analysis of semiconductor nanowires with parts per million sensitivity S Koelling, A Li, A Cavalli, S Assali, D Car, S Gazibegovic, E Bakkers, ... Nano letters 17 (2), 599-605, 2017	51	2017
Optical study of the band structure of wurtzite GaP nanowires S Assali, J Greil, I Zardo, A Belabbes, MWA De Moor, S Koelling, ... Journal of Applied Physics 120 (4), 2016	50	2016
Enhanced GeSn microdisk lasers directly released on Si Y Kim, S Assali, D Burt, Y Jung, HJ Joo, M Chen, Z Ikonic, O Moutanabbir, ... Advanced Optical Materials 10 (2), 2101213, 2022	47	2022
Dislocation pipe diffusion and solute segregation during the growth of metastable GeSn J Nicolas, S Assali, S Mukherjee, A Lotnyk, O Moutanabbir Crystal Growth & Design 20 (5), 3493-3498, 2020	47	2020
Vacancy complexes in nonequilibrium germanium-tin semiconductors S Assali, M Elsayed, J Nicolas, MO Liedke, A Wagner, M Butterling, ... https://doi.org/10.1063/1.5108878, 2019	45	2019
Unit cell structure of the wurtzite phase of GaP nanowires: X-ray diffraction studies and density functional theory calculations D Kriegner, S Assali, A Belabbes, T Etzelstorfer, V Holý, T Schülli, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 88 (11), 115315, 2013	44	2013
1D photonic crystal direct bandgap GeSn-on-insulator laser HJ Joo, Y Kim, D Burt, Y Jung, L Zhang, M Chen, SJ Parluhutan, DH Kang, ... Applied Physics Letters 119 (20), 2021	42	2021
Critical strain for Sn incorporation into spontaneously graded Ge/GeSn core/shell nanowires M Albani, S Assali, MA Verheijen, S Koelling, R Bergamaschini, F Pezzoli, ... Nanoscale 10 (15), 7250-7256, 2018	42	2018

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς