Mark Lundstrom

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	38621	6817
h-index	86	41
i10-index	287	120

2300

1150

575

1725

1989199019911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025154 208 159 174 291 240 272 222 188 215 175 226 208 325 584 884 1155 1345 1407 1847 1868 1983 1958 1807 2263 1972 1847 2069 1792 1784 1668 1532 1466 1294 1211 1129 184

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

20 άρθρα

3 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Supriyo DattaProfessor, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Jing GuoProfessor, University of FloridaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ufl.edu
Gerhard KlimeckProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Muhammad Ashraful AlamJai N. Gupta Distinguished Professor of Electrical Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Dmitri E. NikonovDistinguished Engineer, Kepler ComputingΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα intel.com
Ali JaveyProfessor of Electrical Engineering and Computer Sciences, UC BerkeleyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα berkeley.edu
Jesse MaassenAssociate Professor of Physics, Dalhousie UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα dal.ca
Neophytos NeophytouSchool of Engineering, University of WarwickΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα warwick.ac.uk
Changwook JeongAssociate Professor, Graduate School of Semicondutor Materials and Devices Engineering, UNISTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unist.ac.kr
Hongjie DaiProfessor of chemistry, stanford universityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα stanford.edu
Jing WangNVIDIA CorporationΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nvidia.com
Xufeng WangPurdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
RASEONG KIMIntel CorporationΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα intel.com
Jeffery L. GrayAssociate Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu
Tony LowU of Minnesota, IBM Research, Columbia U, Purdue U, National U SingaporeΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα us.ibm.com
Mathieu LuisierETH ZurichΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα iis.ee.ethz.ch
James E. MooreSolAero TechnologiesΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα rocketlabusa.com
Richard AhrenkielFellow Emeritus, National Renewable Energy LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nrel.gov
M. P. AnantramUniversity of WashingtonΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uw.edu
Gengchiau LiangNational Yang Ming Chiao Tung UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nycu.edu.tw

Παρακολούθηση

Mark Lundstrom

Professor of Electrical and Computer Engineering, Purdue University

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα purdue.edu - Αρχική σελίδα

electronic devices and materials


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Ballistic carbon nanotube field-effect transistors A Javey, J Guo, Q Wang, M Lundstrom, H Dai nature 424 (6949), 654-657, 2003	4135	2003
Fundamentals of carrier transport, 2nd edn M Lundstrom Measurement Science and Technology 13 (2), 230-230, 2002	2545	2002
High-κ dielectrics for advanced carbon-nanotube transistors and logic gates A Javey, H Kim, M Brink, Q Wang, A Ural, J Guo, P McIntyre, P McEuen, ... Nature materials 1 (4), 241-246, 2002	1435	2002
Sub-10 nm carbon nanotube transistor AD Franklin, M Luisier, SJ Han, G Tulevski, CM Breslin, L Gignac, ... Nano letters 12 (2), 758-762, 2012	1154	2012
Theory of ballistic nanotransistors A Rahman, J Guo, S Datta, MS Lundstrom IEEE Transactions on Electron devices 50 (9), 1853-1864, 2003	993	2003
High-field quasiballistic transport in short carbon nanotubes A Javey, J Guo, M Paulsson, Q Wang, D Mann, M Lundstrom, H Dai Physical Review Letters 92 (10), 106804, 2004	812	2004
Elementary scattering theory of the Si MOSFET M Lundstrom IEEE Electron Device Letters 18 (7), 361-363, 1997	797	1997
Carbon nanotube field-effect transistors with integrated ohmic contacts and high-κ gate dielectrics A Javey, J Guo, DB Farmer, Q Wang, D Wang, RG Gordon, M Lundstrom, ... Nano Letters 4 (3), 447-450, 2004	789	2004
Self-aligned ballistic molecular transistors and electrically parallel nanotube arrays A Javey, J Guo, DB Farmer, Q Wang, E Yenilmez, RG Gordon, ... Nano letters 4 (7), 1319-1322, 2004	758	2004
Anisotropic in-plane thermal conductivity observed in few-layer black phosphorus Zhe Luo, Jesse Maassen, Yexin Deng, Yuchen Du, Mark S. Lundstrom, Peide D ... Nature Comm. 6, 2015	738	2015
Moore's law forever? M Lundstrom Science 299 (5604), 210-211, 2003	735	2003
Essential physics of carrier transport in nanoscale MOSFETs M Lundstrom, Z Ren IEEE Transactions on Electron Devices 49 (1), 133-141, 2002	734	2002
Simulating quantum transport in nanoscale transistors: Real versus mode-space approaches R Venugopal, Z Ren, S Datta, MS Lundstrom, D Jovanovic Journal of Applied physics 92 (7), 3730-3739, 2002	594	2002
Nanoscale transistors: device physics, modeling and simulation M Lundstrom, J Guo Springer Science & Business Media, 2006	591	2006
Performance comparison between pin tunneling transistors and conventional MOSFETs SO Koswatta, MS Lundstrom, DE Nikonov IEEE Transactions on Electron Devices 56 (3), 456-465, 2009	497	2009
A three-dimensional quantum simulation of silicon nanowire transistors with the effective-mass approximation J Wang, E Polizzi, M Lundstrom Journal of Applied Physics 96 (4), 2192-2203, 2004	458	2004
Modeling of nanoscale devices MP Anantram, MS Lundstrom, DE Nikonov Proceedings of the IEEE 96 (9), 1511-1550, 2008	423	2008
A numerical study of scaling issues for Schottky-barrier carbon nanotube transistors J Guo, S Datta, M Lundstrom IEEE transactions on electron devices 51 (2), 172-177, 2004	405	2004
Performance projections for ballistic carbon nanotube field-effect transistors J Guo, M Lundstrom, S Datta Applied physics letters 80 (17), 3192-3194, 2002	392	2002
nanoMOS 2.5: A two-dimensional simulator for quantum transport in double-gate MOSFETs Z Ren, R Venugopal, S Goasguen, S Datta, MS Lundstrom IEEE Transactions on Electron Devices 50 (9), 1914-1925, 2003	379	2003

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς