Joseph A. Stroscio

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	16995	2397
h-index	58	29
i10-index	103	49

740

370

185

555

198619871988198919901991199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202546 126 189 200 248 277 314 422 349 406 435 443 468 401 370 356 324 331 305 323 363 358 421 428 600 644 737 709 690 649 682 634 671 539 567 513 494 413 372 38

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

11 άρθρα

1 άρθρο

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Robert CelottaCenter for Nanoscale Science and Technology, NISTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nist.gov
Phillip N FirstGeorgia Institute of TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα gatech.edu
Randall FeenstraProfessor of Physics, Carnegie Mellon UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cmu.edu
Daniel T. PierceCenter for Nanoscale Science and Technology, National Institute of Standards and TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nist.gov
Nikolai ZhitenevNISTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nist.gov
Young KukProfessor emeritus, Seoul National UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα phya.snu.ac.kr
Walt A de HeerRegents Professor of Physics, Georgia Institute of Technology and TICNN, Tianjin University, TianjinΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physics.gatech.edu
Mark StilesFellow, National Institute of Standards and TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nist.gov
Young Jae SongAssociate Professor, Sungkyunkwan University(SKKU), Suwon, KoreaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα skku.edu
Nikolai N. KlimovPhysicist, Sensor Science Division, Physical Measurement Laboratory, NISTΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nist.gov
Ming RuanMcKinsey & CompanyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mckinsey.com
D. B. NewellNational Institute of Standards and TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nist.gov
Fabian Donat NattererUniversity of ZurichΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uzh.ch
Simon R BareSLAC National Accelerator LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα slac.stanford.edu
William CullenUniversity of MarylandΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physics.umd.edu
Tong ZhangProfessor, Fudan UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα fudan.edu.cn
Jon WyrickΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nist.gov
Zhao YueSouthern University of Science and TechnologyΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα sustech.edu.cn
Mats PerssonDepartment of Chemistry, The University of LiverpoolΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα liv.ac.uk
Teng LiKeystone Professor, Department of Mechanical Engineering, University of Maryland, College ParkΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα umd.edu

Παρακολούθηση

Joseph A. Stroscio

Center for Nanoscale Science and Technology, National Institute of Standards and Technology

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nist.gov


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Atomic and molecular manipulation with the scanning tunneling microscope JA Stroscio, DM Eigler Science 254 (5036), 1319-1326, 1991	1341	1991
Scattering and interference in epitaxial graphene GM Rutter, JN Crain, NP Guisinger, T Li, PN First, JA Stroscio Science 317 (5835), 219-222, 2007	959	2007
Tunneling spectroscopy of the Si (111) 2× 1 surface RM Feenstra, JA Stroscio, AP Fein Surface science 181 (1-2), 295-306, 1987	869	1987
Electronic structure of the Si (111) 2× 1 surface by scanning-tunneling microscopy JA Stroscio, RM Feenstra, AP Fein Physical review letters 57 (20), 2579, 1986	823	1986
Atom-selective imaging of the GaAs (110) surface RM Feenstra, JA Stroscio, J Tersoff, AP Fein Physical Review Letters 58 (12), 1192, 1987	798	1987
Scanning tunneling microscopy JA Stroscio, WJ Kaiser Academic press, 1993	636	1993
Observing the quantization of zero mass carriers in graphene DL Miller, KD Kubista, GM Rutter, M Ruan, WA de Heer, PN First, ... science 324 (5929), 924-927, 2009	606	2009
Tunneling spectroscopy of the GaAs (110) surface RM Feenstra, JA Stroscio Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics Processing and …, 1987	545	1987
Manipulation of adsorbed atoms and creation of new structures on room-temperature surfaces with a scanning tunneling microscope LJ Whitman, JA Stroscio, RA Dragoset, RJ Celotta Science 251 (4998), 1206-1210, 1991	386	1991
Homoepitaxial growth of iron and a real space view of reflection-high-energy-electron diffraction JA Stroscio, DT Pierce, RA Dragoset Physical review letters 70 (23), 3615, 1993	384	1993
Scaling of diffusion-mediated island growth in iron-on-iron homoepitaxy JA Stroscio, DT Pierce Physical Review B 49 (12), 8522, 1994	375	1994
Electromechanical properties of graphene drumheads NN Klimov, S Jung, S Zhu, T Li, CA Wright, SD Solares, DB Newell, ... Science 336 (6088), 1557-1561, 2012	355	2012
Controlling the dynamics of a single atom in lateral atom manipulation JA Stroscio, RJ Celotta Science 306 (5694), 242-247, 2004	355	2004
Tunneling spectroscopy of bcc (001) surface states JA Stroscio, DT Pierce, A Davies, RJ Celotta, M Weinert Physical Review Letters 75 (16), 2960, 1995	355	1995
Coarsening of unstable surface features during Fe (001) homoepitaxy JA Stroscio, DT Pierce, MD Stiles, A Zangwill, LM Sander Physical review letters 75 (23), 4246, 1995	312	1995
Local state density and long-range screening of adsorbed oxygen atoms on the GaAs (110) surface JA Stroscio, RM Feenstra, AP Fein Physical review letters 58 (16), 1668, 1987	307	1987
Epitaxial graphenes on silicon carbide PN First, WA de Heer, T Seyller, C Berger, JA Stroscio, JS Moon MRS bulletin 35 (4), 296-305, 2010	295	2010
Experimental Evidence for -Wave Pairing Symmetry in Superconducting <?format ?>Single Crystals Using a Scanning Tunneling Microscope N Levy, T Zhang, J Ha, F Sharifi, AA Talin, Y Kuk, JA Stroscio Physical review letters 110 (11), 117001, 2013	270	2013
Imaging the interface of epitaxial graphene with silicon carbide via scanning tunneling microscopy GM Rutter, NP Guisinger, JN Crain, EAA Jarvis, MD Stiles, T Li, PN First, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 76 (23), 235416, 2007	260	2007
Asymmetries in dislocation densities, surface morphology, and strain of GaInAs/GaAs single heterolayers KL Kavanagh, MA Capano, LW Hobbs, JC Barbour, PMJ Maree, W Schaff, ... Journal of applied physics 64 (10), 4843-4852, 1988	256	1988

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς