K. E. J. Goh

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	3278	2072
h-index	30	23
i10-index	74	51

540

270

135

405

20052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202513 30 63 68 94 56 125 95 98 73 66 61 63 89 202 290 366 414 398 525 77

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

38 άρθρα

18 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Fabio BussolottiIMRE, A-STAR, SingaporeΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imre.a-star.edu.sg
Alex HamiltonProfessor of Physics, UNSWΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα unsw.edu.au
Frank RuessGoogleΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα google.com
Aaron Chit Siong LauSenior Scientist II @ IMRE, Adjunct Assistant Professor @SUTDΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imre.a-star.edu.sg
Cedric TroadecInstitute of Materials Research and Engineering, SingaporeΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imre.a-star.edu.sg
Calvin Pei Yu WongInstitute of Materials Research and EngineeringΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imre.a-star.edu.sg
Zi En OoiInstitute of Materials Research and Engineering (IMRE)Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imre.a-star.edu.sg
Andrew T S WeeDepartment of Physics, National University of SingaporeΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nus.edu.sg
Toby HallamLecturerΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα newcastle.ac.uk
Michel BosmanNational University of SingaporeΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα nus.edu.sg
Neil CursonProfessor of Nanoelectronics, London Centre for Nanotechnology, UCLΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ucl.ac.uk
KL PEYProfessor, Singapore University of Technology and DesignΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα sutd.edu.sg
Bent WeberNanyang Technological UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ntu.edu.sg
CHI DongzhiPrincipal Scientist, Institute of Materials Research and EngineeringΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imre.a-star.edu.sg
Yu Li HuangJoint school of NUS-TJU, IMRE, A*STAR and Physics, NUSΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tjufz.org.cn
Shi Wun TongInstitute of Materials Research and EngineeringΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imre.a-star.edu.sg
Shijie WangInstitute of Materials Research and EngineeringΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imre.a-star.edu.sg
P.K. Johnny Wong (黄炳钧)Senior Scientific Editor, Newton@Cell PressΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cell.com
Yee Sin AngAssistant Professor, Singapore University of Technology and DesignΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα sutd.edu.sg
Steven R. SchofieldUniversity College LondonΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ucl.ac.uk

Παρακολούθηση

K. E. J. Goh

IMRE

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα imre.a-star.edu.sg - Αρχική σελίδα

Physics nanotechnology low-dimensional transport quantum effects


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Electrically conductive filament for 3D-printed circuits and sensors SW Kwok, KHH Goh, ZD Tan, STM Tan, WW Tjiu, JY Soh, ZJG Ng, ... Applied Materials Today 9, 167-175, 2017	360	2017
Toward atomic-scale device fabrication in silicon using scanning probe microscopy FJ Ruess, L Oberbeck, MY Simmons, KEJ Goh, AR Hamilton, T Hallam, ... Nano Letters 4 (10), 1969-1973, 2004	217	2004
Evidence of spin frustration in a vanadium diselenide monolayer magnet PKJ Wong, W Zhang, F Bussolotti, X Yin, TS Herng, L Zhang, YL Huang, ... Advanced materials 31 (23), 1901185, 2019	158	2019
Far out-of-equilibrium spin populations trigger giant spin injection into atomically thin MoS2 L Cheng, X Wang, W Yang, J Chai, M Yang, M Chen, Y Wu, X Chen, ... Nature Physics 15, 347-351, 2019	153	2019
Realization of atomically controlled dopant devices in silicon FJ Rueß, W Pok, TCG Reusch, MJ Butcher, KEJ Goh, L Oberbeck, ... Small 3 (4), 563-567, 2007	143	2007
Can Reconstructed Se‐Deficient Line Defects in Monolayer VSe₂ Induce Magnetism? R Chua, J Yang, X He, X Yu, W Yu, F Bussolotti, PKJ Wong, KP Loh, ... Advanced Materials 32 (24), 2000693, 2020	111	2020
Modification of Vapor Phase Concentrations in MoS₂ Growth Using a NiO Foam Barrier YF Lim, K Priyadarshi, F Bussolotti, PK Gogoi, X Cui, M Yang, J Pan, ... ACS nano 12 (2), 1339-1349, 2018	90	2018
Roadmap on finding chiral valleys: screening 2D materials for valleytronics F Bussolotti, H Kawai, ZE Ooi, V Chellappan, D Thian, ALC Pang, ... Nano Futures 2 (3), 032001, 2018	89	2018
Influence of doping density on electronic transport in degenerate Si:P -doped layers KEJ Goh, L Oberbeck, MY Simmons, AR Hamilton, MJ Butcher Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 73 (3), 035401, 2006	87	2006
Interlayer interactions in 2D WS 2/MoS 2 heterostructures monolithically grown by in situ physical vapor deposition W Yang, H Kawai, M Bosman, B Tang, J Chai, W Le Tay, J Yang, HL Seng, ... Nanoscale 10 (48), 22927-22936, 2018	84	2018
Effect of encapsulation temperature on Si: P δ-doped layers KEJ Goh, L Oberbeck, MY Simmons, AR Hamilton, RG Clark Applied physics letters 85 (21), 4953-4955, 2004	68	2004
Metallic 1T Phase, 3d¹ Electronic Configuration and Charge Density Wave Order in Molecular Beam Epitaxy Grown Monolayer Vanadium Ditelluride PKJ Wong, W Zhang, J Zhou, F Bussolotti, X Yin, L Zhang, AT N’Diaye, ... ACS nano 13 (11), 12894-12900, 2019	65	2019
Electrical Doping Effect of Vacancies on Monolayer MoS₂ J Yang, H Kawai, CPY Wong, KEJ Goh The Journal of Physical Chemistry C 123 (5), 2933-2939, 2019	60	2019
Scanning probe microscopy for silicon device fabrication MY Simmons, FJ Ruess, KEJ Goh, T Hallam, SR Schofield, L Oberbeck, ... Molecular Simulation 31 (6-7), 505-515, 2005	60	2005
Single layer MoS2 nanoribbon field effect transistor D Kotekar-Patil, J Deng, SL Wong, CS Lau, KEJ Goh Applied Physics Letters 114 (1), 2019	56	2019
Electron-electron interactions in highly disordered two-dimensional systems KEJ Goh, MY Simmons, AR Hamilton Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 77 (23), 235410, 2008	55	2008
One-dimensional conduction properties of highly phosphorus-doped planar nanowires patterned by scanning probe microscopy FJ Ruess, B Weber, KEJ Goh, O Klochan, AR Hamilton, MY Simmons Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 76 (8), 085403, 2007	52	2007
Electronic properties of atomically abrupt tunnel junctions in silicon FJ Ruess, W Pok, KEJ Goh, AR Hamilton, MY Simmons Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 75 (12), 121303, 2007	49	2007
Quantum Transport in Two-Dimensional WS₂ with High-Efficiency Carrier Injection through Indium Alloy Contacts CS Lau, JY Chee, YS Ang, SW Tong, L Cao, ZE Ooi, T Wang, LK Ang, ... ACS nano 14 (10), 13700-13708, 2020	46	2020
Electrically-excited surface plasmon polaritons with directionality control Z Dong, HS Chu, D Zhu, W Du, YA Akimov, WP Goh, T Wang, KEJ Goh, ... ACS photonics 2 (3), 385-391, 2015	44	2015

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς