Anupam Madhukar

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	17124	879
h-index	68	13
i10-index	225	29

760

380

190

570

1986198719881989199019911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025229 380 374 373 348 305 271 289 289 424 442 479 607 648 646 617 743 748 714 669 584 612 575 503 443 421 450 407 342 263 302 263 235 236 215 215 173 142 115 19

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

2 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Eui-Tae KimMaterials Science & Enginnering, Chungnam National UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cnu.ac.kr
Supratik GuhaUniversity of Chicago and Argonne National LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uchicago.edu
Siyuan LuXiaopeng MotorsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα xiaopeng.com
Joe CampbellProfessor Electrical and Computer Engineering, University of VirginiaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα virginia.edu
Dieter BimbergCIOMP of CAS, Changchun and TU BerlinΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physik.tu-berlin.de
Bruce KoelProfessor of Chemical and Biological Engineering, Princeton UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα princeton.edu
Priya VashishtaProfessor Materials Science, University of Southern CaliforniaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα usc.edu
Satishchandra B. OgaleIndian Institute of Science Education and Research, Pune and The Research Institute for SustainableΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα iiserpune.ac.in
Prof. Daniel H. RichDepartment of Physics, Ben-Gurion University of the Negev, Beer-Sheva, IsraelΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα bgu.ac.il
Axel HoffmannInstitute of Solid State Physics, Technical University of BerlinΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα tu-berlin.de
Marius GrundmannUniversität LeipzigΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα physik.uni-leipzig.de
Jiefei ZhangArgonne National LabΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα anl.gov
dojin kimchungnam national universityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cnu.ac.kr
Paul Messinaargonne national laboratory. Caltech, California Institute of Technology, CERNΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα anl.gov
Baris FidanProfessor, Mechanical and Mechatronics Engineering, University of WaterlooΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα uwaterloo.ca
Gail J BrownAir Force Research LaboratoryΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα us.af.mil
Nikolay LedentsovVI Systems GmbHΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα v-i-systems.com
B. Keith JenkinsProfessor of Electrical Engineering, University of Southern CaliforniaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα sipi.usc.edu
R. D. VisputeBlue Wave SemiconductorsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα bluewavesemi.com
Paulo S BranicioUniversity of Southern CaliforniaΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα usc.edu

Παρακολούθηση

Anupam Madhukar

University of Southern California

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα usc.edu - Αρχική σελίδα

Epitaxy Nanostructures Photonics Kinetic Monte Carlo


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Vertically self-organized InAs quantum box islands on GaAs (100) Q Xie, A Madhukar, P Chen, NP Kobayashi Physical review letters 75 (13), 2542, 1995	1736	1995
Onset of incoherency and defect introduction in the initial stages of molecular beam epitaxical growth of highly strained InxGa1− xAs on GaAs (100) S Guha, A Madhukar, KC Rajkumar Applied Physics Letters 57 (20), 2110-2112, 1990	884	1990
High-Resolution X-Ray Photoelectron Spectroscopy as a Probe of Local Atomic Structure: Application to Amorphous Si O 2 and the Si-Si O 2 Interface FJ Grunthaner, PJ Grunthaner, RP Vasquez, BF Lewis, J Maserjian, ... Physical Review Letters 43 (22), 1683, 1979	434	1979
Local atomic and electronic structure of oxide/GaAs and SiO₂/Si interfaces using high‐resolution XPS FJ Grunthaner, PJ Grunthaner, RP Vasquez, BF Lewis, J Maserjian, ... Journal of Vacuum Science and Technology 16 (5), 1443-1453, 1979	416	1979
Collective modes of spatially separated, two-component, two-dimensional plasma in solids SD Sarma, A Madhukar Physical Review B 23 (2), 805, 1981	382	1981
Nature of strained InAs three‐dimensional island formation and distribution on GaAs (100) A Madhukar, Q Xie, P Chen, A Konkar Applied physics letters 64 (20), 2727-2729, 1994	328	1994
Excited states and energy relaxation in stacked InAs/GaAs quantum dots R Heitz, A Kalburge, Q Xie, M Grundmann, P Chen, A Hoffmann, ... Physical Review B 57 (15), 9050, 1998	323	1998
Enhanced polar exciton-LO-phonon interaction in quantum dots R Heitz, I Mukhametzhanov, O Stier, A Madhukar, D Bimberg Physical review letters 83 (22), 4654, 1999	321	1999
In situ, atomic force microscope studies of the evolution of InAs three‐dimensional islands on GaAs (001) NP Kobayashi, TR Ramachandran, P Chen, A Madhukar Applied physics letters 68 (23), 3299-3301, 1996	292	1996
High detectivity InAs quantum dot infrared photodetectors ET Kim, A Madhukar, Z Ye, JC Campbell Applied Physics Letters 84 (17), 3277-3279, 2004	278	2004
InAs island‐induced‐strain driven adatom migration during GaAs overlayer growth Q Xie, P Chen, A Madhukar Applied physics letters 65 (16), 2051-2053, 1994	272	1994
Nanoparticle manipulation by mechanical pushing: underlying phenomena and real-time monitoring C Baur, A Bugacov, BE Koel, A Madhukar, N Montoya, TR Ramachandran, ... Nanotechnology 9 (4), 360, 1998	223	1998
Observation of reentrant 2D to 3D morphology transition in highly strained epitaxy: InAs on GaAs R Heitz, TR Ramachandran, A Kalburge, Q Xie, I Mukhametzhanov, ... Physical review letters 78 (21), 4071, 1997	214	1997
Independent manipulation of density and size of stress-driven self-assembled quantum dots I Mukhametzhanov, R Heitz, J Zeng, P Chen, A Madhukar Applied physics letters 73 (13), 1841-1843, 1998	205	1998
The nature of molecular beam epitaxial growth examined via computer simulations A Madhukar, SV Ghaisas Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences 14 (1), 1-130, 1988	193	1988
Normal incidence InAs/AlxGa1− xAs quantum dot infrared photodetectors with undoped active region Z Chen, O Baklenov, ET Kim, I Mukhametzhanov, J Tie, A Madhukar, Z Ye, ... Journal of Applied Physics 89 (8), 4558-4563, 2001	187	2001
Far from equilibrium vapour phase growth of lattice matched III–V compound semiconductor interfaces: Some basic concepts and monte-carlo computer simulations A Madhukar Surface Science 132 (1-3), 344-374, 1983	184	1983
Study of electron-phonon interaction and magneto-optical anomalies in two-dimensionally confined systems SD Sarma, A Madhukar Physical Review B 22 (6), 2823, 1980	172	1980
Study of electron-phonon interaction and magneto-optical anomalies in two-dimensionally confined systems SD Sarma, A Madhukar Physical Review B 22 (6), 2823, 1980	172	1980
Punctuated island growth: An approach to examination and control of quantum dot density, size, and shape evolution I Mukhametzhanov, Z Wei, R Heitz, A Madhukar Applied physics letters 75 (1), 85-87, 1999	169	1999

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς