Zhichao Yang

Παρατίθεται από

	Όλα	Από το 2020
Παραθέσεις	621	366
h-index	13	11
i10-index	19	13

140

105

20102011201220132014201520162017201820192020202120222023202420253 15 12 13 34 30 40 40 32 33 56 52 40 77 126 15

Δημόσια πρόσβαση

Προβολή όλων

3 άρθρα

2 άρθρα

διαθέσιμα

μη διαθέσιμα

Σύμφωνα με εντολές χρηματοδότησης

Συν-συγγραφείς

Siddharth RajanElectrical and Computer Engineering, Ohio State UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ece.osu.edu
Digbijoy NathAssociate Professor at Indian Institute of ScienceΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα iisc.ac.in
Paul K ChuChair Professor of Materials Engineering, City University of Hong KongΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα cityu.edu.hk
PIL SUNG PARKTechnology Development Center, Samsung ElectronicsΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα osu.edu
Jacob B KhurginJohns Hopkins UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα jhu.edu
Xh Zheng中国科学院上海位系统与信息技术研究所Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα mail.sim.ac.cn
Yuh-Renn WuProfessor of Electrical Engineering, National Taiwan UniversityΗ διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ntu.edu.tw
Lu YanApple Inc.Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα bu.edu

Παρακολούθηση

Zhichao Yang

Department of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State University

Η διεύθυνση ηλεκτρονικού ταχυδρομείου έχει επαληθευτεί στον τομέα ece.osu.edu

Hot Electron Transistors based on GaN Electron transport modeling


Τίτλος Ταξινόμηση με βάση τις αναφορές Ταξινόμηση κατά έτος Ταξινόμηση κατά τίτλο	Παρατίθεται από Παρατίθεται από	Έτος
Hafnium-based high-k gate dielectrics AP Huang, ZC Yang, PK Chu Advances in solid state circuits technologies, 333-350, 2010	111	2010
Graded AlGaN channel transistors for improved current and power gain linearity S Bajaj, Z Yang, F Akyol, PS Park, Y Zhang, AL Price, S Krishnamoorthy, ... IEEE Transactions on Electron Devices 64 (8), 3114-3119, 2017	96	2017
Unipolar vertical transport in GaN/AlGaN/GaN heterostructures DN Nath, ZC Yang, CY Lee, PS Park, YR Wu, S Rajan Applied Physics Letters 103 (2), 022102, 2013	68	2013
Word embedding perturbation for sentence classification D Zhang, Z Yang arXiv preprint arXiv:1804.08166, 2018	51	2018
Ohmic contact formation between metal and AlGaN/GaN heterostructure via graphene insertion P Sung Park, KM Reddy, DN Nath, Z Yang, NP Padture, S Rajan Applied Physics Letters 102 (15), 2013	41	2013
Role of interface dipole in metal gate/high-k effective work function modulation by aluminum incorporation ZC Yang, AP Huang, L Yan, ZS Xiao, XW Zhang, PK Chu, WW Wang Applied Physics Letters 94 (25), 2009	28	2009
BioInstruct: instruction tuning of large language models for biomedical natural language processing H Tran, Z Yang, Z Yao, H Yu Journal of the American Medical Informatics Association, ocae122, 2024	25	2024
Associations between natural language processing–enriched social determinants of health and suicide death among US veterans A Mitra, R Pradhan, RD Melamed, K Chen, DC Hoaglin, KL Tucker, ... JAMA network open 6 (3), e233079-e233079, 2023	25	2023
Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin-SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks XH Zheng, AP Huang, ZS Xiao, ZC Yang, M Wang, XW Zhang, WW Wang, ... Applied Physics Letters 97 (13), 2010	17	2010
Context variance evaluation of pretrained language models for prompt-based biomedical knowledge probing Z Yao, Y Cao, Z Yang, H Yu AMIA Summits on Translational Science Proceedings 2023, 592, 2023	14	2023
NoteChat: a dataset of synthetic doctor-patient conversations conditioned on clinical notes J Wang, Z Yao, Z Yang, H Zhou, R Li, X Wang, Y Xu, H Yu arXiv preprint arXiv:2310.15959, 2023	13	2023
UMASS_BioNLP at MEDIQA-Chat 2023: Can LLMs generate high-quality synthetic note-oriented doctor-patient conversations? J Wang, Z Yao, A Mitra, S Osebe, Z Yang, H Yu arXiv preprint arXiv:2306.16931, 2023	13	2023
Current gain in sub-10 nm base GaN tunneling hot electron transistors with AlN emitter barrier Z Yang, Y Zhang, DN Nath, JB Khurgin, S Rajan Applied Physics Letters 106 (3), 032101, 2015	13	2015
Flat-band voltage shift in metal-gate/high-k/Si stacks AP Huang, XH Zheng, ZS Xiao, ZC Yang, M Wang, KC Paul, XD Yang Chinese Physics B 20 (9), 097303, 2011	13	2011
Recovery of vanadium and nickel from spent-residue oil hydrotreating catalyst by direct acid leaching-solvent extraction Q Teng, ZC Yang, HJ Wang Transactions of Nonferrous Metals Society of China 33 (1), 325-336, 2023	12	2023
Fermi-Level Pinning at Metal/High-Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate ZC Yang, AP Huang, XH Zheng, ZS Xiao, XY Liu, XW Zhang, PK Chu, ... IEEE electron device letters 31 (10), 1101-1103, 2010	12	2010
New insights into the combination of Fe (III) and xanthan gum in dewatering of coal slurry: Molecular self-assembly Z Yang, Q Teng, Y Han, G Zhang, S Fang Fuel 332, 126205, 2023	11	2023
Current gain above 10 in sub-10 nm base III-Nitride tunneling hot electron transistors with GaN/AlN emitter Z Yang, Y Zhang, S Krishnamoorthy, DN Nath, JB Khurgin, S Rajan Appl. Phys. Lett. 108 (19), 192101, 2016	11	2016
SELF-EXPLAIN: Teaching Large Language Models to Reason Complex Questions by Themselves J Zhao, Z Yao, Z Yang, H Yu arXiv preprint arXiv:2311.06985, 2023	10	2023
Generating accurate electronic health assessment from medical graph Z Yang, H Yu Proceedings of the Conference on Empirical Methods in Natural Language …, 2020	9	2020

Δεν είναι δυνατή η εκτέλεση της ενέργειας από το σύστημα αυτή τη στιγμή. Προσπαθήστε ξανά αργότερα.

Άρθρα 1–20

Παραθέσεις ανά έτος

Διπλότυπες αναφορές

Συγχωνευμένες αναφορές

Προσθήκη από κοινού συγγραφέωνΣυν-συγγραφείς

Παρακολούθηση

Παρατίθεται από

Συν-συγγραφείς