Markus Hellenbrand

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Erik LindProfessor i nanoelektronik, Lunds UniversitetDirección de correo verificada de eit.lth.se
Wernersson Lars-ErikLund UniversityDirección de correo verificada de eit.lth.se
johannes svenssonResearcher, Lund UniversityDirección de correo verificada de eit.lth.se
Elvedin MemisevicNanofabrication Engineer, NQCP Niels Bohr Institute Copenhagen UniversityDirección de correo verificada de nbi.ku.dk
Judith MacManus-DriscollUniversity of CambridgeDirección de correo verificada de cam.ac.uk
Quanxi JiaUniversity at Buffalo - The State University of New York; Los Alamos National Laboratory (former)Dirección de correo verificada de buffalo.edu
Haiyan WangPurdue UniversityDirección de correo verificada de purdue.edu
Hongyi DouWestern DigitalDirección de correo verificada de purdue.edu
Aiping ChenCenter for Integrated Nanotechnologies, Los Alamos National Laboratory; JA at New Mexico ConsortiumDirección de correo verificada de lanl.gov
Reine WallenbergProfessor of Solid State Chemistry, Lund UniversityDirección de correo verificada de chem.lu.se
Axel R PerssonHöganäs ABDirección de correo verificada de hoganas.com
Zhang DiPostdoc of psychophysics, Telecom BretagneDirección de correo verificada de telecom-bretagne.eu
Ming XiaoUniversity of CambrigeDirección de correo verificada de cam.ac.uk
Saurabh SantETH ZurichDirección de correo verificada de ethz.ch
Andreas SchenkProfessor ETH ZurichDirección de correo verificada de iis.ee.ethz.ch
Sundar KunwarLos Alamos National LaboratoryDirección de correo verificada de lanl.gov
Abinaya KrishnarajaDoctoral student , Lund UniversityDirección de correo verificada de eit.lth.se
Babak BakhitUniversity of CambridgeDirección de correo verificada de cam.ac.uk
Cezar ZotaIBM ResearchDirección de correo verificada de zurich.ibm.com
Karl-Magnus PerssonVTT FinlandDirección de correo verificada de vtt.fi

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Markus Hellenbrand

Department of Materials Science & Metallurgy, University of Cambridge

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resistive memory MOS transistors oxide defects


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Vertical InAs/GaAsSb/GaSb tunneling field-effect transistor on Si with S = 48 mV/decade and I_on= 10 μA/μm for I_off= 1 nA/μm at V_ds= 0.3 V E Memisevic, J Svensson, M Hellenbrand, E Lind, LE Wernersson 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 19.1. 1-19.1. 4, 2016	139	2016
Individual defects in InAs/InGaAsSb/GaSb nanowire tunnel field-effect transistors operating below 60 mV/decade E Memisevic, M Hellenbrand, E Lind, AR Persson, S Sant, A Schenk, ... Nano letters 17 (7), 4373-4380, 2017	105	2017
Scaling of vertical InAs–GaSb nanowire tunneling field-effect transistors on Si E Memišević, J Svensson, M Hellenbrand, E Lind, LE Wernersson IEEE Electron Device Letters 37 (5), 549-552, 2016	71	2016
High-Performance Vertical III-V Nanowire MOSFETs on Si with gm> 3 mS/μm OP Kilpi, M Hellenbrand, J Svensson, AR Persson, RWE Lind, ... IEEE Electron Device Letters, 2020	35	2020
Electrical characterization and modeling of gate-last vertical InAs nanowire MOSFETs on Si M Berg, OP Kilpi, KM Persson, J Svensson, M Hellenbrand, E Lind, ... IEEE Electron Device Letters 37 (8), 966-969, 2016	35	2016
Impact of band-tails on the subthreshold swing of III-V tunnel field-effect transistor E Memisevic, E Lind, M Hellenbrand, J Svensson, LE Wernersson IEEE Electron Device Letters 38 (12), 1661-1664, 2017	31	2017
Protons: Critical Species for Resistive Switching in Interface‐Type Memristors S Kunwar, CB Somodi, RA Lalk, BX Rutherford, Z Corey, P Roy, D Zhang, ... Advanced Electronic Materials 9 (1), 2200816, 2023	29	2023
Low-Frequency Noise in III–V Nanowire TFETs and MOSFETs M Hellenbrand, E Memišević, M Berg, OP Kilpi, J Svensson, ... IEEE Electron Device Letters 38 (11), 1520-1523, 2017	24	2017
Ferroelectricity and negative piezoelectric coefficient in orthorhombic phase pure ZrO2 thin films JPB Silva, MC Istrate, M Hellenbrand, A Jan, MT Becker, J Symonowicz, ... Applied Materials Today 30, 101708, 2023	21	2023
Vertical nanowire III–V MOSFETs with improved high-frequency gain OP Kilpi, M Hellenbrand, J Svensson, E Lind, LE Wernersson Electronics Letters 56 (13), 669-671, 2020	19	2020
Low-frequency noise in nanowire and planar III-V MOSFETs M Hellenbrand, OP Kilpi, J Svensson, E Lind, LE Wernersson Microelectronic Engineering, 110986, 2019	19	2019
Multi-level resistive switching in hafnium-oxide-based devices for neuromorphic computing M Hellenbrand, J MacManus-Driscoll Nano Convergence 10 (1), 44, 2023	18	2023
Electroforming-Free HfO₂:CeO₂ Vertically Aligned Nanocomposite Memristors with Anisotropic Dielectric Response H Dou, X Gao, D Zhang, S Dhole, Z Qi, B Yang, MN Hasan, JH Seo, Q Jia, ... ACS Applied Electronic Materials 3 (12), 5278-5286, 2021	14	2021
Thin film design of amorphous hafnium oxide nanocomposites enabling strong interfacial resistive switching uniformity M Hellenbrand, B Bakhit, H Dou, M Xiao, MO Hill, Z Sun, A Mehonic, ... Science Advances 9 (25), eadg1946, 2023	13	2023
Engineering of Grain Boundaries in CeO₂ Enabling Tailorable Resistive Switching Properties H Dou, M Hellenbrand, M Xiao, Z Hu, S Kunwar, A Chen, ... Advanced Electronic Materials 9 (5), 2201186, 2023	13	2023
High performance, electroforming-free, thin film memristors using ionic Na 0.5 Bi 0.5 TiO 3 C Yun, M Webb, W Li, R Wu, M Xiao, M Hellenbrand, A Kursumovic, ... Journal of Materials Chemistry C 9 (13), 4522-4531, 2021	13	2021
Effects of traps in the gate stack on the small-signal RF response of III-V nanowire MOSFETs M Hellenbrand, E Lind, OP Kilpi, LE Wernersson Solid-State Electronics, 2020	12	2020
Capacitance Measurements in Vertical III–V Nanowire TFETs M Hellenbrand, E Memisevic, J Svensson, A Krishnaraja, E Lind, ... IEEE Electron Device Letters 39 (7), 943-946, 2018	11	2018
A Method for Determining Trap Distributions of Specific Channel Surfaces in InGaAs Tri-Gate MOSFETs S Netsu, M Hellenbrand, CB Zota, Y Miyamoto, E Lind IEEE Journal of the Electron Devices Society 6, 408-412, 2018	9	2018
1/f and RTS noise in InGaAs nanowire MOSFETs C Möhle, CB Zota, M Hellenbrand, E Lind Microelectronic Engineering 178, 52-55, 2017	9	2017

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