Zahia Bougrioua

Citado por

	Total	Desde 2020
Citas	2518	593
Índice h	30	11
Índice i10	66	17

160

120

19981999200020012002200320042005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202420257 15 22 31 35 72 54 81 85 103 97 112 124 121 131 114 151 119 130 93 102 110 90 106 137 129 109 22

Acceso público

Ver todo

4 artículos

5 artículos

disponibles

no disponibles

Basado en requisitos de financiación

Coautores

Eva MonroyCEA, IRIG, PHELIQS-NPSC, Grenoble, FranceDirección de correo verificada de cea.fr
Tomás PalaciosMITDirección de correo verificada de mit.edu
Ana Jiménez MartínAssociate Professor at University of AlcaláDirección de correo verificada de uah.es
Colin HumphreysQueen Mary University of LondonDirección de correo verificada de qmul.ac.uk
Christophe Gaquiereprofesseur université Lille 1Dirección de correo verificada de iemn.univ-lille1.fr
Pecz BEnergy Research Centre, MFA, Thin Film PhysicsDirección de correo verificada de mfa.kfki.hu
Maxime HuguesCRHEA-CNRSDirección de correo verificada de crhea.cnrs.fr
Piet DemeesterGhent University - imec (IDLab)Dirección de correo verificada de intec.ugent.be
S. J. C. IrvineProfessor, College of Engineering, Swansea UniversityDirección de correo verificada de swansea.ac.uk
Eric FeltinnovaganDirección de correo verificada de novagan.com
Nicolas BaronKnowmadeDirección de correo verificada de knowmade.fr
Richard JackmanUniversity College LondonDirección de correo verificada de ucl.ac.uk
Gilles ScheenINCIZE - HEPL - UCLouvainDirección de correo verificada de incize.com
Fernando B. NaranjoAssociate Professor at University of AlcaláDirección de correo verificada de depeca.uah.es
Katsikini M.Aristotle University of ThessalonikiDirección de correo verificada de auth.gr
Theodore D MoustakasBoston University, Electrical and Computer Engineering DepartmentDirección de correo verificada de bu.edu
Zuniga-Perez JMajulab/CRHEA, CNRS-NTU, School of Physical and Mathematical Sciences, 21 Nanyang Link, SINGAPOREDirección de correo verificada de crhea.cnrs.fr
Julien PERNOTUniv. Grenoble Alpes - Institut Néel - CNRSDirección de correo verificada de neel.cnrs.fr
Pascal RousselDirecteur de Recherche au CNRSDirección de correo verificada de univ-lille.fr
Mario BeaudoinResearch Associate, University of British ColumbiaDirección de correo verificada de physics.ubc.ca

Seguir

Zahia Bougrioua

CNRS

Dirección de correo verificada de univ-lille.fr

Semiconductors III-N Thermoelectrics Energy Harvesting


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Cathodoluminescence spectroscopy of epitaxial-lateral-overgrown nonpolar (11-20) and semipolar (11-22) GaN in relation to microstructural characterization T Gühne, Z Bougrioua, P Vennéguès, M Leroux, M Albrecht Journal of applied physics 101 (11), 2007	127	2007
Metalorganic vapor phase epitaxy of coherent self-assembled InAs nanometer-sized islands in InP (001) H Marchand, P Desjardins, S Guillon, JE Paultre, Z Bougrioua, RYF Yip, ... Applied physics letters 71 (4), 527-529, 1997	115	1997
Electrical conductivity improvement of Fe doped ZnO nanopowders H Saadi, FIH Rhouma, Z Benzarti, Z Bougrioua, S Guermazi, K Khirouni Materials Research Bulletin 129, 110884, 2020	108	2020
Engineering of an insulating buffer and use of AlN interlayers: two optimisations for AlGaN–GaN HEMT‐like structures Z Bougrioua, I Moerman, L Nistor, B Van Daele, E Monroy, T Palacios, ... physica status solidi (a) 195 (1), 93-100, 2003	101	2003
Microstructural characterization of semipolar GaN templates and epitaxial-lateral-overgrown films deposited on m-plane sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy P Vennegues, Z Bougrioua, T Guehne Japanese Journal of Applied Physics 46 (7R), 4089, 2007	90	2007
Some benefits of Fe doped less dislocated GaN templates for AlGaN/GaN HEMTs grown by MOVPE Z Bougrioua, M Azize, P Lorenzini, M Laügt, H Haas physica status solidi (a) 202 (4), 536-544, 2005	75	2005
Method of producing self supporting substrates comprising III-nitrides by means of heteroepitaxy on a sacrificial layer EP Feltin, Z Bougrioua, G Nataf US Patent 7,282,381, 2007	63	2007
Mechanism of mobility increase of the two-dimensional electron gas in AlGaN∕ GaN heterostructures under small dose gamma irradiation AM Kurakin, SA Vitusevich, SV Danylyuk, H Hardtdegen, N Klein, ... Journal of applied physics 103 (8), 2008	62	2008
Thermal stability of Pt-and Ni-based Schottky contacts on GaN and Al0. 31Ga0. 69N E Monroy, F Calle, R Ranchal, T Palacios, M Verdu, FJ Sanchez, ... Semiconductor science and technology 17 (9), L47, 2002	60	2002
Reduction of stacking faults in (11-20) and (11-22) GaN films by ELO techniques and benefit on GaN wells emission Z Bougrioua, M Laügt, P Vennéguès, I Cestier, T Gühne, E Frayssinet, ... physica status solidi (a) 204 (1), 282-289, 2007	59	2007
Silicon-Based Monolithic Planar Micro Thermoelectric Generator Using Bonding Technology K Ziouche, Z Yuan, P Lejeune, T Lasri, D Leclercq, Z Bougrioua Journal of Microelectromechanical Systems, 2016	58	2016
A planar micro thermoelectric generator with high thermal resistance Z Yuan, K Ziouche, Z Bougrioua, P Lejeune, T Lasri, D Leclercq Sensors and Actuators A: Physical 221, 67-76, 2015	58	2015
Quantum confinement effect on the effective mass in two-dimensional electron gas of AlGaN/GaN heterostructures AM Kurakin, SA Vitusevich, SV Danylyuk, H Hardtdegen, N Klein, ... Journal of applied physics 105 (7), 2009	53	2009
Free-carrier mobility in GaN in the presence of dislocation walls JL Farvacque, Z Bougrioua, I Moerman Physical Review B 63 (11), 115202, 2001	52	2001
Magnesium diffusion profile in GaN grown by MOVPE Z Benzarti, I Halidou, Z Bougrioua, T Boufaden, B El Jani Journal of crystal growth 310 (14), 3274-3277, 2008	50	2008
Anisotropy-induced polarization mixture of surface acoustic waves in -sapphire heterostructures J Pedrós, F Calle, J Grajal, RJ Jiménez Riobóo, Y Takagaki, KH Ploog, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 72 (7), 075306, 2005	50	2005
Material optimisation for AlGaN/GaN HFET applications Z Bougrioua, I Moerman, N Sharma, RH Wallis, J Cheyns, K Jacobs, ... Journal of crystal growth 230 (3-4), 573-578, 2001	48	2001
Growth of freestanding GaN using pillar-epitaxial lateral overgrowth from GaN nanocolumns Z Bougrioua, P Gibart, E Calleja, U Jahn, A Trampert, J Ristic, M Utrera, ... Journal of crystal growth 309 (2), 113-120, 2007	47	2007
Detailed interpretation of electron transport in C Mavroidis, JJ Harris, MJ Kappers, CJ Humphreys, Z Bougrioua Journal of applied physics 93 (11), 9095-9103, 2003	41	2003
On the origin of basal stacking faults in nonpolar wurtzite films epitaxially grown on sapphire substrates P Vennéguès, JM Chauveau, Z Bougrioua, T Zhu, D Martin, N Grandjean Journal of Applied Physics 112 (11), 2012	40	2012

El sistema no puede realizar la operación en estos momentos. Inténtalo de nuevo más tarde.

Artículos 1–20

Citas por año

Citas duplicadas

Citas combinadas

Añadir coautoresCoautores

Seguir

Citado por

Coautores