Michael Shur

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Remis GaskaUVTON, Inc.Dirección de correo verificada de uvton.com
Grigory SiminUniversity of South CarolinaDirección de correo verificada de engr.sc.edu
Max ShatalovCVD Equipment CorporationDirección de correo verificada de cvdequipment.com
Taiichi OtsujiRIEC, Tohoku UniversityDirección de correo verificada de riec.tohoku.ac.jp
WOJCIECH KNAPCENTERA LABORATORIES - Polish Academy of Sciences and Technical University WARSAW POLANDDirección de correo verificada de unipress.waw.pl
Maxim RyzhiiS. Associate Professor, University of AizuDirección de correo verificada de u-aizu.ac.jp
Nezih PalaElectrical & Computer Engineering, Florida International UniversityDirección de correo verificada de fiu.edu
Vladimir MitinSUNY Distinguished Professor, University at BuffaloDirección de correo verificada de buffalo.edu
Alexander A. BalandinDistinguished Professor of Materials Science and Engineering, UCLADirección de correo verificada de seas.ucla.edu
Kwyro LeeProfessor of Electrical Engineering, KAISTDirección de correo verificada de kaist.ac.kr
Vyacheslav PopovKotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch)Dirección de correo verificada de soire.renet.ru
Dmitry VekslerHRL LaboratoryDirección de correo verificada de hrl.com
Qhalid FareedTexas InstrumentsDirección de correo verificada de ti.com
M.I. DyakonovLaboratoire Charles Coulomb (L2C), Université Montpellier -CNRSDirección de correo verificada de umontpellier.fr
Guanxiong LiuUniversity of California RiversideDirección de correo verificada de ee.ucr.edu
Juras MickeviciusVilnius UniversityDirección de correo verificada de ff.vu.lt
Frédéric TeppeDirector of research - CNRS - Laboratoire Charles CoulombDirección de correo verificada de umontpellier.fr
Mikhail GaevskiCVD Equipment CorporationDirección de correo verificada de CVDEquipment.com
Hadis MorkoçVirginia Commonwealth UniversityDirección de correo verificada de vcu.edu
Irina KhmyrovaUniversity of AizuDirección de correo verificada de u-aizu.ac.jp

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Patricia W. and C. Sheldon Roberts Professor, Rensselaer Polytechnic

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Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe ME Levinshtein, SL Rumyantsev, MS Shur John Wiley & Sons, 2001	2199	2001
Handbook series on semiconductor parameters M Levinshtein World Scientific, 1997	2044*	1997
Shallow water analogy for a ballistic field effect transistor: New mechanism of plasma wave generation by dc current M Dyakonov, M Shur Physical review letters 71 (15), 2465, 1993	1501	1993
Physics of semiconductor devices M Shur, J Singh Physics Today 43 (10), 98-99, 1990	1355	1990
Detection, mixing, and frequency multiplication of terahertz radiation by two-dimensional electronic fluid M Dyakonov, M Shur IEEE transactions on electron devices 43 (3), 380-387, 2002	1302	2002
GaAs devices and circuits MS Shur Springer Science & Business Media, 2013	1045	2013
Introduction to solid-state lighting A Žukauskas, M Shur, R Gaska (No Title), 2002	993	2002
Threshold switching in chalcogenide‐glass thin films D Adler, MS Shur, M Silver, SR Ovshinsky Journal of Applied Physics 51 (6), 3289-3309, 1980	835	1980
Sensitive skin V Lumelsky, MS Shur, S Wagner, M Ding World Scientific, 2000	689	2000
Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN BE Foutz, SK O’Leary, MS Shur, LF Eastman Journal of applied physics 85 (11), 7727-7734, 1999	688	1999
Solid-state lighting: toward superior illumination MS Shur, R Zukauskas Proceedings of the IEEE 93 (10), 1691-1703, 2005	643	2005
Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic device fabrication and characterization in monocrystalline alpha and beta silicon carbide RF Davis, G Kelner, M Shur, JW Palmour, JA Edmond Proceedings of the IEEE 79 (5), 677-701, 1991	603	1991
Physics of amorphous silicon based alloy field‐effect transistors M Shur, M Hack Journal of Applied Physics 55 (10), 3831-3842, 1984	597	1984
An experimental study of contact effects in organic thin film transistors DJ Gundlach, L Zhou, JA Nichols, TN Jackson, PV Necliudov, MS Shur Journal of Applied Physics 100 (2), 2006	546	2006
AlGaN deep-ultraviolet light-emitting diodes with external quantum efficiency above 10% M Shatalov, W Sun, A Lunev, X Hu, A Dobrinsky, Y Bilenko, J Yang, ... Applied Physics Express 5 (8), 082101, 2012	538	2012
Microwave performance of a 0.25 μm gate AlGaN/GaN heterostructure field effect transistor M Asif Khan, JN Kuznia, DT Olson, WJ Schaff, JW Burm, MS Shur Applied Physics Letters 65 (9), 1121-1123, 1994	534	1994
Plasma wave electronics: novel terahertz devices using two dimensional electron fluid MI Dyakonov, MS Shur IEEE Transactions on Electron Devices 43 (10), 1640-1645, 1996	518	1996
Nonresonant detection of terahertz radiation in field effect transistors W Knap, V Kachorovskii, Y Deng, S Rumyantsev, JQ Lü, R Gaska, ... Journal of Applied Physics 91 (11), 9346-9353, 2002	503	2002
AlGaN/GaN metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor MA Khan, X Hu, G Sumin, A Lunev, J Yang, R Gaska, MS Shur IEEE Electron Device Letters 21 (2), 63-65, 2000	481	2000
Monte Carlo calculation of velocity-field characteristics of wurtzite GaN UV Bhapkar, MS Shur Journal of Applied Physics 82 (4), 1649-1655, 1997	475	1997

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