Wayne Johnson

Citado por

	Total	Desde 2020
Citas	7195	1522
Índice h	51	20
Índice i10	114	48

520

260

130

390

200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025123 183 164 127 252 224 312 291 285 417 324 505 387 413 386 465 401 370 362 329 322 243 242 24

Acceso público

Ver todo

6 artículos

2 artículos

disponibles

no disponibles

Basado en requisitos de financiación

Coautores

Fan RenUniversity of Florida, Bell Lab, AT&TDirección de correo verificada de che.ufl.edu
Stephen PeartonProfessor of Materials Science and Engineering, University of FloridaDirección de correo verificada de mse.ufl.edu
Edwin PinerProfessor, Texas State UniversityDirección de correo verificada de txstate.edu
Yu CaoQorvoDirección de correo verificada de qorvo.com
Brent P. GilaUniversity of FloridaDirección de correo verificada de ufl.edu
Cammy R AbernathyUniversity of FloridaDirección de correo verificada de eng.ufl.edu
Sameer SinghalDirector, CFD Research CorpDirección de correo verificada de cfdrc.com
Lu LiuUniversity of Florida, Stanford UniversityDirección de correo verificada de stanford.edu
Debdeep JenaCornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
Huili Grace XingProf. of ECE & MSE, Cornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
Andrei VescanRWTH AachenDirección de correo verificada de cst.rwth-aachen.de
Jihyun KimSeoul National UniversityDirección de correo verificada de snu.ac.kr
Patrick Fayelectrical engineering, University of Notre DameDirección de correo verificada de nd.edu
Isik KizilyalliARPA-e, U.S.Department of EnergyDirección de correo verificada de hq.doe.gov
Guowang LiGoogle, WaymoDirección de correo verificada de google.com
Jen-Inn ChyiProfessor of National Central UniversityDirección de correo verificada de ee.ncu.edu.tw
Jung HanWilliam Norton Professor of Electrical Engineering, Yale UniversityDirección de correo verificada de yale.edu
Zongyang HuElectrical and Computer Engineering, Cornell UniversityDirección de correo verificada de cornell.edu
Byung-Hwan ChuIBM, Samsung, U or FloridaDirección de correo verificada de ufl.edu
Yu-Lin WangNational Tsing Hua University, Institute of Nanoengineering and MicrosystemsDirección de correo verificada de mx.nthu.edu.tw

Seguir

Wayne Johnson

Otros nombresJW Johnson, W Johnson

Soundside Partners LLC

Dirección de correo verificada de soundsidepartners.com

GaN SiC RF/microwave power electronics compound semiconductors


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
12 W/mm AlGaN-GaN HFETs on silicon substrates JW Johnson, EL Piner, A Vescan, R Therrien, P Rajagopal, JC Roberts, ... IEEE Electron Device Letters 25 (7), 459-461, 2004	317	2004
Influence of MgO and passivation on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors B Luo, JW Johnson, J Kim, RM Mehandru, F Ren, BP Gila, AH Onstine, ... Applied Physics Letters 80 (9), 1661-1663, 2002	227	2002
1.9-kV AlGaN/GaN lateral Schottky barrier diodes on silicon M Zhu, B Song, M Qi, Z Hu, K Nomoto, X Yan, Y Cao, W Johnson, E Kohn, ... IEEE Electron Device Letters 36 (4), 375-377, 2015	208	2015
Gallium nitride material devices including an electrode-defining layer and methods of forming the same JW Johnson, RJ Therrien, A Vescan, JD Brown US Patent 7,071,498, 2006	181	2006
Enzymatic glucose detection using ZnO nanorods on the gate region of AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, HT Wang, F Ren, SJ Pearton, TE Morey, DM Dennis, ... Applied Physics Letters 91 (25), 2007	178	2007
Pressure-induced changes in the conductivity of AlGaN∕ GaN high-electron mobility-transistor membranes BS Kang, S Kim, F Ren, JW Johnson, RJ Therrien, P Rajagopal, ... Applied Physics Letters 85 (14), 2962-2964, 2004	165	2004
Prostate specific antigen detection using AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, HT Wang, TP Lele, Y Tseng, F Ren, SJ Pearton, JW Johnson, ... Applied physics letters 91 (11), 2007	151	2007
Electrical detection of deoxyribonucleic acid hybridization with AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors BS Kang, SJ Pearton, JJ Chen, F Ren, JW Johnson, RJ Therrien, ... Applied Physics Letters 89 (12), 2006	144	2006
DC and RF performance of proton-irradiated AlGaN/GaN high electron mobility transistors B Luo, JW Johnson, F Ren, KK Allums, CR Abernathy, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 79 (14), 2196-2198, 2001	144	2001
metal-oxide-semiconductor field-effect transistor JW Johnson, B Luo, F Ren, BP Gila, W Krishnamoorthy, CR Abernathy, ... Applied Physics Letters 77 (20), 3230-3232, 2000	143	2000
210-GHz InAlN/GaN HEMTs with dielectric-free passivation R Wang, G Li, O Laboutin, Y Cao, W Johnson, G Snider, P Fay, D Jena, ... IEEE electron device letters 32 (7), 892-894, 2011	135	2011
Nanowire Channel InAlN/GaN HEMTs With High Linearity ofand DS Lee, H Wang, A Hsu, M Azize, O Laboutin, Y Cao, JW Johnson, ... IEEE electron device letters 34 (8), 969-971, 2013	134	2013
GaN electronics for high power, high temperature applications SJ Pearton, F Ren, AP Zhang, G Dang, XA Cao, KP Lee, H Cho, BP Gila, ... Materials Science and Engineering: B 82 (1-3), 227-231, 2001	134	2001
Breakdown voltage and reverse recovery characteristics of free-standing GaN Schottky rectifiers JW Johnson, AP Zhang, WB Luo, F Ren, SJ Pearton, SS Park, YJ Park, ... IEEE Transactions on Electron devices 49 (1), 32-36, 2002	128	2002
Reliability of large periphery GaN-on-Si HFETs S Singhal, T Li, A Chaudhari, AW Hanson, R Therrien, JW Johnson, ... Microelectronics Reliability 46 (8), 1247-1253, 2006	127	2006
Influence of γ-rays on dc performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistors B Luo, JW Johnson, F Ren, KK Allums, CR Abernathy, SJ Pearton, ... Applied physics letters 80 (4), 604-606, 2002	123	2002
Gadolinium oxide and scandium oxide: gate dielectrics for GaN MOSFETs BP Gila, JW Johnson, R Mehandru, B Luo, AH Onstine, V Krishnamoorthy, ... physica status solidi (a) 188 (1), 239-242, 2001	120	2001
Lateral power rectifiers with 9.7 kV reverse breakdown voltage AP Zhang, JW Johnson, F Ren, J Han, AY Polyakov, NB Smirnov, ... Applied Physics Letters 78 (6), 823-825, 2001	119	2001
Fast electrical detection of Hg (II) ions with AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors HT Wang, BS Kang, TF Chancellor, TP Lele, Y Tseng, F Ren, SJ Pearton, ... Applied Physics Letters 91 (4), 2007	117	2007
Semiconductor device-based sensors JW Johnson, EL Piner, KJ Linthicum US Patent 7,361,946, 2008	115	2008

El sistema no puede realizar la operación en estos momentos. Inténtalo de nuevo más tarde.

Artículos 1–20

Citas por año

Citas duplicadas

Citas combinadas

Añadir coautoresCoautores

Seguir

Citado por

Coautores