Didier Theron

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Coautores

Christophe Gaquiereprofesseur université Lille 1Dirección de correo verificada de iemn.univ-lille1.fr
Lionel BuchaillotIEMN UMR8520Dirección de correo verificada de univ-lille.fr
X. WallartDR CNRS, IEMNDirección de correo verificada de univ-lille.fr
Bernard LegrandChercheur CNRS (LAAS / MNBT / MEMS)Dirección de correo verificada de laas.fr
a.el fatimyGeorgetown UniversityDirección de correo verificada de georgetown.edu
Taiichi OtsujiRIEC, Tohoku UniversityDirección de correo verificada de riec.tohoku.ac.jp
Farid MedjdoubIEMN - CNRSDirección de correo verificada de iemn.fr
Thierry MélinIEMN-CNRSDirección de correo verificada de iemn.fr
Thomas DargentAssociate Professor-University of LilleDirección de correo verificada de univ-lille.fr
Michael ShurPatricia W. and C. Sheldon Roberts Professor, Rensselaer PolytechnicDirección de correo verificada de rpi.edu
andrey shchepetovSenior Equipment EngineerDirección de correo verificada de asm.com
splingartMaître de Conférences en Electronique, Université du Littoral-Côte d'OpaleDirección de correo verificada de univ-littoral.fr
Azadeh AnsariAssociate Professor, Georgia TechDirección de correo verificada de ece.gatech.edu
Andrei VescanRWTH AachenDirección de correo verificada de cst.rwth-aachen.de
M.I. DyakonovLaboratoire Charles Coulomb (L2C), Université Montpellier -CNRSDirección de correo verificada de umontpellier.fr
Nezih PalaElectrical & Computer Engineering, Florida International UniversityDirección de correo verificada de fiu.edu
Soltani AliAssociate professorDirección de correo verificada de univ-lille.fr
Arnaud WilkNokia-Bell LabsDirección de correo verificada de nokia.com
Nicolas BaronKnowmadeDirección de correo verificada de knowmade.fr
Pere Roca i CabarrocasLPICM, CNRS, Ecole Polytechnique, and IPVFDirección de correo verificada de polytechnique.edu

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Didier Theron

chercheur CNRS-IEMN NAM6

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Physics Electron devices MEMS NEMS Resonators AFM


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
Gallium nitride as an electromechanical material M Rais-Zadeh, VJ Gokhale, A Ansari, M Faucher, D Théron, Y Cordier, ... Journal of Microelectromechanical Systems 23 (6), 1252-1271, 2014	266	2014
AlGaN/GaN high electron mobility transistors as a voltage-tunable room temperature terahertz sources A El Fatimy, N Dyakonova, Y Meziani, T Otsuji, W Knap, S Vandenbrouk, ... Journal of Applied Physics 107 (2), 2010	202	2010
Current instabilities in GaN-based devices I Daumiller, D Theron, C Gaquiere, A Vescan, R Dietrich, A Wieszt, ... IEEE Electron Device Letters 22 (2), 62-64, 2001	202	2001
Room-temperature terahertz emission from nanometer field-effect transistors N Dyakonova, A El Fatimy, J Łusakowski, W Knap, MI Dyakonov, ... Applied physics letters 88 (14), 2006	196	2006
Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors A El Fatimy, SB Tombet, F Teppe, W Knap, DB Veksler, S Rumyantsev, ... Electronics Letters 42 (23), 1342-1344, 2006	142	2006
InAlAs/InGaAs metamorphic HEMT with high current density and high breakdown voltage M Zaknoune, B Bonte, C Gaquiere, Y Cordier, Y Druelle, D Theron, ... IEEE Electron Device Letters 19 (9), 345-347, 1998	118	1998
A 17 GHz molecular rectifier J Trasobares, D Vuillaume, D Theron, N Clement Nature communications 7 (1), 12850, 2016	114	2016
Trap effects studies in GaN MESFETs by pulsed measurements S Trassaert, B Boudart, C Gaquiere, D Theron Electron. Lett 35, 1386, 1999	98	1999
Surface potential of n-and p-type GaN measured by Kelvin force microscopy S Barbet, R Aubry, MA di Forte-Poisson, JC Jacquet, D Deresmes, T Melin, ... Applied Physics Letters 93 (21), 2008	92	2008
An interferometric scanning microwave microscope and calibration method for sub-fF microwave measurements T Dargent, K Haddadi, T Lasri, N Clément, D Ducatteau, B Legrand, ... Review of Scientific Instruments 84 (12), 2013	79	2013
Cross-talk artefacts in Kelvin probe force microscopy imaging: a comprehensive study S Barbet, M Popoff, H Diesinger, D Deresmes, D Theron, T Melin Journal of Applied Physics 115 (14), 2014	63	2014
AlGaN-GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz A Minko, V Hoel, E Morvan, B Grimbert, A Soltani, E Delos, D Ducatteau, ... IEEE Electron Device Letters 25 (7), 453-455, 2004	61	2004
The indium content in metamorphic InxAl1− xAs/InxGa1− xAs HEMTs on GaAs substrate: a new structure parameter S Bollaert, Y Cordier, M Zaknoune, H Happy, V Hoel, S Lepilliet, D Théron, ... Solid-State Electronics 44 (6), 1021-1027, 2000	60	2000
Field effect transistors for terahertz detection and emission W Knap, S Nadar, H Videlier, S Boubanga-Tombet, D Coquillat, ... Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves 32, 618-628, 2011	58	2011
12 GHz GaN/AlN/AlGaN Nanowire MISFET S Vandenbrouck, K Madjour, D Théron, Y Dong, Y Li, CM Lieber, ... IEEE Electron Device Letters 30 (4), 322-324, 2009	58	2009
Amplified piezoelectric transduction of nanoscale motion in gallium nitride electromechanical resonators M Faucher, B Grimbert, Y Cordier, N Baron, A Wilk, H Lahreche, P Bove, ... Applied Physics Letters 94 (23), 2009	57	2009
Measurement techniques for RF nanoelectronic devices: new equipment to overcome the problems of impedance and scale mismatch H Happy, K Haddadi, D Theron, T Lasri, G Dambrine IEEE Microwave Magazine 15 (1), 30-39, 2014	56	2014
Estimation of π–π electronic couplings from current measurements J Trasobares, J Rech, T Jonckheere, T Martin, O Alévêque, E Levillain, ... Nano letters 17 (5), 3215-3224, 2017	53	2017
Comparison between TiAl and TiAlNiAu ohmic contacts to n-type GaN B Boudart, S Trassaert, X Wallart, JC Pesant, O Yaradou, D Théron, ... Journal of electronic materials 29, 603-606, 2000	52	2000
Quantitative impedance characterization of sub-10 nm scale capacitors and tunnel junctions with an interferometric scanning microwave microscope F Wang, N Clément, D Ducatteau, D Troadec, H Tanbakuchi, B Legrand, ... Nanotechnology 25 (40), 405703, 2014	35	2014

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