Robert M. Wallace

Citado por

	Total	Desde 2020
Citas	56151	17092
Índice h	100	61
Índice i10	375	177

4200

2100

1050

3150

199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025202 222 516 700 990 1274 1322 1609 1426 1231 1292 1237 1470 1654 2157 2629 2844 3358 3866 4001 4149 3878 3564 3376 2968 2941 362

Acceso público

Ver todo

84 artículos

27 artículos

disponibles

no disponibles

Basado en requisitos de financiación

Coautores

Stephen McDonnellUniversity of VirginiaDirección de correo verificada de virginia.edu
Rafik AddouOregon State UniversityDirección de correo verificada de oregonstate.edu
Bruce GnadeSMUDirección de correo verificada de smu.edu
Luigi ColomboUniversity of Texas at DallasDirección de correo verificada de utdallas.edu
Eric M VogelHightower Professor of Materials Science and Engineering, Georgia Institute of TechnologyDirección de correo verificada de mse.gatech.edu
Barry BrennanAtlantic Technological UniversityDirección de correo verificada de atu.ie
Hong DongNankai UniversityDirección de correo verificada de nankai.edu.cn
Rodney RuoffThe IBS CMCM, Dept. of Chemistry, Dept. of MS&ESchool of Energy and ChEng,Dirección de correo verificada de unist.ac.kr
Manuel Quevedo-lopezUniversity of Texas at DallasDirección de correo verificada de utdallas.edu
Santosh KCSan Diego State UniversityDirección de correo verificada de sdsu.edu
Francisco Servando Aguirre-TostadoCentro de Investigación en Materiales Avanzados, S.C., Unidad MonterreyDirección de correo verificada de cimav.edu.mx
Joshua A. RobinsonProf. MatSE; Center for 2DLM; ATOMIC; 2D Crystal Consort.; The Pennsylvania State UniversityDirección de correo verificada de psu.edu
Cheng GongAssociate Professor, University of MarylandDirección de correo verificada de umd.edu
pk hurleyTyndall National Institute, University College CorkDirección de correo verificada de tyndall.ie
Dmitry ZhernokletovIntermolecular Inc.Dirección de correo verificada de intermolecular.com
Lanxia ChengStaff Engineer_EMD ElectronicsDirección de correo verificada de emdgroup.com
Chadwin D. YoungUniversity of Texas at DallasDirección de correo verificada de utdallas.edu
Bongki LeeTechnology Development Engineer, GLOBALFOUNDRIESDirección de correo verificada de globalfoundries.com
Chenxi ZhangUniversity of Texas at DallasDirección de correo verificada de utdallas.edu
Arif SonnetTexas InstrumentsDirección de correo verificada de ti.com

Seguir

Robert M. Wallace

University of Texas at Dallas

Dirección de correo verificada de utdallas.edu - Página principal

Electronic Materials Surfaces Interfaces


Título Ordenar por citas Ordenar por año Ordenar por título	Citado por Citado por	Año
High-κ gate dielectrics: Current status and materials properties considerations GD Wilk, RM Wallace, JM Anthony Journal of applied physics 89 (10), 5243-5275, 2001	7824	2001
Carbon-based supercapacitors produced by activation of graphene Y Zhu, S Murali, MD Stoller, KJ Ganesh, W Cai, PJ Ferreira, A Pirkle, ... science 332 (6037), 1537-1541, 2011	6728	2011
Hafnium and zirconium silicates for advanced gate dielectrics GD Wilk, RM Wallace, JM Anthony Journal of Applied Physics 87 (1), 484-492, 2000	1369	2000
The effect of chemical residues on the physical and electrical properties of chemical vapor deposited graphene transferred to SiO2 A Pirkle, J Chan, A Venugopal, D Hinojos, CW Magnuson, S McDonnell, ... Applied Physics Letters 99 (12), 2011	1165	2011
The role of oxygen during thermal reduction of graphene oxide studied by infrared absorption spectroscopy M Acik, G Lee, C Mattevi, A Pirkle, RM Wallace, M Chhowalla, K Cho, ... The Journal of Physical Chemistry C 115 (40), 19761-19781, 2011	1030	2011
Near-unity photoluminescence quantum yield in MoS₂ M Amani, DH Lien, D Kiriya, J Xiao, A Azcatl, J Noh, SR Madhvapathy, ... Science 350 (6264), 1065-1068, 2015	939	2015
Band alignment of two-dimensional transition metal dichalcogenides: Application in tunnel field effect transistors C Gong, H Zhang, W Wang, L Colombo, RM Wallace, K Cho Applied Physics Letters 103 (5), 2013	934	2013
Defect-Dominated Doping and Contact Resistance in MoS₂ S McDonnell, R Addou, C Buie, RM Wallace, CL Hinkle ACS nano 8 (3), 2880-2888, 2014	912	2014
Zirconium and/or hafnium oxynitride gate dielectric RM Wallace, RA Stoltz, GD Wilk US Patent 6,013,553, 2000	840	2000
The Unusual Mechanism of Partial Fermi Level Pinning at Metal–MoS₂ Interfaces C Gong, L Colombo, RM Wallace, K Cho Nano letters 14 (4), 1714-1720, 2014	821	2014
High-K materials and metal gates for CMOS applications J Robertson, RM Wallace Materials Science and Engineering: R: Reports 88, 1-41, 2015	810	2015
Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation ZY Al Balushi, K Wang, RK Ghosh, RA Vilá, SM Eichfeld, JD Caldwell, ... Nature materials 15 (11), 1166-1171, 2016	766	2016
Electrical properties of hafnium silicate gate dielectrics deposited directly on silicon GD Wilk, RM Wallace Applied Physics Letters 74 (19), 2854-2856, 1999	676	1999
MoS₂ P-type Transistors and Diodes Enabled by High Work Function MoO_x Contacts S Chuang, C Battaglia, A Azcatl, S McDonnell, JS Kang, X Yin, M Tosun, ... Nano letters 14 (3), 1337-1342, 2014	653	2014
Hole Selective MoO_x Contact for Silicon Solar Cells C Battaglia, X Yin, M Zheng, ID Sharp, T Chen, S McDonnell, A Azcatl, ... Nano letters 14 (2), 967-971, 2014	636	2014
GaAs interfacial self-cleaning by atomic layer deposition CL Hinkle, AM Sonnet, EM Vogel, S McDonnell, GJ Hughes, M Milojevic, ... Applied Physics Letters 92 (7), 2008	494	2008
Manganese Doping of Monolayer MoS₂: The Substrate Is Critical K Zhang, S Feng, J Wang, A Azcatl, N Lu, R Addou, N Wang, C Zhou, ... Nano letters 15 (10), 6586-6591, 2015	467	2015
Highly Scalable, Atomically Thin WSe₂ Grown via Metal–Organic Chemical Vapor Deposition SM Eichfeld, L Hossain, YC Lin, AF Piasecki, B Kupp, AG Birdwell, ... ACS nano 9 (2), 2080-2087, 2015	465	2015
First-principles study of metal–graphene interfaces C Gong, G Lee, B Shan, EM Vogel, RM Wallace, K Cho Journal of Applied Physics 108 (12), 2010	460	2010
Atomically Thin Resonant Tunnel Diodes built from Synthetic van der Waals Heterostructures YC Lin, RK Ghosh, R Addou, N Lu, SM Eichfeld, H Zhu, MY Li, X Peng, ... Nature Communications 6, 7311, 2015	459	2015

El sistema no puede realizar la operación en estos momentos. Inténtalo de nuevo más tarde.

Artículos 1–20

Citas por año

Citas duplicadas

Citas combinadas

Añadir coautoresCoautores

Seguir

Citado por

Coautores