Jinwoo Hwang

نقل شده توسط

	همهٔ موارد	از 2020
نقل‌‏قول‌‏ها	6304	4791
شاخص h	43	36
شاخص i10	96	90

1200

600

300

900

20112012201320142015201620172018201920202021202220232024202521 31 82 113 89 175 221 320 426 646 754 975 1102 1139 172

دسترسی عمومی

مشاهدهٔ همه

۹۹ مقاله

۱۲ مقاله

در دسترس

در دسترس نیست

براساس دستورات هزینه انتشار

نویسندگان مشترک

Jared M JohnsonThe Ohio State Universityایمیل تأیید شده در thermofisher.com
Hsien-Lien Huang [ORCID:0000-0001...The Ohio State Universityایمیل تأیید شده در osu.edu
Menglin Zhu [ORCID: 0000-0001-683...Postdoctoral Researcher, MITایمیل تأیید شده در mit.edu
Hongping ZhaoProfessor of Electrical & Computer Engineering, Materials Science & Engineering, OSUایمیل تأیید شده در osu.edu
Siddharth RajanElectrical and Computer Engineering, Ohio State Universityایمیل تأیید شده در ece.osu.edu
A F M Anhar Uddin BhuiyanAssistant Professor, Electrical and Computer Engineering, University of Massachusetts Lowellایمیل تأیید شده در uml.edu
Zixuan FengThe Ohio State Universityایمیل تأیید شده در osu.edu
Paul VoylesUniversity of Wisconsin, Madisonایمیل تأیید شده در wisc.edu
Yuewei ZhangUCSBایمیل تأیید شده در ucsb.edu
Sriram KrishnamoorthyUniversity of California, Santa Barbaraایمیل تأیید شده در ucsb.edu
Jack ZhangUCSBایمیل تأیید شده در umail.ucsb.edu
Zhanbo XiaPost Doctoral Scholar, ECE, The Ohio State Universityایمیل تأیید شده در osu.edu
Chandan JoishiResearch Scientist, The Ohio State Universityایمیل تأیید شده در osu.edu
Baishakhi MazumderUniversity at Buffaloایمیل تأیید شده در buffalo.edu
Soohyun ImThe State University of New York at Buffaloایمیل تأیید شده در buffalo.edu
Matthew J. KramerDistinguished Scientist, Materials Sciences and Engineering, Ames National Laboratoryایمیل تأیید شده در ameslab.gov
Ambrose SeoUniversity of Kentuckyایمیل تأیید شده در uky.edu
Sanyam BajajIntel Corporationایمیل تأیید شده در intel.com
Chris G. Van de WalleProfessor of Materials, University of California, Santa Barbaraایمیل تأیید شده در mrl.ucsb.edu
Fatih AkyolYıldız Teknik Üniversitesiایمیل تأیید شده در yildiz.edu.tr

دنبال کردن

Jinwoo Hwang

Associate Professor, Materials Science and Engineering, Ohio State University

ایمیل تأیید شده در osu.edu - صفحهٔ اصلی

Materials Science Electron Microscopy Nanotechnology


عنوان به‌ترتیب نقل قول‌ها به‌ترتیب سال به‌ترتیب عنوان	نقل شده توسط نقل شده توسط	سال
Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer‏ Y Kim, SS Cruz, K Lee, BO Alawode, C Choi, Y Song, JM Johnson, ...‏ Nature 544 (7650), 340-343, 2017‏	590	2017
Demonstration of high mobility and quantum transport in modulation-doped β-(AlxGa1-x) 2O3/Ga2O3 heterostructures‏ Y Zhang, A Neal, Z Xia, C Joishi, JM Johnson, Y Zheng, S Bajaj, ...‏ Applied Physics Letters 112 (17), 2018‏	411	2018
Modulation-doped β-(Al0. 2Ga0. 8) 2O3/Ga2O3 field-effect transistor‏ S Krishnamoorthy, Z Xia, C Joishi, Y Zhang, J McGlone, J Johnson, ...‏ Applied Physics Letters 111 (2), 2017‏	336	2017
Nanoscale Structure and Structural Relaxation in Bulk Metallic Glass‏ J Hwang, ZH Melgarejo, YE Kalay, I Kalay, MJ Kramer, DS Stone, ...‏ Physical review letters 108 (19), 195505, 2012‏	235	2012
Tailoring binding abilities by incorporating oxophilic transition metals on 3D nanostructured Ni arrays for accelerated alkaline hydrogen evolution reaction‏ J Kim, H Jung, SM Jung, J Hwang, DY Kim, N Lee, KS Kim, H Kwon, ...‏ Journal of the American Chemical Society 143 (3), 1399-1408, 2020‏	200	2020
MOCVD epitaxy of β-(AlxGa1− x) 2O3 thin films on (010) Ga2O3 substrates and N-type doping‏ AFM Anhar Uddin Bhuiyan, Z Feng, JM Johnson, Z Chen, HL Huang, ...‏ Applied Physics Letters 115 (12), 2019‏	169	2019
Unusual Formation of Point-Defect Complexes in the Ultrawide-Band-Gap Semiconductor ‏ JM Johnson, Z Chen, JB Varley, CM Jackson, E Farzana, Z Zhang, ...‏ Physical Review X 9 (4), 041027, 2019‏	148	2019
Electrical Switching of Tristate Antiferromagnetic Néel Order in Epitaxial Films‏ Y Cheng, S Yu, M Zhu, J Hwang, F Yang‏ Physical Review Letters 124 (2), 027202, 2020‏	146	2020
LPCVD homoepitaxy of Si doped β-Ga2O3 thin films on (010) and (001) substrates‏ S Rafique, MR Karim, JM Johnson, J Hwang, H Zhao‏ Applied Physics Letters 112 (5), 2018‏	142	2018
Deterministic switching of a perpendicularly polarized magnet using unconventional spin–orbit torques in WTe₂‏ IH Kao, R Muzzio, H Zhang, M Zhu, J Gobbo, S Yuan, D Weber, R Rao, ...‏ Nature materials 21 (9), 1029-1034, 2022‏	136	2022
Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1− x) 2O3 thin films‏ AFM Bhuiyan, Z Feng, JM Johnson, HL Huang, J Sarker, M Zhu, ...‏ APL Materials 8 (3), 2020‏	135	2020
Three-Dimensional Imaging of Individual Dopant Atoms in ‏ J Hwang, JY Zhang, AJ D’Alfonso, LJ Allen, S Stemmer‏ Physical review letters 111 (26), 266101, 2013‏	114	2013
Structural origins of the properties of rare earth nickelate superlattices‏ J Hwang, J Son, JY Zhang, A Janotti, CG Van de Walle, S Stemmer‏ Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 87 (6), 060101, 2013‏	108	2013
Interband tunneling for hole injection in III-nitride ultraviolet emitters‏ Y Zhang, S Krishnamoorthy, JM Johnson, F Akyol, A Allerman, ...‏ Applied Physics Letters 106 (14), 2015‏	103	2015
MOCVD Epitaxy of Ultrawide Bandgap β-(Al_xGa_1–x)₂O₃ with High-Al Composition on (100) β-Ga₂O₃ Substrates‏ AFM Anhar Uddin Bhuiyan, Z Feng, JM Johnson, HL Huang, J Hwang, ...‏ Crystal Growth & Design 20 (10), 6722-6730, 2020‏	98	2020
Toward an artificial Mott insulator: Correlations in confined high-density electron liquids in SrTiO‏ P Moetakef, CA Jackson, J Hwang, L Balents, SJ Allen, S Stemmer‏ Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 86 (20), 201102, 2012‏	97	2012
β-(Al_0.18Ga_0.82)₂O₃/Ga₂O₃ Double Heterojunction Transistor With Average Field of 5.5 MV/cm‏ NK Kalarickal, Z Xia, HL Huang, W Moore, Y Liu, M Brenner, J Hwang, ...‏ IEEE Electron Device Letters 42 (6), 899-902, 2021‏	90	2021
Tunnel-injected sub 290 nm ultra-violet light emitting diodes with 2.8% external quantum efficiency‏ Y Zhang, Z Jamal-Eddine, F Akyol, S Bajaj, JM Johnson, G Calderon, ...‏ Applied Physics Letters 112 (7), 2018‏	90	2018
Molecular beam epitaxy of 2D-layered gallium selenide on GaN substrates‏ CH Lee, S Krishnamoorthy, DJ O'Hara, MR Brenner, JM Johnson, ...‏ Journal of Applied Physics 121 (9), 2017‏	90	2017
Variable resolution fluctuation electron microscopy on Cu-Zr metallic glass using a wide range of coherent STEM probe size‏ J Hwang, PM Voyles‏ Microscopy and Microanalysis 17 (1), 67-74, 2011‏	86	2011

سیستم در حال حاضر قادر به انجام عملکرد نیست. بعداً دوباره امتحان کنید.

مقاله‌ها 1–20

نقل‌قول‌ها در سال

نقل‌قول تکراری

نقل‌قول‌های ادغام شده

افزودن نویسنده‌های همکارنویسندگان مشترک

دنبال کردن

نقل شده توسط

نویسندگان مشترک