Gerard Ghibaudo

Viittaukset

	Kaikki	2020 lähtien
Sitaatit	25184	6398
h-indeksi	68	32
i10-indeksi	565	174

1500

750

375

1125

19871988198919901991199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202566 62 99 88 77 79 142 122 169 119 214 159 255 243 366 327 368 504 590 634 732 759 883 853 1048 882 1245 1199 1265 1239 1368 1242 1194 1249 1274 1459 1186 1071 157

Yleisessä käytössä

Näytä kaikki

55 artikkelia

48 artikkelia

käytettävissä

ei käytettävissä

Perustuu rahoitusehtoihin

Muut kirjoittajat

Cristoloveanu, SorinGrenoble INPVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa grenoble-inp.fr
barbara de salvoCEA LETIVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cea.fr
Babis DimitriadisDepartment of Physics Aristotle University of Thessaloniki, 54124, GreeceVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa physics.auth.gr
Frederic BoeufSTMicroelectronicsVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa st.com
Christoforos THEODOROUIMEP-LAHC, Minatec, Grenoble INPVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa minatec.inpg.fr
Sylvain BARRAUDCEA-LETI, Minatec CampusVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cea.fr
Quentin RafhayUniversité Grenoble AlpesVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa phelma.grenoble-inp.fr
Francois AndrieuCEA LETIVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cea.fr
Jan A. ChroboczekINPGVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa enserg.fr
ANDREAS TSORMPATZOGLOUDepartment of Informatics and Telecommunications, University of Ioannina, Arta, GreeceVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa uoi.gr
Maud VinetQuobly (ex CEA)Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa quobly.io
Yong XuNanjing University of Posts and TelecommunicationsVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa njupt.edu.cn
Dae-Young JeonDepartment of Electrical Engineering, Gyeongsang National University, South KoreaVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa gnu.ac.kr
Dimitrios TassisAristotle University of ThessalonikiVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa auth.gr
elisa vianelloScientist, CEA LetiVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cea.fr
Thierry BaronCNRS, Université Grenoble AlpesVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cea.fr
Vincent DelayeCEA, LETI, MINATEC CampusVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cea.fr
Laurent MONTESGrenoble INP, PHELMA, IMEP-LahcVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa grenoble-inp.fr
Remi CoquandAdvanced devices Engineer, PhDVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cea.fr
Takeo MinariNational Institute for Materials Science (NIMS)Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa nims.go.jp

Seuraa

Gerard Ghibaudo

IMEP-LAHC/CROMA, Minatec-INP Grenoble

Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa minatec.inpg.fr - Kotisivu

Semiconductor devices


Nimike Lajittele sitaattien mukaan Lajittele vuoden mukaan Lajittele otsikon mukaan	Viittaukset Viittaukset	Vuosi
A new method for the extraction of MOSFET parameters G Ghibaudo Electronics letters 24, 543-544, 1988	983	1988
Improved analysis of low frequency noise in field‐effect MOS transistors G Ghibaudo, O Roux, C Nguyen‐Duc, F Balestra, J Brini physica status solidi (a) 124 (2), 571-581, 1991	868	1991
Review on high-k dielectrics reliability issues G Ribes, J Mitard, M Denais, S Bruyere, F Monsieur, C Parthasarathy, ... IEEE Transactions on Device and materials Reliability 5 (1), 5-19, 2005	678	2005
Electrical noise and RTS fluctuations in advanced CMOS devices G Ghibaudo, T Boutchacha Microelectronics Reliability 42 (4-5), 573-582, 2002	427	2002
A stacked SONOS technology, up to 4 levels and 6nm crystalline nanowires, with gate-all-around or independent gates (Φ-Flash), suitable for full 3D integration A Hubert, E Nowak, K Tachi, V Maffini-Alvaro, C Vizioz, C Arvet, ... 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 1-4, 2009	344	2009
Ultimately thin double-gate SOI MOSFETs T Ernst, S Cristoloveanu, G Ghibaudo, T Ouisse, S Horiguchi, Y Ono, ... IEEE transactions on electron devices 50 (3), 830-838, 2003	301	2003
HfO₂-Based OxRAM Devices as Synapses for Convolutional Neural Networks D Garbin, E Vianello, O Bichler, Q Rafhay, C Gamrat, G Ghibaudo, ... IEEE Transactions on Electron Devices 62 (8), 2494-2501, 2015	232	2015
Direct evaluation of low-field mobility and access resistance in pentacene field-effect transistors Y Xu, T Minari, K Tsukagoshi, JA Chroboczek, G Ghibaudo Journal of Applied Physics 107 (11), 2010	232	2010
15nm-diameter 3D stacked nanowires with independent gates operation: ΦFET C Dupré, A Hubert, S Becu, M Jublot, V Maffini-Alvaro, C Vizioz, ... 2008 IEEE International Electron Devices Meeting, 1-4, 2008	193	2008
Improved split CV method for effective mobility extraction in sub-0.1-μm Si MOSFETs K Romanjek, F Andrieu, T Ernst, G Ghibaudo IEEE Electron Device Letters 25 (8), 583-585, 2004	191	2004
Ionizing radiation induced leakage current on ultra-thin gate oxides A Scarpa, A Paccagnella, F Montera, G Ghibaudo, G Pananakakis, ... IEEE Transactions on Nuclear Science 44 (6), 1818-1825, 1997	188	1997
Experimental and theoretical investigation of nano-crystal and nitride-trap memory devices B De Salvo, G Ghibaudo, G Pananakakis, P Masson, T Baron, N Buffet, ... IEEE Transactions on Electron Devices 48 (8), 1789-1799, 2001	175	2001
Device and circuit cryogenic operation for low temperature electronics F Balestra, G Ghibaudo Kluwer Academic Publishers, 2001	166	2001
Ultra-thin fully-depleted SOI MOSFETs: Special charge properties and coupling effects S Eminente, S Cristoloveanu, R Clerc, A Ohata, G Ghibaudo Solid-State Electronics 51 (2), 239-244, 2007	163	2007
3DVLSI with CoolCube process: An alternative path to scaling P Batude, C Fenouillet-Beranger, L Pasini, V Lu, F Deprat, L Brunet, ... 2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology), T48-T49, 2015	158	2015
A thorough investigation of progressive breakdown in ultra-thin oxides. Physical understanding and application for industrial reliability assessment F Monsieur, E Vincent, D Roy, S Bruyere, JC Vildeuil, G Pananakakis, ... 2002 IEEE International Reliability Physics Symposium. Proceedings. 40th …, 2002	156	2002
Temperature dependence of the Fowler–Nordheim current in metal‐oxide‐degenerate semiconductor structures G Pananakakis, G Ghibaudo, R Kies, C Papadas Journal of Applied Physics 78 (4), 2635-2641, 1995	149	1995
Unexpected mobility degradation for very short devices: A new challenge for CMOS scaling A Cros, K Romanjek, D Fleury, S Harrison, R Cerutti, P Coronel, ... 2006 International Electron Devices Meeting, 1-4, 2006	147	2006
75 nm damascene metal gate and high-k integration for advanced CMOS devices B Guillaumot, X Garros, F Lime, K Oshima, B Tavel, JA Chroboczek, ... Digest. International Electron Devices Meeting,, 355-358, 2002	147	2002
Dry oxidation of silicon: A new model of growth including relaxation of stress by viscous flow A Fargeix, G Ghibaudo Journal of applied physics 54 (12), 7153-7158, 1983	147	1983

Järjestelmä ei voi suorittaa toimenpidettä nyt. Yritä myöhemmin uudelleen.

Artikkelit 1–20

Sitaatteja vuodessa

Päällekkäiset lähteet

Yhdistetyt sitaatit

Lisää muut kirjoittajatMuut kirjoittajat

Seuraa

Viittaukset

Muut kirjoittajat