Babak Fallahazad

Viittaukset

	Kaikki	2020 lähtien
Sitaatit	5996	2982
h-indeksi	23	20
i10-indeksi	26	22

660

330

165

495

20112012201320142015201620172018201920202021202220232024202528 55 100 261 346 479 504 631 579 634 644 577 527 529 69

Yleisessä käytössä

Näytä kaikki

11 artikkelia

1 artikkeli

käytettävissä

ei käytettävissä

Perustuu rahoitusehtoihin

Muut kirjoittajat

Emanuel TutucProfessor, The University of Texas at AustinVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa mer.utexas.edu
Kyounghwan KimAppleVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa utexas.edu
Stefano LarentisFA Engineer @ NXP SemiconductorsVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa utexas.edu
Kayoung LeeKAISTVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa kaist.ac.kr
Sangwoo KangIntel CorporationVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa intel.com
Luigi ColomboUniversity of Texas at DallasVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa utdallas.edu
Allan H. MacDonaldUniversity of Texas Austin, Indiana University, NRC Canada, U of TorontoVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa physics.utexas.edu
Yufeng HaoProfessor of Materials Science and Engineering, Nanjing UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa nju.edu.cn
Rodney RuoffThe IBS CMCM, Dept. of Chemistry, Dept. of MS&ESchool of Energy and ChEng,Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa unist.ac.kr
Seyoung KimPOSTECHVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa postech.ac.kr
Oki GunawanResearch Staff Member IBM, Princeton UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa us.ibm.com
Supratik GuhaUniversity of Chicago and Argonne National LaboratoryVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa uchicago.edu
Insun JoIntel Corporation, Princeton University, The University of Texas at AustinVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa utexas.edu
chen, ray t.Keys and Joan Curry/Cullen Trust Endowed Chair Professor, UT Austin; MURI Center Director, FounderVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ece.utexas.edu
Amir HosseiniInfinera, University of Texas at Austin, Rice UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa utexas.edu
David KwongUniversity of Texas at AustinVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa utexas.edu
Hongki MinProfessor, Department of Physics, Seoul National UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa snu.ac.kr
Junghyo NahProfessor, Dept. of Electrical Engineering, Chungnam National UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa cnu.ac.kr
En-Shao LiuUniversity of Texas at AustinVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa mail.utexas.edu

Seuraa

Babak Fallahazad

Intel Corporation

Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa intel.com

CMOS Technology


Nimike Lajittele sitaattien mukaan Lajittele vuoden mukaan Lajittele otsikon mukaan	Viittaukset Viittaukset	Vuosi
The role of surface oxygen in the growth of large single-crystal graphene on copper Y Hao, MS Bharathi, L Wang, Y Liu, H Chen, S Nie, X Wang, H Chou, ... Science 342 (6159), 720-723, 2013	1309	2013
van der Waals heterostructures with high accuracy rotational alignment K Kim, M Yankowitz, B Fallahazad, S Kang, HCP Movva, S Huang, ... Nano letters 16 (3), 1989-1995, 2016	751	2016
Field-effect transistors and intrinsic mobility in ultra-thin MoSe2 layers S Larentis, B Fallahazad, E Tutuc Applied Physics Letters 101 (22), 2012	664	2012
Tunable moiré bands and strong correlations in small-twist-angle bilayer graphene K Kim, A DaSilva, S Huang, B Fallahazad, S Larentis, T Taniguchi, ... Proceedings of the National Academy of Sciences 114 (13), 3364-3369, 2017	561	2017
High-Mobility Holes in Dual-Gated WSe₂ Field-Effect Transistors HCP Movva, A Rai, S Kang, K Kim, B Fallahazad, T Taniguchi, ... ACS nano 9 (10), 10402-10410, 2015	325	2015
Shubnikov–de Haas Oscillations of High-Mobility Holes in Monolayer and Bilayer : Landau Level Degeneracy, Effective Mass, and Negative Compressibility B Fallahazad, HCP Movva, K Kim, S Larentis, T Taniguchi, K Watanabe, ... Physical review letters 116 (8), 086601, 2016	218	2016
Gate-tunable resonant tunneling in double bilayer graphene heterostructures B Fallahazad, K Lee, S Kang, J Xue, S Larentis, C Corbet, K Kim, ... Nano letters 15 (1), 428-433, 2015	202	2015
Chemical potential and quantum Hall ferromagnetism in bilayer graphene K Lee, B Fallahazad, J Xue, DC Dillen, K Kim, T Taniguchi, K Watanabe, ... Science 345 (6192), 58-61, 2014	187	2014
Band Alignment in WSe₂–Graphene Heterostructures K Kim, S Larentis, B Fallahazad, K Lee, J Xue, DC Dillen, CM Corbet, ... ACS nano 9 (4), 4527-4532, 2015	185	2015
Band Offset and Negative Compressibility in Graphene-MoS₂ Heterostructures S Larentis, JR Tolsma, B Fallahazad, DC Dillen, K Kim, AH MacDonald, ... Nano letters 14 (4), 2039-2045, 2014	177	2014
Direct measurement of the Fermi energy in graphene using a double-layer heterostructure S Kim, I Jo, DC Dillen, DA Ferrer, B Fallahazad, Z Yao, SK Banerjee, ... Physical review letters 108 (11), 116404, 2012	143	2012
Reconfigurable Complementary Monolayer MoTe₂ Field-Effect Transistors for Integrated Circuits S Larentis, B Fallahazad, HCP Movva, K Kim, A Rai, T Taniguchi, ... ACS nano 11 (5), 4832-4839, 2017	140	2017
Scaling of Al2O3 dielectric for graphene field-effect transistors B Fallahazad, K Lee, G Lian, S Kim, CM Corbet, DA Ferrer, L Colombo, ... Applied Physics Letters 100 (9), 2012	140	2012
Dielectric thickness dependence of carrier mobility in graphene with HfO2 top dielectric B Fallahazad, S Kim, L Colombo, E Tutuc Applied Physics Letters 97 (12), 2010	135	2010
Density-Dependent Quantum Hall States and Zeeman Splitting in Monolayer and Bilayer HCP Movva, B Fallahazad, K Kim, S Larentis, T Taniguchi, K Watanabe, ... Physical review letters 118 (24), 247701, 2017	124	2017
Experimental demonstration of phase modulation and motion sensing using graphene-integrated metasurfaces N Dabidian, S Dutta-Gupta, I Kholmanov, K Lai, F Lu, J Lee, M Jin, ... Nano Letters 16 (6), 3607-3615, 2016	117	2016
High performance wire‐array silicon solar cells O Gunawan, K Wang, B Fallahazad, Y Zhang, E Tutuc, S Guha Progress in Photovoltaics: Research and Applications 19 (3), 307-312, 2011	111	2011
Large effective mass and interaction-enhanced Zeeman splitting of -valley electrons in S Larentis, HCP Movva, B Fallahazad, K Kim, A Behroozi, T Taniguchi, ... Physical Review B 97 (20), 201407, 2018	109	2018
Coherent Interlayer Tunneling and Negative Differential Resistance with High Current Density in Double Bilayer Graphene–WSe₂ Heterostructures GW Burg, N Prasad, B Fallahazad, A Valsaraj, K Kim, T Taniguchi, ... Nano letters 17 (6), 3919-3925, 2017	72	2017
Bilayer Graphene-Hexagonal Boron Nitride Heterostructure Negative Differential Resistance Interlayer Tunnel FET S Kang, B Fallahazad, K Lee, H Movva, K Kim, CM Corbet, T Taniguchi, ... Electron Device Letters 36 (4), 405 - 407, 2015	67	2015

Järjestelmä ei voi suorittaa toimenpidettä nyt. Yritä myöhemmin uudelleen.

Artikkelit 1–20

Sitaatteja vuodessa

Päällekkäiset lähteet

Yhdistetyt sitaatit

Lisää muut kirjoittajatMuut kirjoittajat

Seuraa

Viittaukset

Muut kirjoittajat