Siddharth Rajan

Viittaukset

	Kaikki	2020 lähtien
Sitaatit	18022	10706
h-indeksi	74	54
i10-indeksi	199	159

2300

1150

575

1725

2006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202595 87 142 150 221 211 269 494 605 712 829 818 1052 1531 1830 2006 2295 2173 2113 287

Yleisessä käytössä

Näytä kaikki

108 artikkelia

24 artikkelia

käytettävissä

ei käytettävissä

Perustuu rahoitusehtoihin

Muut kirjoittajat

Sriram KrishnamoorthyUniversity of California, Santa BarbaraVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ucsb.edu
Zhanbo XiaPost Doctoral Scholar, ECE, The Ohio State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa osu.edu
Umesh MishraUCSBVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ece.ucsb.edu
Digbijoy NathAssociate Professor at Indian Institute of ScienceVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa iisc.ac.in
Yuewei ZhangUCSBVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ucsb.edu
Chandan JoishiResearch Scientist, The Ohio State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa osu.edu
Jim SpeckProfessor of Materials, UCSBVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ucsb.edu
Fatih AkyolYıldız Teknik ÜniversitesiVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa yildiz.edu.tr
Sanyam BajajIntel CorporationVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa intel.com
PIL SUNG PARKTechnology Development Center, Samsung ElectronicsVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa osu.edu
Steven RingelThe Ohio State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa osu.edu
Jinwoo HwangAssociate Professor, Materials Science and Engineering, Ohio State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa osu.edu
Aaron ArehartAssistant Research Professor of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa osu.edu
Stacia KellerUniversity of California Santa BarbaraVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ece.ucsb.edu
Steven DenBaarsProfessor of Materials, University of California Santa BarbaraVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa engineering.ucsb.edu
Nidhin Kurian KalarickalAssistant Professor, Electrical Computer and Energy Engineering, Arizona State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa asu.edu
Joe McGloneResearch Scientist, ECE and IMR at Ohio State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa osu.edu
Wu Lu, ProfessorThe Ohio State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa osu.edu
Shahadat Hasan SohelIntelVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa intel.com
Roberto C. MyersProfessor of Materials Science, Electrical Engineering, and Physics, The Ohio State UniversityVahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa osu.edu

Seuraa

Siddharth Rajan

Electrical and Computer Engineering, Ohio State University

Vahvistettu sähköpostiosoite verkkotunnuksessa ece.osu.edu - Kotisivu

semiconductors semiconductor devices


Nimike Lajittele sitaattien mukaan Lajittele vuoden mukaan Lajittele otsikon mukaan	Viittaukset Viittaukset	Vuosi
Ultrawide‐bandgap semiconductors: research opportunities and challenges JY Tsao, S Chowdhury, MA Hollis, D Jena, NM Johnson, KA Jones, ... Advanced Electronic Materials 4 (1), 1600501, 2018	1421	2018
Room temperature intrinsic ferromagnetism in epitaxial manganese selenide films in the monolayer limit DJ O’Hara, T Zhu, AH Trout, AS Ahmed, YK Luo, CH Lee, MR Brenner, ... Nano letters 18 (5), 3125-3131, 2018	761	2018
High-power AlGaN/GaN HEMTs for ka-band applications T Palacios, A Chakraborty, S Rajan, C Poblenz, S Keller, SP DenBaars, ... IEEE Electron device letters 26 (11), 781-783, 2005	617	2005
The 2020 UV emitter roadmap H Amano, R Collazo, C De Santi, S Einfeldt, M Funato, J Glaab, ... Journal of Physics D: Applied Physics 53 (50), 503001, 2020	474	2020
Demonstration of high mobility and quantum transport in modulation-doped β-(AlxGa1-x) 2O3/Ga2O3 heterostructures Y Zhang, A Neal, Z Xia, C Joishi, JM Johnson, Y Zheng, S Bajaj, ... Applied Physics Letters 112 (17), 2018	412	2018
p-type doping of MoS2 thin films using Nb MR Laskar, DN Nath, L Ma, EW Lee, CH Lee, T Kent, Z Yang, R Mishra, ... Applied Physics Letters 104 (9), 2014	361	2014
β-Gallium oxide power electronics AJ Green, J Speck, G Xing, P Moens, F Allerstam, K Gumaelius, T Neyer, ... Apl Materials 10 (2), 2022	353	2022
Modulation-doped β-(Al0. 2Ga0. 8) 2O3/Ga2O3 field-effect transistor S Krishnamoorthy, Z Xia, C Joishi, Y Zhang, J McGlone, J Johnson, ... Applied Physics Letters 111 (2), 2017	336	2017
Electrostatic carrier doping of GdTiO3/SrTiO3 interfaces P Moetakef, TA Cain, DG Ouellette, JY Zhang, DO Klenov, A Janotti, ... Applied Physics Letters 99 (23), 2011	319	2011
N-polar GaN∕ AlGaN∕ GaN high electron mobility transistors S Rajan, A Chini, MH Wong, JS Speck, UK Mishra Journal of Applied Physics 102 (4), 2007	297	2007
Large area single crystal (0001) oriented MoS2 MR Laskar, L Ma, S Kannappan, P Sung Park, S Krishnamoorthy, ... Applied Physics Letters 102 (25), 2013	275	2013
High responsivity in molecular beam epitaxy grown β-Ga2O3 metal semiconductor metal solar blind deep-UV photodetector A Singh Pratiyush, S Krishnamoorthy, S Vishnu Solanke, Z Xia, ... Applied Physics Letters 110 (22), 2017	272	2017
Influence of the dynamic access resistance in the g/sub m/and f/sub T/linearity of AlGaN/GaN HEMTs T Palacios, S Rajan, A Chakraborty, S Heikman, S Keller, SP DenBaars, ... IEEE Transactions on Electron Devices 52 (10), 2117-2123, 2005	263	2005
N-polar GaN epitaxy and high electron mobility transistors MH Wong, S Keller, SD Nidhi, DJ Denninghoff, S Kolluri, DF Brown, J Lu, ... Semiconductor Science and Technology 28 (7), 074009, 2013	260	2013
Polarity governs atomic interaction through two-dimensional materials W Kong, H Li, K Qiao, Y Kim, K Lee, Y Nie, D Lee, T Osadchy, RJ Molnar, ... Nature materials 17 (11), 999-1004, 2018	259	2018
Effect of carbon doping on buffer leakage in AlGaN/GaN high electron mobility transistors C Poblenz, P Waltereit, S Rajan, S Heikman, UK Mishra, JS Speck Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 2004	238	2004
Electrical properties of atomic layer deposited aluminum oxide on gallium nitride M Esposto, S Krishnamoorthy, DN Nath, S Bajaj, TH Hung, S Rajan Applied Physics Letters 99 (13), 2011	209	2011
Prospects for the application of GaN power devices in hybrid electric vehicle drive systems M Su, C Chen, S Rajan Semiconductor Science and Technology 28 (7), 074012, 2013	207	2013
Polarization-engineered GaN/InGaN/GaN tunnel diodes S Krishnamoorthy, DN Nath, F Akyol, PS Park, M Esposto, S Rajan Applied Physics Letters 97 (20), 2010	198	2010
Suppression of electron overflow and efficiency droop in N-polar GaN green light emitting diodes F Akyol, DN Nath, S Krishnamoorthy, PS Park, S Rajan Applied Physics Letters 100 (11), 2012	188	2012

Järjestelmä ei voi suorittaa toimenpidettä nyt. Yritä myöhemmin uudelleen.

Artikkelit 1–20

Sitaatteja vuodessa

Päällekkäiset lähteet

Yhdistetyt sitaatit

Lisää muut kirjoittajatMuut kirjoittajat

Seuraa

Viittaukset

Muut kirjoittajat