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Rajas Mathkari
Rajas Mathkari
PhD candidate, University at Albany
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Optimization of the position of TaOx: N-based barrier layer in TaOx RRAM devices
P Ravindra, M Liehr, R Mathkari, K Beckmann, N Tokranova, N Cady
Frontiers in Materials 11, 1343076, 0
2
Investigation of the effect of oxygen partial pressure during reactive sputtering of tantalum oxide resistive random access memory switching layer
R Mathkari, M Liehr, P Ravindra, R Pareis, K Beckmann, N Tokranova, ...
Materials Science in Semiconductor Processing 186, 109060, 2025
2025
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