Juan A. López-Villanueva

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Francisco GamizProfessor of ElectronicsAdresse e-mail validée de ugr.es
Juan B. RoldánDepartment of Electronics and Computer Technology. Granada University (Spain)Adresse e-mail validée de ugr.es
Alberto J PalmaFull Professor of Electronics (Univ of Granada - Spain)Adresse e-mail validée de ugr.es
salvador RODRIGUEZ BOLIVARUniversidad de GranadaAdresse e-mail validée de go.ugr.es
Jesús BanqueriUniversity of GranadaAdresse e-mail validée de ugr.es
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Almudena RivadeneyraRamón y Cajal fellow, Department of Electronics and Computer Technology, University of GranadaAdresse e-mail validée de ugr.es
José F. SalmerónPhD ResearcherAdresse e-mail validée de tum.de
Luis Fermin Capitan-VallveyUniversity of GranadaAdresse e-mail validée de ugr.es
Pedro Cartujo CassinelloProfesor de Electrónica, Universidad de GranadaAdresse e-mail validée de ugr.es
MJ DeenDistinguished University Professor, McMaster UniversityAdresse e-mail validée de mcmaster.ca
Manuel Agudo AcemelHp IncAdresse e-mail validée de hp.com
Pilar Lopez VaroPostDoc, IPVFAdresse e-mail validée de ipvf.fr
Francisco Jiménez-MolinosUniversidad de GranadaAdresse e-mail validée de ugr.es
K.M. AwawdehPalestine Technical University-KadoorieAdresse e-mail validée de ptuk.edu.ps
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Juan A. López-Villanueva

Catedrático de Tecnología Electrónica, Universidad de Granada

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Design and characterization of a low thermal drift capacitive humidity sensor by inkjet-printing A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, M Agudo, JA López-Villanueva, ... Sensors and Actuators B: Chemical 195, 123-131, 2014	168	2014
Quantum two-dimensional calculation of time constants of random telegraph signals in metal-oxide–semiconductor structures A Palma, A Godoy, JA Jimenez-Tejada, JE Carceller, ... Physical Review B 56 (15), 9565, 1997	167	1997
Surface roughness at the interfaces in fully depleted silicon-on-insulator inversion layers F Gámiz, JB Roldán, JA López-Villanueva, P Cartujo-Cassinello, ... Journal of Applied Physics 86 (12), 6854-6863, 1999	147	1999
Physical model for trap-assisted inelastic tunneling in metal-oxide-semiconductor structures F Jiménez-Molinos, A Palma, F Gámiz, J Banqueri, JA Lopez-Villanueva Journal of Applied Physics 90 (7), 3396-3404, 2001	130	2001
Direct and trap-assisted elastic tunneling through ultrathin gate oxides F Jiménez-Molinos, F Gámiz, A Palma, P Cartujo, JA López-Villanueva Journal of Applied Physics 91 (8), 5116-5124, 2002	118	2002
Evaluation of a low-cost commercial mosfet as radiation dosimeter LJ Asensio, MA Carvajal, JA Lopez-Villanueva, M Vilches, AM Lallena, ... Sensors and Actuators A: Physical 125 (2), 288-295, 2006	114	2006
A novel electrode structure compared with interdigitated electrodes as capacitive sensor A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, J Banqueri, JA López-Villanueva, ... Sensors and Actuators B: Chemical 204, 552-560, 2014	107	2014
Effects of the inversion-layer centroid on the performance of double-gate MOSFETs JA López-Villanueva, P Cartujo-Cassinello, F Gámiz, J Banqueri, ... IEEE Transactions on Electron Devices 47 (1), 141-146, 2000	102	2000
Monte Carlo simulation of electron transport properties in extremely thin SOI MOSFET's F Gámiz, JA López-Villanueva, JB Roldán, JE Carceller, P Cartujo IEEE Transactions on Electron Devices 45 (5), 1122-1126, 1998	102	1998
A comprehensive model for Coulomb scattering in inversion layers F Gámiz, JA López‐Villanueva, JA Jiménez‐Tejada, I Melchor, A Palma Journal of applied physics 75 (2), 924-934, 1994	102	1994
Effects of the inversion layer centroid on MOSFET behavior JA Lopez-Villanueva, P Cartujo-Casinello, J Banqueri, F Gamiz, ... IEEE Transactions on Electron Devices 44 (11), 1915-1922, 1997	101	1997
Printed electrodes structures as capacitive humidity sensors: A comparison A Rivadeneyra, J Fernández-Salmerón, M Agudo-Acemel, ... Sensors and Actuators A: Physical 244, 56-65, 2016	90	2016
A simple subthreshold swing model for short channel MOSFETs A Godoy, JA López-Villanueva, JA Jiménez-Tejada, A Palma, F Gámiz Solid-State Electronics 45 (3), 391-397, 2001	80	2001
Role of surface-roughness scattering in double gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldán, P Cartujo-Cassinello, JA López-Villanueva, ... Journal of Applied Physics 89 (3), 1764-1770, 2001	80	2001
A Monte Carlo study on the electron‐transport properties of high‐performance strained‐Si on relaxed Si_1−xGe_x channel MOSFETs JB Roldán, F Gámiz, JA López‐Villanueva, JE Carceller Journal of applied physics 80 (9), 5121-5128, 1996	79	1996
Modeling effects of electron-velocity overshoot in a MOSFET JB Roldan, F Gamiz, JA Lopez-Villanueva, JE Carceller IEEE Transactions on Electron Devices 44 (5), 841-846, 1997	74	1997
Universality of electron mobility curves in MOSFETs: A Monte Carlo study F Gamiz, JA Lopez-Villanueva, J Banqueri, JE Carceller, P Cartujo IEEE transactions on electron devices 42 (2), 258-265, 1995	73	1995
Electron mobility in extremely thin single-gate silicon-on-insulator inversion layers F Gamiz, JB Roldán, P Cartujo-Cassinello, JE Carceller, ... Journal of applied physics 86 (11), 6269-6275, 1999	65	1999
Recent advances in printed capacitive sensors A Rivadeneyra, JA López-Villanueva Micromachines 11 (4), 367, 2020	60	2020
Modified Schrödinger equation including nonparabolicity for the study of a two-dimensional electron gas JA Lo, I Melchor, P Cartujo, JE Carceller Physical Review B 48 (3), 1626, 1993	60	1993

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