Jaroslaw Z. Domagala

Hivatkozott rá

	Összes	2020 óta
Hivatkozások	4021	1149
h-index	30	16
i10-index	126	36

260

130

195

199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202513 11 33 20 50 47 84 116 94 100 144 91 108 125 114 122 135 149 204 184 130 143 238 184 204 222 200 183 244 245 54

Nyilvános hozzáférés

Összes megtekintése

31 cikk

6 cikk

elérhető

nem érhető el

Finanszírozási megbízások alapján

Társszerzők

Janusz SadowskiInstitute of Physics Polish Academy of Sciences OR Linnaeus University OR Lund UniversityE-mail megerősítve itt: ensemble3.eu
Michał LeszczynskiE-mail megerősítve itt: unipress.waw.pl
Wojciech PaszkowiczProfessor of Materials Science, Institute of Physics, WarsawE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Slawomir KretInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Piotr DluzewskiInstitute of Phisics PASE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Marek GodlewskiInstytut Fizyki PANE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Roman MinikayevInstitute of Physics PAS, Warsaw E-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Michal BockowskiInstitute of High Pressure Physics PASE-mail megerősítve itt: unipress.waw.pl
Elżbieta GuziewiczInstitute of Physics Polish Academy of Sciences & Los Alamos National LaboratoryE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Henryk TeisseyreInstitute of Physics of the Polish Academy of SciencesE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Robert CzerneckiInstitue of High Pressure Physics PASE-mail megerősítve itt: unipress.waw.pl
Roland MathieuUppsala UniversityE-mail megerősítve itt: angstrom.uu.se
P. SvedlindhUppsala UniversityE-mail megerősítve itt: angstrom.uu.se
Maciej SawickiInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Grzegorz KarczewskiInstytut Fizyki, Polska Akademia NaukE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Anna ReszkaInstitute of Physics Polish Academy of SciencesE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Eliana KaminskaInstitute of Electron Technology, Institute of High Pressure PhysicsE-mail megerősítve itt: unipress.waw.pl
Krzysztof DybkoInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Tomasz DietlInstitute of Physics, Polish Academy of SciencesE-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl
Julita Smalc-Koziorowska, Julita SmalcInstitute of High Pressure Physics PASE-mail megerősítve itt: unipress.waw.pl

Követés

Jaroslaw Z. Domagala

Institute of Physics, Polish Academy of Science, Warsaw, Poland

E-mail megerősítve itt: ifpan.edu.pl

Materials Science Crystallography Physics


Cím Rendezés hivatkozások szerint Rendezés év szerint Rendezés cím szerint	Hivatkozott rá Hivatkozott rá	Év
Electrical and optical properties of NiO films deposited by magnetron sputtering. M Guziewicz, J Grochowski, M Borysiewicz, E Kaminska, JZ Domagala, ... Optica Applicata 41 (2), 2011	131	2011
Basic ammonothermal growth of Gallium Nitride–State of the art, challenges, perspectives M Zajac, R Kucharski, K Grabianska, A Gwardys-Bak, A Puchalski, ... Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 64 (3), 63-74, 2018	116	2018
Influence of defects on the lattice constant of GaMnAs J Sadowski, JZ Domagala Physical Review B 69 (7), 075206, 2004	108	2004
Structural and magnetic properties of molecular beam epitaxy grown GaMnAs layers J Sadowski, JZ Domagała, J Bak-Misiuk, S Koleśnik, M Sawicki, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 2000	89	2000
Structural and magnetic properties of GaMnAs layers with high Mn-content grown by migration-enhanced epitaxy on GaAs (100) substrates J Sadowski, R Mathieu, P Svedlindh, JZ Domagała, J Bak-Misiuk, ... Applied Physics Letters 78 (21), 3271-3273, 2001	84	2001
Observation of topological crystalline insulator surface states on (111)-oriented PbSnSe films CM Polley, P Dziawa, A Reszka, A Szczerbakow, R Minikayev, ... Physical Review B 89 (7), 075317, 2014	82	2014
The microstructure of gallium nitride monocrystals grown at high pressure M Leszczynski, I Grzegory, H Teisseyre, T Suski, M Bockowski, J Jun, ... Journal of crystal growth 169 (2), 235-242, 1996	80	1996
Postgrowth annealing of (Ga, Mn) As under As capping: An alternative way to increase TC M Adell, L Ilver, J Kanski, V Stanciu, P Svedlindh, J Sadowski, ... Applied Physics Letters 86 (11), 2005	79	2005
Effect of Mn interstitials on the lattice parameter of I Kuryliszyn-Kudelska, JZ Domagała, T Wojtowicz, X Liu, E Łusakowska, ... Journal of applied physics 95 (2), 603-608, 2004	76	2004
Relaxation of InGaN thin layers observed by X-ray and transmission electron microscopy studies Z Liliental-Weber, M Benamara, J Washburn, JZ Domagala, J Bak-Misiuk, ... Journal of electronic materials 30, 439-444, 2001	61	2001
Monocrystalline ZnO films on GaN/Al2O3 by atomic layer epitaxy in gas flow K Kopalko, M Godlewski, JZ Domagala, E Lusakowska, R Minikayev, ... Chemistry of materials 16 (8), 1447-1450, 2004	52	2004
Misfit strain anisotropy in partially relaxed lattice-mismatched InGaAs/GaAsheterostructures O Yastrubchak, T Wosiński, JZ Domagała, E Łusakowska, T Figielski, ... Journal of Physics: Condensed Matter 16 (2), S1, 2003	52	2003
Influence of GaN substrate off‐cut on properties of InGaN and AlGaN layers M Sarzynski, M Leszczynski, M Krysko, JZ Domagala, R Czernecki, ... Crystal Research and Technology 47 (3), 321-328, 2012	51	2012
Lattice constant of doped semiconductor M Leszczyński, E Litwin-Staszewska, T Suski, J Bąk-Misiuk, J Domagała Acta Physica Polonica A 88 (5), 837-840, 1995	51	1995
Monocrystalline zinc oxide films grown by atomic layer deposition T Krajewski, G Łuka, B Witkowski, B Kowalski, K Kopalko, JZ Domagala, ... Thin Solid Films 518 (16), 4556-4559, 2010	48	2010
Thermal properties of CaNdAlO4 and SrLaAlO4 single crystals P Byszewski, J Domagała, J Fink-Finowicki, A Pajaczkowska Materials research bulletin 27 (4), 483-490, 1992	46	1992
High-pressure high-temperature annealing of ion-implanted GaN films monitored by visible and ultraviolet micro-Raman scattering M Kuball, JM Hayes, T Suski, J Jun, M Leszczynski, J Domagala, HH Tan, ... Journal of Applied Physics 87 (6), 2736-2741, 2000	44	2000
Thermal expansion of bulk and homoepitaxial GaN V Kirchner, H Heinke, D Hommel, JZ Domagala, M Leszczynski Applied Physics Letters 77 (10), 1434-1436, 2000	42	2000
Photoreflectance study of the fundamental optical properties of (Ga, Mn) As epitaxial films O Yastrubchak, J Żuk, H Krzyżanowska, JZ Domagala, T Andrearczyk, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 83 (24), 245201, 2011	41	2011
Structural properties of 10 μm thick InN grown on sapphire (0001) E Dimakis, JZ Domagala, A Delimitis, P Komninou, A Adikimenakis, ... Superlattices and Microstructures 40 (4-6), 246-252, 2006	37	2006

A rendszer jelenleg nem tudja elvégezni a műveletet. Próbálkozzon újra később.

Cikkek 1–20

Hivatkozások évente

Ismétlődő hivatkozások

Összevont hivatkozások

Társszerzők hozzáadásaTársszerzők

Követés

Hivatkozott rá

Társszerzők