Mamidala Jagadesh Kumar.

Hivatkozott rá

	Összes	2020 óta
Hivatkozások	9190	4365
h-index	48	35
i10-index	133	84

1100

550

275

825

2003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202531 56 65 110 87 86 133 138 139 180 245 379 447 568 625 702 712 786 1003 981 797 719 73

Nyilvános hozzáférés

Összes megtekintése

5 cikk

0 cikk

elérhető

nem érhető el

Finanszírozási megbízások alapján

Társszerzők

Shubham SahayAssistant Professor, Department of Electrical Engineering, IIT KanpurE-mail megerősítve itt: iitk.ac.in
Rajat VishnoiMicron TechnologyE-mail megerősítve itt: micron.com
Ali Asghar OroujiProfessor, Semnan UniversityE-mail megerősítve itt: semnan.ac.ir
Raghvendra Sahai SaxenaSolid State Physics LaboratoryE-mail megerősítve itt: sspl.drdo.in
Anurag ChaudhryE-mail megerősítve itt: ucdavis.edu
Sneh SaurabhIIIT, DelhiE-mail megerősítve itt: iiitd.ac.in
Dawit Burusie AbdiimecE-mail megerősítve itt: imec.be
Radhakrishnan SithanandamIndian Institute of Technology DelhiE-mail megerősítve itt: iitd.ac.in
Sumeet KalraIndian Institute of Technology Delhi, IndiaE-mail megerősítve itt: ee.iitd.ac.in
Sumeet GuptaSchool of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityE-mail megerősítve itt: purdue.edu
Avinash LahgereAssistant Professor IIT KanpurE-mail megerősítve itt: iitk.ac.in
Sindhu RamaswamyGlobalFoundries, IIT DelhiE-mail megerősítve itt: globalfoundries.com
Avikal BansalIndian Institute of Technology DelhiE-mail megerősítve itt: ee.iitd.ac.in
Gehan AmaratungaEmeritus Professor of Electrical Engineering, University of Cambridge; Professor Zhejiang UniversityE-mail megerősítve itt: cam.ac.uk
Mark LundstromProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityE-mail megerősítve itt: purdue.edu
Kang L. WangElectrical Engineering DepartmentE-mail megerősítve itt: ee.ucla.edu
Govind SaraswatEnphase EnergyE-mail megerősítve itt: enphaseenergy.com
Subrahmanyam BoyapatiAnalog Design Engineer-Synopsys-Dublin-IrelandE-mail megerősítve itt: ieee.org
Chongwu ZhouUniversity of Southern CaliforniaE-mail megerősítve itt: usc.edu
Sachit GroverManager at First Solar Inc.E-mail megerősítve itt: ieee.org

Követés

Mamidala Jagadesh Kumar.

Indian Institute of Technology Delhi; Chairman, UGC

E-mail megerősítve itt: ee.iitd.ac.in - Kezdőlap

Nanoelectronics Semiconductor Power Devices Compact Modeling


Cím Rendezés hivatkozások szerint Rendezés év szerint Rendezés cím szerint	Hivatkozott rá Hivatkozott rá	Év
Doping-less tunnel field effect transistor: Design and investigation MJ Kumar, S Janardhanan IEEE transactions on Electron Devices 60 (10), 3285-3290, 2013	645	2013
Controlling short-channel effects in deep-submicron SOI MOSFETs for improved reliability: a review A Chaudhry, MJ Kumar IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 4 (1), 99-109, 2004	566	2004
Novel attributes of a dual material gate nanoscale tunnel field-effect transistor S Saurabh, MJ Kumar IEEE transactions on Electron Devices 58 (2), 404-410, 2010	485	2010
Two-dimensional analytical modeling of fully depleted DMG SOI MOSFET and evidence for diminished SCEs MJ Kumar, A Chaudhry IEEE Transactions on Electron Devices 51 (4), 569-574, 2004	336	2004
Controlling ambipolar current in tunneling FETs using overlapping gate-on-drain DB Abdi, MJ Kumar IEEE Journal of the Electron Devices Society 2 (6), 187-190, 2014	325	2014
A new dual-material double-gate (DMDG) nanoscale SOI MOSFET-two-dimensional analytical modeling and simulation GV Reddy, MJ Kumar IEEE Transactions on Nanotechnology 4 (2), 260-268, 2005	292	2005
Bipolar charge-plasma transistor: a novel three terminal device MJ Kumar, K Nadda IEEE Transactions on Electron Devices 59 (4), 962-967, 2012	228	2012
Fundamentals of tunnel field-effect transistors S Saurabh, MJ Kumar CRC press, 2016	211	2016
Tunnel field-effect transistors (TFET) JK Mamidala, R Vishnoi, P Pandey John Wiley and Sons Ltd., West Sussex, UK, 2016	168*	2016
In-Built N⁺Pocket p-n-p-n Tunnel Field-Effect Transistor DB Abdi, MJ Kumar IEEE Electron Device Letters 35 (12), 1170-1172, 2014	168	2014
Impact of strain on drain current and threshold voltage of nanoscale double gate tunnel field effect transistor: Theoretical investigation and analysis S Saurabh, MJ Kumar Japanese Journal of Applied Physics 48 (6R), 064503, 2009	165	2009
Investigation of the novel attributes of a fully depleted dual-material gate SOI MOSFET A Chaudhry, MJ Kumar IEEE Transactions on Electron Devices 51 (9), 1463-1467, 2004	163	2004
Dielectric-modulated impact-ionization MOS transistor as a label-free biosensor N Kannan, MJ Kumar IEEE electron device letters 34 (12), 1575-1577, 2013	148	2013
Controlling the drain side tunneling width to reduce ambipolar current in tunnel FETs using heterodielectric BOX S Sahay, MJ Kumar IEEE transactions on electron devices 62 (11), 3882-3886, 2015	142	2015
Junctionless field-effect transistors: design, modeling, and simulation S Sahay, MJ Kumar John Wiley & Sons, 2019	121	2019
Compact analytical model of dual material gate tunneling field-effect transistor using interband tunneling and channel transport R Vishnoi, MJ Kumar IEEE Transactions on Electron Devices 61 (6), 1936-1942, 2014	119	2014
Nanotube junctionless FET: proposal, design, and investigation S Sahay, MJ Kumar IEEE Transactions on Electron Devices 64 (4), 1851-1856, 2017	115	2017
Dielectric modulated overlapping gate-on-drain tunnel-FET as a label-free biosensor DB Abdi, MJ Kumar Superlattices and Microstructures 86, 198-202, 2015	110	2015
Insight into lateral band-to-band-tunneling in nanowire junctionless FETs S Sahay, MJ Kumar IEEE Transactions on Electron Devices 63 (10), 4138-4142, 2016	108	2016
Compact analytical drain current model of gate-all-around nanowire tunneling FET R Vishnoi, MJ Kumar IEEE Transactions on Electron Devices 61 (7), 2599-2603, 2014	104	2014

A rendszer jelenleg nem tudja elvégezni a műveletet. Próbálkozzon újra később.

Cikkek 1–20

Hivatkozások évente

Ismétlődő hivatkozások

Összevont hivatkozások

Társszerzők hozzáadásaTársszerzők

Követés

Hivatkozott rá

Társszerzők