‪Sindhu Ramaswamy‬ - ‪Google Tudós‬

Saját profil készítése

Hivatkozott rá

	Összes	2020 óta
Hivatkozások	757	435
h-index	4	4
i10-index	4	4

0

120

60

30

90

20142015201620172018201920202021202220232024202525 39 46 63 67 81 80 97 111 75 62 10

Társszerzők

Mamidala Jagadesh Kumar.Indian Institute of Technology Delhi; Chairman, UGCE-mail megerősítve itt: ee.iitd.ac.in

Sindhu Ramaswamy

Sindhu Ramaswamy

GlobalFoundries, IIT Delhi

E-mail megerősítve itt: globalfoundries.com

Compact modeling of semiconductor devices Micro/Nanoelectronics Nanoscale semiconductor devices


Cím Rendezés hivatkozások szerint Rendezés év szerint Rendezés cím szerint	Hivatkozott rá Hivatkozott rá	Év
Doping-less tunnel field effect transistor: Design and investigation MJ Kumar, S Janardhanan IEEE transactions on Electron Devices 60 (10), 3285-3290, 2013	645	2013
Junctionless impact ionization MOS: Proposal and investigation S Ramaswamy, MJ Kumar IEEE Transactions on Electron Devices 61 (12), 4295-4298, 2014	62	2014
Double Gate Symmetric Tunnel FET: Investigation and Analysis S Ramaswamy, MJ Kumar IET Circuits, Devices and Systems, 2016	28	2016
Raised source/drain Dopingless Junctionless Accumulation Mode FET: Design and Analysis S Ramaswamy, MJ Kumar IEEE Transactions on Electron Devices, 2016	22	2016

A rendszer jelenleg nem tudja elvégezni a műveletet. Próbálkozzon újra később.

Cikkek 1–4