Theresia Knobloch

Hivatkozott rá

	Összes	2020 óta
Hivatkozások	3143	2870
h-index	20	20
i10-index	29	28

960

480

240

720

20172018201920202021202220232024202537 88 136 190 272 539 723 959 182

Nyilvános hozzáférés

Összes megtekintése

40 cikk

6 cikk

elérhető

nem érhető el

Finanszírozási megbízások alapján

Társszerzők

Tibor GrasserProfessor at TU Wien, Head of Institute for Microelectronics, Fellow IEEEE-mail megerősítve itt: iue.tuwien.ac.at
Yury Illarionov (Юрий Юрьевич Илла...Southern University of Science and Technology (SUSTech)E-mail megerősítve itt: sustech.edu.cn
Michael WaltlFull Professor at TU Wien, Vienna, AustriaE-mail megerősítve itt: iue.tuwien.ac.at
Thomas MuellerVienna University of TechnologyE-mail megerősítve itt: tuwien.ac.at
Gerhard RzepaGlobal TCAD SolutionsE-mail megerősítve itt: globaltcad.com
Mario LanzaIEEE Fellow | Associate Professor at National University of SingaporeE-mail megerősítve itt: kaust.edu.sa
Nikolai SokolovLeader of research group at Ioffe Institute of Russian Academy of SciencesE-mail megerősítve itt: fl.ioffe.ru
Dominic WaldhörPostdoctoral Researcher, Institute for Microelectronics, TU WienE-mail megerősítve itt: iue.tuwien.ac.at
Max C. LemmeProfessor, RWTH Aachen University, Germany, Director, AMO GmbHE-mail megerősítve itt: eld.rwth-aachen.de
Dmitry PolyushkinPhotonics Institute, TU WienE-mail megerősítve itt: tuwien.ac.at
Alexander Grillprinciple researcher, imecE-mail megerősítve itt: imec.be
Ben KaczerimecE-mail megerősítve itt: imec.be
Eric PopPease-Ye Professor of Electrical Engineering, MSE, AP at Stanford & SLACE-mail megerősítve itt: stanford.edu
Joerg AppenzellerProfessor of Electrical and Computer Engineering, Purdue UniversityE-mail megerősítve itt: purdue.edu
Saptarshi DasAckley Professor of Engineering, Pennsylvania State UniversityE-mail megerősítve itt: psu.edu
Deji AkinwandeThe University of Texas at Austin, IEEE, MRS, APS, AAS FellowE-mail megerősítve itt: ece.utexas.edu
Mathieu LuisierETH ZurichE-mail megerősítve itt: iis.ee.ethz.ch
Zhihong ChenPurdue UniversityE-mail megerősítve itt: purdue.edu
Uygar E. AvciComponents Research, Intel Corp.E-mail megerősítve itt: intel.com
Fabian DucryETH ZurichE-mail megerősítve itt: imec.be

Követés

Theresia Knobloch

Researcher, TU Wien

E-mail megerősítve itt: iue.tuwien.ac.at - Kezdőlap

Nanoelectronics Defects 2D Materials Device Modeling Reliability


Cím Rendezés hivatkozások szerint Rendezés év szerint Rendezés cím szerint	Hivatkozott rá Hivatkozott rá	Év
Transistors based on two-dimensional materials for future integrated circuits S Das, A Sebastian, E Pop, CJ McClellan, AD Franklin, T Grasser, ... Nature Electronics 4 (11), 786-799, 2021	665	2021
Insulators for 2D nanoelectronics: the gap to bridge YY Illarionov, T Knobloch, M Jech, M Lanza, D Akinwande, MI Vexler, ... Nature communications 11 (1), 3385, 2020	434	2020
The performance limits of hexagonal boron nitride as an insulator for scaled CMOS devices based on two-dimensional materials T Knobloch, YY Illarionov, F Ducry, C Schleich, S Wachter, K Watanabe, ... Nature Electronics 4 (2), 98-108, 2021	291	2021
Ultrathin calcium fluoride insulators for two-dimensional field-effect transistors YY Illarionov, AG Banshchikov, DK Polyushkin, S Wachter, T Knobloch, ... Nature Electronics 2 (6), 230-235, 2019	255	2019
The role of charge trapping in MoS2/SiO2 and MoS2/hBN field-effect transistors YY Illarionov, G Rzepa, M Waltl, T Knobloch, A Grill, MM Furchi, T Mueller, ... 2D Materials 3 (3), 035004, 2016	247	2016
Comphy—A compact-physics framework for unified modeling of BTI G Rzepa, J Franco, B O’Sullivan, A Subirats, M Simicic, G Hellings, ... Microelectronics Reliability 85, 49-65, 2018	194	2018
Improved Hysteresis and Reliability of MoS₂ Transistors With High-Quality CVD Growth and Al₂O₃ Encapsulation YY Illarionov, KKH Smithe, M Waltl, T Knobloch, E Pop, T Grasser IEEE Electron Device Letters 38 (12), 1763-1766, 2017	124	2017
Improving stability in two-dimensional transistors with amorphous gate oxides by Fermi-level tuning T Knobloch, B Uzlu, YY Illarionov, Z Wang, M Otto, L Filipovic, M Waltl, ... Nature Electronics 5 (6), 356-366, 2022	81	2022
Characterization of Single Defects in Ultrascaled MoS₂ Field-Effect Transistors B Stampfer, F Zhang, YY Illarionov, T Knobloch, P Wu, M Waltl, A Grill, ... ACS nano 12 (6), 5368-5375, 2018	79	2018
Energetic mapping of oxide traps in MoS2 field-effect transistors YY Illarionov, T Knobloch, M Waltl, G Rzepa, A Pospischil, DK Polyushkin, ... 2D Materials 4 (2), 025108, 2017	77	2017
A Physical Model for the Hysteresis in MoS₂ Transistors T Knobloch, G Rzepa, YY Illarionov, M Waltl, F Schanovsky, B Stampfer, ... IEEE Journal of the Electron Devices Society 6, 972-978, 2018	69	2018
Highly-stable black phosphorus field-effect transistors with low density of oxide traps YY Illarionov, M Waltl, G Rzepa, T Knobloch, JS Kim, D Akinwande, ... npj 2D Materials and Applications 1 (1), 23, 2017	67	2017
Dielectric Properties of Ultrathin CaF₂ Ionic Crystals C Wen, AG Banshchikov, YY Illarionov, W Frammelsberger, T Knobloch, ... Advanced Materials 32 (34), 2002525, 2020	66	2020
Reliability of scalable MoS2 FETs with 2 nm crystalline CaF2 insulators YY Illarionov, AG Banshchikov, DK Polyushkin, S Wachter, T Knobloch, ... 2D Materials 6 (4), 045004, 2019	43	2019
Perspective of 2D integrated electronic circuits: Scientific pipe dream or disruptive technology? M Waltl, T Knobloch, K Tselios, L Filipovic, B Stampfer, Y Hernandez, ... Advanced Materials 34 (48), 2201082, 2022	40	2022
Impact of layer and substrate properties on the surface acoustic wave velocity in scandium doped aluminum nitride based SAW devices on sapphire M Gillinger, K Shaposhnikov, T Knobloch, M Schneider, M Kaltenbacher, ... Applied physics letters 108 (23), 2016	40	2016
Piezoelectricity in two dimensions: Graphene vs. molybdenum disulfide X Song, F Hui, T Knobloch, B Wang, Z Fan, T Grasser, X Jing, Y Shi, ... Applied Physics Letters 111 (8), 2017	35	2017
Efficient physical defect model applied to PBTI in high-κ stacks G Rzepa, J Franco, A Subirats, M Jech, A Chasin, A Grill, M Waltl, ... 2017 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), XT-11.1-XT-11.6, 2017	34	2017
Challenges for nanoscale CMOS logic based on two-dimensional materials T Knobloch, S Selberherr, T Grasser Nanomaterials 12 (20), 3548, 2022	30	2022
Incorporating Niobium in MoS₂ at BEOL‐Compatible Temperatures and its Impact on Copper Diffusion Barrier Performance R Zhao, CL Lo, F Zhang, RK Ghosh, T Knobloch, M Terrones, Z Chen, ... Advanced Materials Interfaces 6 (22), 1901055, 2019	22	2019

A rendszer jelenleg nem tudja elvégezni a műveletet. Próbálkozzon újra később.

Cikkek 1–20

Hivatkozások évente

Ismétlődő hivatkozások

Összevont hivatkozások

Társszerzők hozzáadásaTársszerzők

Követés

Hivatkozott rá

Társszerzők