Paul Fons

צוטט על ידי

	הכל	מאז 2020
ציטוטים ביבליוגרפיים	15382	3786
H-index	63	29
i10-index	228	97

940

470

235

705

19961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202557 42 65 49 92 124 150 223 267 353 369 469 538 538 606 706 795 804 821 862 858 924 863 793 822 825 756 620 647 116

גישה ציבורית

הצג הכל

15 מאמרים

מאמר אחד*

זמין

לא זמין

על סמך ייפוי כח מהמממנים

מחברים משותפים

Александр Владимирович Колобов (...РГПУ им. А.И. Герценаכתובת אימייל מאומתת בדומיין herzen.spb.ru
Kakuya IwataNational institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)כתובת אימייל מאומתת בדומיין aist.go.jp
Yuta SaitoProfessor, Tohoku Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין tohoku.ac.jp
milos krbalSenior researcher, CEMNAT, University of Pardubiceכתובת אימייל מאומתת בדומיין upce.cz
Muneaki HaseDepartment of Applied Physics, University of Tsukubaכתובת אימייל מאומתת בדומיין u.tsukuba.ac.jp
Robert E SimpsonUniversity of Brminghamכתובת אימייל מאומתת בדומיין bham.ac.uk
SAKURAI KeiichiroNational Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)כתובת אימייל מאומתת בדומיין aist.go.jp
Kirill MitrofanovOISTכתובת אימייל מאומתת בדומיין oist.jp
Makino KotaroNational Institute of Advanced Industrial Science and Technologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין aist.go.jp
Raffaella CalarcoCNR-IMMכתובת אימייל מאומתת בדומיין cnr.it
Anatoly I. FrenkelStony Brook Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין stonybrook.edu
Takashi YagiNational Institute of Advanced Industrial Science and Technologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין aist.go.jp
Alessandro GiussaniSilanna Semiconductorכתובת אימייל מאומתת בדומיין silanna.com
YI SHUANGTohoku universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין dc.tohoku.ac.jp
Shuichi MurakamiProfessor of Physics, Tokyo Institute of Technologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין stat.phys.titech.ac.jp
Henning RiechertDirector, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronikכתובת אימייל מאומתת בדומיין pdi-berlin.de
Spyros N. YannopoulosProfessor, Department of Chemistry, University of Patras, and Research Director (FORTH/ICE-HTכתובת אימייל מאומתת בדומיין iceht.forth.gr
Konstantinos S. AndrikopoulosPhysics Dpt., University of Patras & ICEHT/FORTHכתובת אימייל מאומתת בדומיין iceht.forth.gr
Joe GreeneProfessor of Materials Science and Physics, University of Illinoisכתובת אימייל מאומתת בדומיין uiuc.edu
Motohiro SuzukiKwansei Gakuin Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין kwansei.ac.jp

עקוב אחר

Paul Fons

Professor at Keio University

כתובת אימייל מאומתת בדומיין keio.jp

Materials Science Phase-change materials X-ray absorption Density-functional theory Ultra-fast structural techniques


כותרת מיון לפי ציטוט ביבליוגרפי מיון לפי שנה מיון לפי כותרת	צוטט על ידי צוטט על ידי	שנה
Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media‏ AV Kolobov, P Fons, AI Frenkel, AL Ankudinov, J Tominaga, T Uruga‏ Nature materials 3 (10), 703-708, 2004‏	1640	2004
Interfacial phase-change memory‏ RE Simpson, P Fons, AV Kolobov, T Fukaya, M Krbal, T Yagi, J Tominaga‏ Nature nanotechnology 6 (8), 501-505, 2011‏	849	2011
ZnO transparent conducting films deposited by pulsed laser deposition for solar cell applications‏ K Matsubara, P Fons, K Iwata, A Yamada, K Sakurai, H Tampo, S Niki‏ Thin Solid Films 431, 369-372, 2003‏	359	2003
Toward the Ultimate Limit of Phase Change in Ge₂Sb₂Te₅‏ RE Simpson, M Krbal, P Fons, AV Kolobov, J Tominaga, T Uruga, ...‏ Nano letters 10 (2), 414-419, 2010‏	284	2010
Uniaxial locked epitaxy of ZnO on the face of sapphire‏ P Fons, K Iwata, A Yamada, K Matsubara, S Niki, K Nakahara, T Tanabe, ...‏ Applied Physics Letters 77 (12), 1801-1803, 2000‏	270	2000
Growth of high-quality epitaxial ZnO films on α-Al2O3‏ P Fons, K Iwata, S Niki, A Yamada, K Matsubara‏ Journal of Crystal Growth 201, 627-632, 1999‏	255	1999
Distortion-triggered loss of long-range order in solids with bonding energy hierarchy‏ AV Kolobov, M Krbal, P Fons, J Tominaga, T Uruga‏ Nature chemistry 3 (4), 311-316, 2011‏	234	2011
Nitrogen-induced defects in ZnO: N grown on sapphire substrate by gas source MBE‏ K Iwata, P Fons, A Yamada, K Matsubara, S Niki‏ Journal of Crystal Growth 209 (2-3), 526-531, 2000‏	233	2000
Raman scattering study of GeTe and Ge2Sb2Te5 phase-change materials‏ KS Andrikopoulos, SN Yannopoulos, AV Kolobov, P Fons, J Tominaga‏ Journal of Physics and Chemistry of Solids 68 (5-6), 1074-1078, 2007‏	224	2007
Ferroelectric Order Control of the Dirac-Semimetal Phase in GeTe-Sb ₂ Te ₃ Superlattices‏ J Tominaga, AV Kolobov, P Fons, T Nakano, S Murakami‏ Advanced Materials Interfaces 1 (1), 1300027-1300027, 2014‏	203	2014
Na-induced variations in the structural, optical, and electrical properties of Cu (In, Ga) Se2 thin films‏ S Ishizuka, A Yamada, MM Islam, H Shibata, P Fons, T Sakurai, K Akimoto, ...‏ Journal of applied physics 106 (3), 2009‏	200	2009
Band gap energies of bulk, thin-film, and epitaxial layers of and ‏ S Chichibu, T Mizutani, K Murakami, T Shioda, T Kurafuji, H Nakanishi, ...‏ Journal of Applied Physics 83 (7), 3678-3689, 1998‏	194	1998
Interactions between gallium and nitrogen dopants in ZnO films grown by radical-source molecular-beam epitaxy‏ K Nakahara, H Takasu, P Fons, A Yamada, K Iwata, K Matsubara, ...‏ Applied physics letters 79 (25), 4139-4141, 2001‏	188	2001
ZnO growth on Si by radical source MBE‏ K Iwata, P Fons, S Niki, A Yamada, K Matsubara, K Nakahara, T Tanabe, ...‏ Journal of Crystal Growth 214, 50-54, 2000‏	172	2000
Direct Observation of Nitrogen Location in Molecular Beam Epitaxy Grown<? format?> Nitrogen-Doped ZnO‏ P Fons, H Tampo, AV Kolobov, M Ohkubo, S Niki, J Tominaga, R Carboni, ...‏ Physical Review Letters 96 (4), 045504, 2006‏	169	2006
Polarization-induced two-dimensional electron gases in ZnMgO/ZnO heterostructures‏ H Tampo, H Shibata, K Maejima, A Yamada, K Matsubara, P Fons, ...‏ Applied Physics Letters 93 (20), 2008‏	167	2008
Fabrication of wide-gap Cu (In1− xGax) Se2 thin film solar cells: a study on the correlation of cell performance with highly resistive i-ZnO layer thickness‏ S Ishizuka, K Sakurai, A Yamada, K Matsubara, P Fons, K Iwata, ...‏ Solar energy materials and solar cells 87 (1-4), 541-548, 2005‏	165	2005
Band-gap modified Al-doped Zn1− xMgxO transparent conducting films deposited by pulsed laser deposition‏ K Matsubara, H Tampo, H Shibata, A Yamada, P Fons, K Iwata, S Niki‏ Applied physics letters 85 (8), 1374-1376, 2004‏	158	2004
Local structure of crystallized GeTe films‏ AV Kolobov, J Tominaga, P Fons, T Uruga‏ Applied physics letters 82 (3), 382-384, 2003‏	154	2003
Two-dimensional electron gas in Zn polar ZnMgO∕ ZnO heterostructures grown by radical source molecular beam epitaxy‏ H Tampo, H Shibata, K Matsubara, A Yamada, P Fons, S Niki, ...‏ Applied physics letters 89 (13), 2006‏	146	2006

המערכת אינה יכולה לבצע את הפעולה כעת. נסה שוב מאוחר יותר.

מאמרים 1–20

ציטוטים ביבליוגרפיים בשנה

ציטוטים ביביליוגרפיים כפולים

ציטוטים ביביליוגרפיים שמוזגו

הוסף מחברים שותפיםמחברים משותפים

עקוב אחר

צוטט על ידי

מחברים משותפים