עקוב אחר
Rotshteyn V.M.
Rotshteyn V.M.
ARIFOV INSTITUTE OF ION-PLASMA AND LASER TECHNOLOGIES
כתובת אימייל מאומתת בדומיין iplt.uz
כותרת
צוטט על ידי
צוטט על ידי
שנה
Ion microprobe for studying clusters ion decay reactions
V.M.Rotshteyn, A.D.Bekkerman, N.Kh.Dzhemilev
Surf. and Interf. Analysis 15 (№10), p.587-591, 1990
491990
Direct detection of morphine in human urine by surface-ionization mass spectrometry
DT Usmanov, SD Akhunov, U Khasanov, VM Rotshteyn, BS Kasimov
European Journal of Mass Spectrometry 26 (2), 153-157, 2020
212020
Development of surface ionization mass spectrometry for detection of stimulants in human urine
S Akhunov, K Ashurov, S Axmedov, B Kasimov, V Rotshteyn, A Radjabov, ...
European Journal of Mass Spectrometry 27 (1), 29-38, 2021
92021
Сrystallinity and size control of silicon nanoparticles synthesized from monosilane in glow-discharge plasma
RK Ashurov, TK Turdaliev, IK Ashurov, VM Rotshteyn
Applied Solar Energy 53, 334-337, 2017
92017
Analysis of porous nanosilicon by Raman spectroscopy
VM Rotshteyn, TK Turdaliev, KB Ashurov
Journal of applied spectroscopy 89 (1), 104-109, 2022
52022
On the question of the possibility of using nanocrystalline porous silicon in silicon-based solar cells
VM Rotshteyn, TK Turdaliev, KB Ashurov
Applied Solar Energy 57 (6), 480-485, 2021
52021
Method for Preparing Trialkoxysilane, Patent EP 2 754 664 (B1), Pub. Date: 28.12. 2016
K Ashurov, V Rotshteyn, SI Yang, Y Kim, B Abdurakhmanov, A Salimboev
Bulletin 52, 2016, 2016
52016
Method for preparing monosilane using trialkoxysilane
TJ Kim, YI Kim, KY Kim, DY Kim, A Khatam, S Shavkat, V Rotshteyn, ...
US Patent 9,278,864, 2016
42016
Исследование кремния, легированного ионами бора, спектроскопией комбинационного рассеяния (Raman spectroscopy)
ШТ Хожиев, ВМ Ротштейн, СС Пак, АА Ганиев
Научно-практический журнал Высшая школа, 38-42, 2020
32020
Cleaning the surface of products with glow discharge plasma
Arustamov V.N.,Ashurov R.Kh.,Rotshteyn V.M.,Ashurov Kh.B.
Journal of Physics: Conference Series 1686 (2020) 012013 IOP …, 2020
22020
Method for preparing trialkoxysilane
SI Yang, YI Kim, KY Kim, DY Kim, A Khatam, A Boris, V Rotshteyn, ...
US Patent 9,156,861, 2015
22015
Patent JP5836489 (B2) Pub
KB Ashurov, VM Rotshteyn
Date: Dec 24, 2015
22015
Fragmentation of sputtered vanadium and niobium clusters, kinetic energy release and dissociation energy
NH Dzhemilev, VM Rotshtein, OF Tukfatullin, ST Khozhiev
Масс-спектрометрия 8 (1), 33-38, 2011
22011
Метод экспресс-анализа триэтоксисилана
ВМ Ротштейн, ХБ Ашуров, РХ Ашуров
Журнал прикладной спектроскопии 88 (4), 550-555, 2021
12021
Комплексные исследования качества компонентов, присутствующих в технологии синтеза моносилана, с помощью аналитических приборов
ВМ Ротштейн, ХБ Ашуров, РХ Ашуров
«Узбекский физический журнал» 22 (5), 314-324, 2020
12020
ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ОБРАЗЦОВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА МЕТОДОМ РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
ШТ Хожиев, ВМ Ротштейн, РХ Ашуров, АА Ганиев, ГАУ Кушиев
Universum: Технические науки: электронный научный журнал N 4-1(73), с. 45-48, 2020
12020
Исследование поверхности кремния имплантированного ионами меди
ШТ Хожиев, АА Ганиев, ВМ Ротштейн, ИО Косимов, ДМ Муродкобилов
Международный научно-исследовательский журнал, 54-58, 2020
12020
Emission of large heteronuclear cluster ions during sputtering of graphite by cesium ions
AD Bekkerman, NK Dzhemilev, VM Rotshteyn
Technical Physics Letters 19 (3), 177-179, 1993
11993
THE FRAGMENTATION OF POSITIVE-ION SILICON CLUSTERS (N= 2-12) DURING SECONDARY ION EMISSION
AD Bekkerman, NK Dzhemilev, VM Rotshteyn
IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA 54 (7), 1339-1342, 1990
11990
MONOMOLECULAR DECAYS OF ALN+ (N-LESS-THAN-25) AND SIN+ (N-LESS-THAN-12) CLUSTERS SPUTTERED BY IONIC BOMBARDMENT
AD Bekkerman, NK Dzhemilev, VM Rotshteyn
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki 16 (4), 58-62, 1990
11990
המערכת אינה יכולה לבצע את הפעולה כעת. נסה שוב מאוחר יותר.
מאמרים 1–20