עקוב אחר
AFRINA HASAN
AFRINA HASAN
Electrical and Electronic Engineer
כתובת אימייל מאומתת בדומיין student.jyu.fi - דף הבית
כותרת
צוטט על ידי
צוטט על ידי
שנה
An extended model for a punch through (PT) trench insulated gate bipolar transistor (IGBT) and its transient characteristics‏
O Saif, A Hasan‏
2020 IEEE Region 10 Symposium (TENSYMP), 427-430, 2020‏
22020
Online and offline Radiation-Induced Attenuation measurements on FD-7 radiophotoluminescence dosimeters irradiated at high X-ray doses‏
A Hasan, Y Aguiar, RG Alía, C Campanella, A Morana, AK Alem, S Girard, ...‏
Radiation Measurements 177, 107246, 2024‏
12024
Characterization of radiophotoluminescence dosimeters under X-ray irradiation at high doses‏
M Ferrari, YQ Aguiar, A Hasan, AK Alem, RG Alía, A Donzella, D Pagano, ...‏
IEEE Transactions on Nuclear Science 71 (8), 1821-1828, 2024‏
12024
Characterization of radio-photo-luminescence (RPL) dosimeters under high dose X-ray irradiation‏
A Hasan‏
12023
Analysis of the Thermal Annealing Regeneration Process of RPL Dosimeters for High Dose Levels‏
Y Aguiar, R Garcia, M Ferrari, A Hasan, J Perrot, AR Mandal, S Girard‏
IEEE Radecs 2024.(RADiation Effects on Components and Systems), 2024‏
2024
המערכת אינה יכולה לבצע את הפעולה כעת. נסה שוב מאוחר יותר.
מאמרים 1–5