Pramod Reddy

צוטט על ידי

	הכל	מאז 2020
ציטוטים ביבליוגרפיים	2852	2422
H-index	29	27
i10-index	56	53

540

270

135

405

20142015201620172018201920202021202220232024202513 17 34 101 115 142 256 478 532 533 518 104

גישה ציבורית

הצג הכל

86 מאמרים

9 מאמרים

זמין

לא זמין

על סמך ייפוי כח מהמממנים

מחברים משותפים

Ramon CollazoProfessor of Materials Science and Engineering, NCSUכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Zlatko SitarKobe Steel Distinguished Professor of Materials Science and Engineerign, North Carolina Stateכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Ronny KirsteResearch associate, NCSUכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Pegah BagheriPhD at NCSUכתובת אימייל מאומתת בדומיין alumni.ncsu.edu
Dolar KhachariyaSenior Research Scientist, Adroit Materials and NCSUכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Biplab SarkarAssociate Professor, IIT Roorkeeכתובת אימייל מאומתת בדומיין ece.iitr.ac.in
Spyridon PavlidisAssistant Professor, North Carolina State Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Douglas L IrvingNorth Carolina State Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Shashwat RathkanthiwarDirector of MOCVD Research at Lit Thinking Ultrawide Bandgap Semiconductor Research Centerכתובת אימייל מאומתת בדומיין litthinking.com
Dennis SzymanskiIQEכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Baxter MoodyConsultant, DoD Contractorכתובת אימייל מאומתת בדומיין dla.mil
Cristyan QuiñonesPhD Student, North Carolina State Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Michal BockowskiInstitute of High Pressure Physics PASכתובת אימייל מאומתת בדומיין unipress.waw.pl
Jonathon N. BakerSenior Scientist, Savannah River National Laboratoryכתובת אימייל מאומתת בדומיין srnl.doe.gov
Albena IvanisevicNorth Carolina State Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Brian Bennett HaidetGraduate of the Materials Department, University of California: Santa Barbaraכתובת אימייל מאומתת בדומיין umail.ucsb.edu
Benjamin E. GaddyClean Energy Trustכתובת אימייל מאומתת בדומיין bengaddy.com
Dennis LaJeunesseכתובת אימייל מאומתת בדומיין uncg.edu
Axel HoffmannInstitute of Solid State Physics, Technical University of Berlinכתובת אימייל מאומתת בדומיין tu-berlin.de
Ji Hyun KimNorth Carolina State Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu

עקוב אחר

Pramod Reddy

Adroit Materials, North Carolina State University

כתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu

Nitrides surface states Schottky diodes defect control


כותרת מיון לפי ציטוט ביבליוגרפי מיון לפי שנה מיון לפי כותרת	צוטט על ידי צוטט על ידי	שנה
The 2020 UV emitter roadmap‏ H Amano, R Collazo, C De Santi, S Einfeldt, M Funato, J Glaab, ...‏ Journal of Physics D: Applied Physics 53 (50), 503001, 2020‏	481	2020
On compensation in Si-doped AlN‏ JS Harris, JN Baker, BE Gaddy, I Bryan, Z Bryan, KJ Mirrielees, P Reddy, ...‏ Applied Physics Letters 112 (15), 2018‏	147	2018
Doping and compensation in Al-rich AlGaN grown on single crystal AlN and sapphire by MOCVD‏ I Bryan, Z Bryan, S Washiyama, P Reddy, B Gaddy, B Sarkar, ...‏ Applied Physics Letters 112 (6), 2018‏	146	2018
The effect of polarity and surface states on the Fermi level at III-nitride surfaces‏ P Reddy, I Bryan, Z Bryan, W Guo, L Hussey, R Collazo, Z Sitar‏ Journal of Applied Physics 116 (12), 2014‏	107	2014
KOH based selective wet chemical etching of AlN, AlxGa1− xN, and GaN crystals: A way towards substrate removal in deep ultraviolet-light emitting diode‏ W Guo, R Kirste, I Bryan, Z Bryan, L Hussey, P Reddy, J Tweedie, ...‏ Applied Physics Letters 106 (8), 2015‏	104	2015
Correlation between mobility collapse and carbon impurities in Si-doped GaN grown by low pressure metalorganic chemical vapor deposition‏ F Kaess, S Mita, J Xie, P Reddy, A Klump, LH Hernandez-Balderrama, ...‏ Journal of Applied Physics 120 (10), 2016‏	87	2016
Point defect reduction in MOCVD (Al) GaN by chemical potential control and a comprehensive model of C incorporation in GaN‏ P Reddy, S Washiyama, F Kaess, R Kirste, S Mita, R Collazo, Z Sitar‏ Journal of Applied Physics 122 (24), 2017‏	76	2017
Charge neutrality levels, barrier heights, and band offsets at polar AlGaN‏ P Reddy, I Bryan, Z Bryan, J Tweedie, S Washiyama, R Kirste, S Mita, ...‏ Applied Physics Letters 107 (9), 2015‏	75	2015
Point defect reduction in wide bandgap semiconductors by defect quasi Fermi level control‏ P Reddy, MP Hoffmann, F Kaess, Z Bryan, I Bryan, M Bobea, A Klump, ...‏ Journal of Applied Physics 120 (18), 2016‏	64	2016
Fermi level control of compensating point defects during metalorganic chemical vapor deposition growth of Si-doped AlGaN‏ Z Bryan, I Bryan, BE Gaddy, P Reddy, L Hussey, M Bobea, W Guo, ...‏ Applied Physics Letters 105 (22), 2014‏	64	2014
The role of chemical potential in compensation control in Si: AlGaN‏ S Washiyama, P Reddy, B Sarkar, MH Breckenridge, Q Guo, P Bagheri, ...‏ Journal of Applied Physics 127 (10), 2020‏	61	2020
Point-defect nature of the ultraviolet absorption band in AlN‏ D Alden, JS Harris, Z Bryan, JN Baker, P Reddy, S Mita, G Callsen, ...‏ Physical Review Applied 9 (5), 054036, 2018‏	60	2018
6 kW/cm2 UVC laser threshold in optically pumped lasers achieved by controlling point defect formation‏ R Kirste, Q Guo, JH Dycus, A Franke, S Mita, B Sarkar, P Reddy, ...‏ Applied Physics Express 11 (8), 082101, 2018‏	58	2018
Defect-free Ni/GaN Schottky barrier behavior with high temperature stability‏ P Reddy, B Sarkar, F Kaess, M Gerhold, E Kohn, R Collazo, Z Sitar‏ Applied Physics Letters 110 (1), 2017‏	49	2017
High Mg activation in implanted GaN by high temperature and ultrahigh pressure annealing‏ MH Breckenridge, J Tweedie, P Reddy, Y Guan, P Bagheri, D Szymanski, ...‏ Applied Physics Letters 118 (2), 2021‏	47	2021
High gain, large area, and solar blind avalanche photodiodes based on Al-rich AlGaN grown on AlN substrates‏ P Reddy, M Hayden Breckenridge, Q Guo, A Klump, D Khachariya, ...‏ Applied Physics Letters 116 (8), 2020‏	46	2020
Schottky contact formation on polar and non-polar AlN‏ P Reddy, I Bryan, Z Bryan, J Tweedie, R Kirste, R Collazo, Z Sitar‏ Journal of Applied Physics 116 (19), 2014‏	46	2014
Fabrication and structural properties of AlN submicron periodic lateral polar structures and waveguides for UV-C applications‏ D Alden, W Guo, R Kirste, F Kaess, I Bryan, T Troha, A Bagal, P Reddy, ...‏ Applied Physics Letters 108 (26), 261106, 2016‏	44	2016
The polarization field in Al-rich AlGaN multiple quantum wells‏ Q Guo, R Kirste, S Mita, J Tweedie, P Reddy, S Washiyama, ...‏ Japanese Journal of Applied Physics 58 (SC), SCCC10, 2019‏	38	2019
A thermodynamic supersaturation model for the growth of aluminum gallium nitride by metalorganic chemical vapor deposition‏ S Washiyama, P Reddy, F Kaess, R Kirste, S Mita, R Collazo, Z Sitar‏ Journal of Applied Physics 124 (11), 2018‏	38	2018

המערכת אינה יכולה לבצע את הפעולה כעת. נסה שוב מאוחר יותר.

מאמרים 1–20

ציטוטים ביבליוגרפיים בשנה

ציטוטים ביביליוגרפיים כפולים

ציטוטים ביביליוגרפיים שמוזגו

הוסף מחברים שותפיםמחברים משותפים

עקוב אחר

צוטט על ידי

מחברים משותפים