Hiroshi AMANO (天野 浩)

צוטט על ידי

	הכל	מאז 2020
ציטוטים ביבליוגרפיים	62236	15706
H-index	111	47
i10-index	815	338

3200

1600

800

2400

19911992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025174 236 300 411 782 1254 1607 1511 1806 1848 1649 1781 1726 1587 1532 1588 1706 1831 1710 1591 1723 1724 2018 1896 2313 2286 2258 2171 2615 3016 3143 3037 2990 2975 542

גישה ציבורית

הצג הכל

36 מאמרים

17 מאמרים

זמין

לא זמין

על סמך ייפוי כח מהמממנים

מחברים משותפים

Motoaki IwayaMeijo Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין meijo-u.ac.jp
Satoshi KamiyamaMeijo Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין meijo-u.ac.jp
Yoshio HondaNagoyaכתובת אימייל מאומתת בדומיין nuee.nagoya-u.ac.jp
Kazumasa HiramatsuMie University, Emeritus Professoreכתובת אימייל מאומתת בדומיין elec.mie-u.ac.jp
Christian WetzelRensselaer Polytechnic Instituteכתובת אימייל מאומתת בדומיין ieee.org
Seong Tae-YeonProfessor of Materials Science, Korea Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין korea.ac.kr
Plamen P. PaskovLinkoping University, Sweden and ECE NCSU, USAכתובת אימייל מאומתת בדומיין liu.se
Bruno K MeyerJustus Liebig University Giessenכתובת אימייל מאומתת בדומיין mailbox.tu-berlin.de
Galia PozinaLinköping Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין ifm.liu.se
Masataka ImuraNational Institute for Materials Scienceכתובת אימייל מאומתת בדומיין nims.go.jp
Daisuke IidaKing Abdullah University of Science and Technology (KAUST)כתובת אימייל מאומתת בדומיין kaust.edu.sa
Markus PristovsekProf. Nagoya Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין imass.nagoya-u.ac.jp
Yasuo KoideNational Institute for Materials Science (NIMS)כתובת אימייל מאומתת בדומיין nims.go.jp
Jung HanWilliam Norton Professor of Electrical Engineering, Yale Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין yale.edu
Axel HoffmannInstitute of Solid State Physics, Technical University of Berlinכתובת אימייל מאומתת בדומיין tu-berlin.de
Si-Young BaeKorea Institute of Ceramic Engineering and Technologyכתובת אימייל מאומתת בדומיין kicet.re.kr
Fernando PonceProfessor of Physics, Arizona State Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין asu.edu
Irina BuyanovaProfessor of Physics, Linkoping Universityכתובת אימייל מאומתת בדומיין liu.se
Tania PaskovaECE Dept. NCSUכתובת אימייל מאומתת בדומיין ncsu.edu
Tatiana V. ShubinaChief researcher, Ioffe Institute of RASכתובת אימייל מאומתת בדומיין beam.ioffe.ru

עקוב אחר

Hiroshi AMANO (天野　浩)

Nagoya University (名古屋大学)

כתובת אימייל מאומתת בדומיין nuee.nagoya-u.ac.jp - דף הבית

Semiconductor devices Opto electronics Power devices High frequency devices photocathode


כותרת מיון לפי ציטוט ביבליוגרפי מיון לפי שנה מיון לפי כותרת	צוטט על ידי צוטט על ידי	שנה
Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer‏ H Amano, N Sawaki, I Akasaki, Y Toyoda‏ Applied Physics Letters 48 (5), 353-355, 1986‏	3332	1986
P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI)‏ H Amano, M Kito, K Hiramatsu, I Akasaki‏ Japanese journal of applied physics 28 (12), L2112-L2114, 1989‏	3124	1989
Quantum-confined Stark effect due to piezoelectric fields in GaInN strained quantum wells‏ T Takeuchi, S Sota, M Katsuragawa, M Komori, H Takeuchi, HAH Amano, ...‏ Japanese Journal of Applied Physics 36 (4A), L382, 1997‏	1565	1997
The 2018 GaN power electronics roadmap‏ H Amano, Y Baines, E Beam, M Borga, T Bouchet, PR Chalker, M Charles, ...‏ Journal of Physics D: Applied Physics 51 (16), 163001, 2018‏	1248	2018
The emergence and prospects of deep-ultraviolet light-emitting diode technologies‏ M Kneissl, TY Seong, J Han, H Amano‏ nature photonics 13 (4), 233-244, 2019‏	1167	2019
Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1− xAlxN (0< x≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE‏ I Akasaki, H Amano, Y Koide, K Hiramatsu, N Sawaki‏ Journal of crystal growth 98 (1-2), 209-219, 1989‏	1165	1989
Crystal growth and conductivity control of group III nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters‏ IAI Akasaki, HAH Amano‏ Japanese journal of applied physics 36 (9R), 5393, 1997‏	1057*	1997
Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al, In, Ga) N alloy semiconductors‏ SF Chichibu, A Uedono, T Onuma, BA Haskell, A Chakraborty, T Koyama, ...‏ Nature materials 5 (10), 810-816, 2006‏	844	2006
Determination of piezoelectric fields in strained GaInN quantum wells using the quantum-confined Stark effect‏ T Takeuchi, C Wetzel, S Yamaguchi, H Sakai, H Amano, I Akasaki, ...‏ Applied physics letters 73 (12), 1691-1693, 1998‏	830	1998
Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells‏ T Takeuchi, H Amano, I Akasaki‏ Japanese Journal of Applied Physics 39 (2R), 413, 2000‏	679	2000
Shortest wavelength semiconductor laser diode‏ I Akasaki, S Sota, H Sakai, T Tanaka, M Koike, H Amano‏ Electronics Letters 32 (12), 1105-1106, 1996‏	578	1996
Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN pn junction LED‏ I Akasaki, H Amano, M Kito, K Hiramatsu‏ Journal of luminescence 48, 666-670, 1991‏	502	1991
The 2020 UV emitter roadmap‏ H Amano, R Collazo, C De Santi, S Einfeldt, M Funato, J Glaab, ...‏ Journal of Physics D: Applied Physics 53 (50), 503001, 2020‏	481	2020
Growth mechanism of GaN grown on sapphire with A1N buffer layer by MOVPE‏ K Hiramatsu, S Itoh, H Amano, I Akasaki, N Kuwano, T Shiraishi, K Oki‏ Journal of Crystal Growth 115 (1-4), 628-633, 1991‏	476	1991
Fabrication of vertically aligned carbon nanowalls using capacitively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition assisted by hydrogen radical injection‏ M Hiramatsu, K Shiji, H Amano, M Hori‏ Applied physics letters 84 (23), 4708-4710, 2004‏	450	2004
Stimulated emission by current injection from an AlGaN/GaN/GaInN quantum well device‏ I Akasaki, H Amano, S Sota, H Sakai, T Tanaka, M Koike‏ Japanese journal of applied physics 34 (11B), L1517, 1995‏	423*	1995
Effects of the buffer layer in metalorganic vapour phase epitaxy of GaN on sapphire substrate‏ H Amano, I Akasaki, K Hiramatsu, N Koide, N Sawaki‏ Thin Solid Films 163, 415-420, 1988‏	419	1988
Optical properties of strained AlGaN and GaInN on GaN‏ T Takeuchi, H Takeuchi, S Sota, H Sakai, HAH Amano, IAI Akasaki‏ Japanese journal of applied physics 36 (2B), L177, 1997‏	412	1997
The growth of single crystalline GaN on a Si substrate using AIN as an intermediate layer‏ A Watanabe, T Takeuchi, K Hirosawa, H Amano, K Hiramatsu, I Akasaki‏ Journal of crystal growth 128 (1-4), 391-396, 1993‏	396	1993
p‐type conduction in Mg‐doped GaN and Al_0.08Ga_0.92N grown by metalorganic vapor phase epitaxy‏ T Tanaka, A Watanabe, H Amano, Y Kobayashi, I Akasaki, S Yamazaki, ...‏ Applied physics letters 65 (5), 593-594, 1994‏	391	1994

המערכת אינה יכולה לבצע את הפעולה כעת. נסה שוב מאוחר יותר.

מאמרים 1–20

ציטוטים ביבליוגרפיים בשנה

ציטוטים ביביליוגרפיים כפולים

ציטוטים ביביליוגרפיים שמוזגו

הוסף מחברים שותפיםמחברים משותפים

עקוב אחר

צוטט על ידי

מחברים משותפים