Holger von Wenckstern

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2020
Citaties	9146	3735
h-index	49	32
i10-index	172	94

820

410

205

615

20052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202557 91 146 178 236 382 317 455 419 435 464 441 467 559 680 807 803 622 789 584 130

Openbare toegang

Alles bekijken

116 artikelen

64 artikelen

beschikbaar

niet beschikbaar

Op basis van financieringsmachtigingen

Medeauteurs

Marius GrundmannUniversität LeipzigGeverifieerd e-mailadres voor physik.uni-leipzig.de
Florian SchmidtRobert Bosch GmbH Reutlingen, DeutschlandGeverifieerd e-mailadres voor de.bosch.com
Andreas RahmSolarion AGGeverifieerd e-mailadres voor solarion.de
Rüdiger Schmidt-GrundTechnische Universität IlmenauGeverifieerd e-mailadres voor tu-ilmenau.de
Christof P. DietrichJulius-Maximilians-Universität WürzburgGeverifieerd e-mailadres voor physik.uni-wuerzburg.de
Martin LangeGerman Environment Agency (Germany)Geverifieerd e-mailadres voor uba.de
Bingqiang Cao (曹丙强)Professor of Semiconductor Physics, University of Jinan & Nuchip Optoelectronic Devices Co., Ltd.Geverifieerd e-mailadres voor ujn.edu.cn
Pablo EsquinaziUniversity of LeipzigGeverifieerd e-mailadres voor physik.uni-leipzig.de
Dominik LauschCEO of DENKweit GmbHGeverifieerd e-mailadres voor denkweit.de
Otwin BreitensteinResearcher, Max Planck Institute, Associate Professor, University HalleGeverifieerd e-mailadres voor mpi-halle.mpg.de
Tobias VossTechnische Universität BraunschweigGeverifieerd e-mailadres voor tu-braunschweig.de
Kerstin Baar geb. BrachwitzPolymer-Technik Elbe GmbH, WittenbergGeverifieerd e-mailadres voor polymertechnik.com
Rueben J. MendelsbergFreeform FutureGeverifieerd e-mailadres voor freeformfuture.com
Pedro BarquinhaAssociate Professor, NOVA FCTGeverifieerd e-mailadres voor fct.unl.pt
Joan RedwingPenn State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor psu.edu
Dr. John V KennedyPrincipal Scientist, GNS Science,Geverifieerd e-mailadres voor gns.cri.nz
Christian NenstielTechnische Universität BerlinGeverifieerd e-mailadres voor physik.tu-berlin.de
Axel HoffmannInstitute of Solid State Physics, Technical University of BerlinGeverifieerd e-mailadres voor tu-berlin.de
Markus R. WagnerPaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikGeverifieerd e-mailadres voor pdi-berlin.de
Detlef KlimmLeibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, GermanyGeverifieerd e-mailadres voor ikz-berlin.de

Volgen

Holger von Wenckstern

Universität Leipzig

Geverifieerd e-mailadres voor physik.uni-leipzig.de

oxide semiconductors transparent electronics pulsed-laser deposition combinatorial material synthesis defect spectroscopy


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on -plane sapphire grown by multistep pulsed-laser deposition EM Kaidashev, M Lorenz, H Von Wenckstern, A Rahm, HC Semmelhack, ... Applied Physics Letters 82 (22), 3901-3903, 2003	798	2003
Cuprous iodide–ap‐type transparent semiconductor: History and novel applications M Grundmann, FL Schein, M Lorenz, T Böntgen, J Lenzner, ... physica status solidi (a) 210 (9), 1671-1703, 2013	357	2013
Group‐III sesquioxides: growth, physical properties and devices H Von Wenckstern Advanced Electronic Materials 3 (9), 1600350, 2017	240	2017
Mean barrier height of Pd Schottky contacts on ZnO thin films H von Wenckstern, G Biehne, RA Rahman, H Hochmuth, M Lorenz, ... Applied physics letters 88 (9), 2006	206	2006
Optical and electrical properties of epitaxial (Mg, Cd) xZn1− xO, ZnO, and ZnO:(Ga, Al) thin films on c-plane sapphire grown by pulsed laser deposition M Lorenz, EM Kaidashev, H Von Wenckstern, V Riede, C Bundesmann, ... Solid-State Electronics 47 (12), 2205-2209, 2003	197	2003
Recent progress on ZnO‐based metal‐semiconductor field‐effect transistors and their application in transparent integrated circuits H Frenzel, A Lajn, H Von Wenckstern, M Lorenz, F Schein, Z Zhang, ... Advanced Materials 22 (47), 5332-5349, 2010	189	2010
Transparent semiconducting oxides: Materials and devices M Grundmann, H Frenzel, A Lajn, M Lorenz, F Schein, H von Wenckstern Physica status solidi (a) 207 (6), 1437-1449, 2010	185	2010
Transparent p-CuI/n-ZnO heterojunction diodes FL Schein, H von Wenckstern, M Grundmann Applied Physics Letters 102 (9), 2013	180	2013
Defects in virgin and -implanted ZnO single crystals studied by positron annihilation, Hall effect, and deep-level transient spectroscopy G Brauer, W Anwand, W Skorupa, J Kuriplach, O Melikhova, C Moisson, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 74 (4), 045208, 2006	170	2006
Optical signatures of deep level defects in Ga2O3 H Gao, S Muralidharan, N Pronin, MR Karim, SM White, T Asel, G Foster, ... Applied Physics Letters 112 (24), 2018	164	2018
Epitaxial stabilization of pseudomorphic α-Ga2O3 on sapphire (0001) R Schewski, G Wagner, M Baldini, D Gogova, Z Galazka, T Schulz, ... Applied physics express 8 (1), 011101, 2014	152	2014
Phosphorus acceptor doped ZnO nanowires prepared by pulsed-laser deposition BQ Cao, M Lorenz, A Rahm, H Von Wenckstern, C Czekalla, J Lenzner, ... Nanotechnology 18 (45), 455707, 2007	147	2007
Lateral homogeneity of Schottky contacts on -type ZnO H Von Wenckstern, EM Kaidashev, M Lorenz, H Hochmuth, G Biehne, ... Applied physics letters 84 (1), 79-81, 2004	141	2004
Tin-assisted heteroepitaxial PLD-growth of κ-Ga2O3 thin films with high crystalline quality M Kneiß, A Hassa, D Splith, C Sturm, H Von Wenckstern, T Schultz, ... APL Materials 7 (2), 2019	134	2019
Determination of the mean and the homogeneous barrier height of Cu Schottky contacts on heteroepitaxial β‐Ga₂O₃ thin films grown by pulsed laser deposition D Splith, S Müller, F Schmidt, H von Wenckstern, JJ van Rensburg, ... physica status solidi (a) 211 (1), 40-47, 2014	130	2014
Anionic and cationic substitution in ZnO H Von Wenckstern, H Schmidt, M Brandt, A Lajn, R Pickenhain, M Lorenz, ... Progress in Solid State Chemistry 37 (2-3), 153-172, 2009	123	2009
Control of the conductivity of Si‐doped β‐Ga₂O₃ thin films via growth temperature and pressure S Müller, H von Wenckstern, D Splith, F Schmidt, M Grundmann physica status solidi (a) 211 (1), 34-39, 2014	114	2014
ZnO metal-semiconductor field-effect transistors with Ag-Schottky gates H Frenzel, A Lajn, M Brandt, H Wenckstern, G Biehne, H Hochmuth, ... Applied Physics Letters 92 (19), 2008	113	2008
Oxide bipolar electronics: materials, devices and circuits M Grundmann, F Klüpfel, R Karsthof, P Schlupp, FL Schein, D Splith, ... Journal of Physics D: Applied Physics 49 (21), 213001, 2016	104	2016
Lattice parameters and Raman-active phonon modes of β-(AlxGa1− x) 2O3 C Kranert, M Jenderka, J Lenzner, M Lorenz, H Von Wenckstern, ... Journal of Applied Physics 117 (12), 2015	100	2015

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

Volgen

Geciteerd door

Medeauteurs