Jinwoo Hwang

Geciteerd door

	Alles	Sinds 2020
Citaties	6343	4832
h-index	43	36
i10-index	97	91

1200

600

300

900

20112012201320142015201620172018201920202021202220232024202521 31 82 111 88 175 219 318 431 638 753 978 1111 1134 215

Openbare toegang

Alles bekijken

98 artikelen

14 artikelen

beschikbaar

niet beschikbaar

Op basis van financieringsmachtigingen

Medeauteurs

Jared M JohnsonThe Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor thermofisher.com
Hsien-Lien Huang [ORCID:0000-0001...The Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Menglin Zhu [ORCID: 0000-0001-683...Postdoctoral Researcher, MITGeverifieerd e-mailadres voor mit.edu
Hongping ZhaoProfessor of Electrical & Computer Engineering, Materials Science & Engineering, OSUGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Siddharth RajanElectrical and Computer Engineering, Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor ece.osu.edu
A F M Anhar Uddin BhuiyanAssistant Professor, Electrical and Computer Engineering, University of Massachusetts LowellGeverifieerd e-mailadres voor uml.edu
Zixuan FengThe Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Paul VoylesUniversity of Wisconsin, MadisonGeverifieerd e-mailadres voor wisc.edu
Yuewei ZhangUCSBGeverifieerd e-mailadres voor ucsb.edu
Sriram KrishnamoorthyUniversity of California, Santa BarbaraGeverifieerd e-mailadres voor ucsb.edu
Jack ZhangUCSBGeverifieerd e-mailadres voor umail.ucsb.edu
Chandan JoishiResearch Scientist, The Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Zhanbo XiaPost Doctoral Scholar, ECE, The Ohio State UniversityGeverifieerd e-mailadres voor osu.edu
Baishakhi MazumderUniversity at BuffaloGeverifieerd e-mailadres voor buffalo.edu
Soohyun ImThe State University of New York at BuffaloGeverifieerd e-mailadres voor buffalo.edu
Matthew J. KramerDistinguished Scientist, Materials Sciences and Engineering, Ames National LaboratoryGeverifieerd e-mailadres voor ameslab.gov
Ambrose SeoUniversity of KentuckyGeverifieerd e-mailadres voor uky.edu
Sanyam BajajIntel CorporationGeverifieerd e-mailadres voor intel.com
Fatih AkyolYıldız Teknik ÜniversitesiGeverifieerd e-mailadres voor yildiz.edu.tr
Chris G. Van de WalleProfessor of Materials, University of California, Santa BarbaraGeverifieerd e-mailadres voor mrl.ucsb.edu

Volgen

Jinwoo Hwang

Associate Professor, Materials Science and Engineering, Ohio State University

Geverifieerd e-mailadres voor osu.edu - Homepage

Materials Science Electron Microscopy Nanotechnology


Titel Sorteren op citaties Sorteren op jaar Sorteren op titel	Geciteerd door Geciteerd door	Jaar
Remote epitaxy through graphene enables two-dimensional material-based layer transfer Y Kim, SS Cruz, K Lee, BO Alawode, C Choi, Y Song, JM Johnson, ... Nature 544 (7650), 340-343, 2017	587	2017
Demonstration of high mobility and quantum transport in modulation-doped β-(AlxGa1-x) 2O3/Ga2O3 heterostructures Y Zhang, A Neal, Z Xia, C Joishi, JM Johnson, Y Zheng, S Bajaj, ... Applied Physics Letters 112 (17), 2018	409	2018
Modulation-doped β-(Al0. 2Ga0. 8) 2O3/Ga2O3 field-effect transistor S Krishnamoorthy, Z Xia, C Joishi, Y Zhang, J McGlone, J Johnson, ... Applied Physics Letters 111 (2), 2017	332	2017
Nanoscale Structure and Structural Relaxation in Bulk Metallic Glass J Hwang, ZH Melgarejo, YE Kalay, I Kalay, MJ Kramer, DS Stone, ... Physical review letters 108 (19), 195505, 2012	237	2012
Tailoring binding abilities by incorporating oxophilic transition metals on 3D nanostructured Ni arrays for accelerated alkaline hydrogen evolution reaction J Kim, H Jung, SM Jung, J Hwang, DY Kim, N Lee, KS Kim, H Kwon, ... Journal of the American Chemical Society 143 (3), 1399-1408, 2020	203	2020
MOCVD epitaxy of β-(AlxGa1− x) 2O3 thin films on (010) Ga2O3 substrates and N-type doping AFM Anhar Uddin Bhuiyan, Z Feng, JM Johnson, Z Chen, HL Huang, ... Applied Physics Letters 115 (12), 2019	169	2019
Unusual Formation of Point-Defect Complexes in the Ultrawide-Band-Gap Semiconductor JM Johnson, Z Chen, JB Varley, CM Jackson, E Farzana, Z Zhang, ... Physical Review X 9 (4), 041027, 2019	148	2019
Electrical Switching of Tristate Antiferromagnetic Néel Order in Epitaxial Films Y Cheng, S Yu, M Zhu, J Hwang, F Yang Physical Review Letters 124 (2), 027202, 2020	145	2020
LPCVD homoepitaxy of Si doped β-Ga2O3 thin films on (010) and (001) substrates S Rafique, MR Karim, JM Johnson, J Hwang, H Zhao Applied Physics Letters 112 (5), 2018	142	2018
Phase transformation in MOCVD growth of (AlxGa1− x) 2O3 thin films AFM Bhuiyan, Z Feng, JM Johnson, HL Huang, J Sarker, M Zhu, ... APL Materials 8 (3), 2020	137	2020
Deterministic switching of a perpendicularly polarized magnet using unconventional spin–orbit torques in WTe₂ IH Kao, R Muzzio, H Zhang, M Zhu, J Gobbo, S Yuan, D Weber, R Rao, ... Nature materials 21 (9), 1029-1034, 2022	136	2022
Three-Dimensional Imaging of Individual Dopant Atoms in J Hwang, JY Zhang, AJ D’Alfonso, LJ Allen, S Stemmer Physical review letters 111 (26), 266101, 2013	113	2013
Structural origins of the properties of rare earth nickelate superlattices J Hwang, J Son, JY Zhang, A Janotti, CG Van de Walle, S Stemmer Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 87 (6), 060101, 2013	106	2013
Interband tunneling for hole injection in III-nitride ultraviolet emitters Y Zhang, S Krishnamoorthy, JM Johnson, F Akyol, A Allerman, ... Applied Physics Letters 106 (14), 2015	103	2015
Toward an artificial Mott insulator: Correlations in confined high-density electron liquids in SrTiO P Moetakef, CA Jackson, J Hwang, L Balents, SJ Allen, S Stemmer Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 86 (20), 201102, 2012	94	2012
Tunnel-injected sub 290 nm ultra-violet light emitting diodes with 2.8% external quantum efficiency Y Zhang, Z Jamal-Eddine, F Akyol, S Bajaj, JM Johnson, G Calderon, ... Applied Physics Letters 112 (7), 2018	92	2018
β-(Al_0.18Ga_0.82)₂O₃/Ga₂O₃ Double Heterojunction Transistor With Average Field of 5.5 MV/cm NK Kalarickal, Z Xia, HL Huang, W Moore, Y Liu, M Brenner, J Hwang, ... IEEE Electron Device Letters 42 (6), 899-902, 2021	91	2021
Molecular beam epitaxy of 2D-layered gallium selenide on GaN substrates CH Lee, S Krishnamoorthy, DJ O'Hara, MR Brenner, JM Johnson, ... Journal of Applied Physics 121 (9), 2017	88	2017
Variable resolution fluctuation electron microscopy on Cu-Zr metallic glass using a wide range of coherent STEM probe size J Hwang, PM Voyles Microscopy and Microanalysis 17 (1), 67-74, 2011	86	2011
High current density 2D/3D MoS2/GaN Esaki tunnel diodes S Krishnamoorthy, EW Lee, CH Lee, Y Zhang, WD McCulloch, ... Applied Physics Letters 109 (18), 2016	82	2016

Het systeem kan de bewerking nu niet uitvoeren. Probeer het later opnieuw.

Artikelen 1–20

Citaties per jaar

Dubbele citaties

Samengevoegde citaties

Medeauteurs toevoegenMedeauteurs

Volgen

Geciteerd door

Medeauteurs