Tomás González

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2020
Cytowania	4800	884
h-indeks	36	14
i10-indeks	118	29

340

170

255

1994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202520 23 27 46 81 89 127 95 104 172 140 166 118 151 187 203 207 248 143 234 330 300 159 225 149 140 190 189 145 161 176 23

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

80 artykułów

14 artykułów

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Javier Mateos (ORCID:0000-0003-404...Universidad de Salamanca, Catedrático de ElectrónicaZweryfikowany adres z usal.es
Ignacio Iñiguez-de-la-TorreProfesor Titular de Universidad (Salamanca)Zweryfikowany adres z usal.es
Luca VARANIProfessor of Electronics, University of MontpellierZweryfikowany adres z umontpellier.fr
Susana PérezProfessor of Electronics, Applied Physics Department, University of SalamancaZweryfikowany adres z usal.es
Beatriz G. VasalloUniversidad de SalamancaZweryfikowany adres z usal.es
Christophe Gaquiereprofesseur université Lille 1Zweryfikowany adres z iemn.univ-lille1.fr
Jean-Francois MillithalerUniversity of Massachusetts LowellZweryfikowany adres z uml.edu
Guillaume Ducournau (ORCID 0000-0...Professor, IEMN-CNRS, Université Lille / Polytech'Lille Graduate SchoolZweryfikowany adres z univ-lille.fr
Maria Jesus Martin MartinezProfessor of Electronics (University of Salamanca)Zweryfikowany adres z usal.es
Aimin Songmanchester, Lund, Jinan, MunichZweryfikowany adres z manchester.ac.uk
Sergio García-Sánchez (https://orcid.or...Lecturer - University of SalamancaZweryfikowany adres z usal.es
Christophe PalermoInstitut d'Electronique et des Systèmes, Université de MontpellierZweryfikowany adres z univ-montp2.fr
Helena RodillaChalmers University of TechnologyZweryfikowany adres z chalmers.se
Raul RengelUniversidad de SalamancaZweryfikowany adres z usal.es
X. WallartDR CNRS, IEMNZweryfikowany adres z univ-lille.fr
Óscar GarcíaPhD, Técnico Superior, Observatorio de YebesZweryfikowany adres z mitma.es
Martin MargalaProfessor and Director, School of Computing and Informatics, University of Louisiana at LafayetteZweryfikowany adres z louisiana.edu
Xavier OriolsUniversidad Autonoma de BarcelonaZweryfikowany adres z uab.es
Jeremie TorresAssociate Professor (ORCID: 0000-0001-5874-0990), Université de MontpellierZweryfikowany adres z umontpellier.fr
Gabriel GomilaProfessor of Electronic Technology, University of Barcelona and Group Leader, IBECZweryfikowany adres z ub.edu

Obserwuj

Tomás González

Professor of Electronics - University of Salamanca (Spain)

Zweryfikowany adres z usal.es

Nanoelectronics THz devices


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Voltage tuneable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs∕ InAlAs transistor J Lusakowski, W Knap, N Dyakonova, L Varani, J Mateos, T Gonzalez, ... Journal of applied physics 97 (6), 2005	185	2005
Monte Carlo simulator for the design optimization of low-noise HEMTs J Mateos, T González, D Pardo, V Hoël, A Cappy IEEE Transactions on Electron Devices 47 (10), 1950-1956, 2000	133	2000
Microwave detection at 110 GHz by nanowires with broken symmetry C Balocco, AM Song, M Åberg, A Forchel, T González, J Mateos, ... Nano Letters 5 (7), 1423-1427, 2005	123	2005
Improved Monte Carlo algorithm for the simulation of/spl delta/-doped AlInAs/GaInAs HEMTs J Mateos, T González, D Pardo, V Hoel, H Happy, A Cappy IEEE transactions on electron devices 47 (1), 250-253, 2000	122	2000
Physical models of ohmic contact for Monte Carlo device simulation T González, D Pardo Solid-State Electronics 39 (4), 555-562, 1996	112	1996
Operation and high-frequency performance of nanoscale unipolar rectifying diodes J Mateos, BG Vasallo, D Pardo, T González Applied Physics Letters 86 (21), 2005	110	2005
Ballistic nanodevices for terahertz data processing: Monte Carlo simulations J Mateos, BG Vasallo, D Pardo, T González, JS Galloo, Y Roelens, ... Nanotechnology 14 (2), 117, 2003	106	2003
Microscopic modeling of nonlinear transport in ballistic nanodevices J Mateos, BG Vasallo, D Pardo, T González, JS Galloo, S Bollaert, ... IEEE Transactions on Electron Devices 50 (9), 1897-1905, 2003	105	2003
Microscopic simulation of electronic noise in semiconductor materials and devices L Varani, L Reggiani, T Kuhn, T Gonzalez, D Pardo IEEE transactions on electron devices 41 (11), 1916-1925, 1994	103	1994
Terahertz Gunn-like oscillations in InGaAs/InAlAs planar diodes S Pérez, T González, D Pardo, J Mateos Journal of applied physics 103 (9), 2008	96	2008
Universality of the 1/3 shot-noise suppression factor in nondegenerate diffusive conductors T González, C González, J Mateos, D Pardo, L Reggiani, OM Bulashenko, ... Physical review letters 80 (13), 2901, 1998	93	1998
Comparison between the dynamic performance of double-and single-gate AlInAs/InGaAs HEMTs BG Vasallo, N Wichmann, S Bollaert, Y Roelens, A Cappy, T González, ... IEEE Transactions on Electron Devices 54 (11), 2815-2822, 2007	89	2007
Experimental demonstration of direct terahertz detection at room-temperature in AlGaN/GaN asymmetric nanochannels P Sangaré, G Ducournau, B Grimbert, V Brandli, M Faucher, C Gaquière, ... Journal of Applied Physics 113 (3), 2013	79	2013
Monte Carlo determination of the intrinsic small-signal equivalent circuit of MESFET's T Gonzalez, D Pardo IEEE Transactions on Electron Devices 42 (4), 605-611, 1995	78	1995
Effect of the T-gate on the performance of recessed HEMTs. A Monte Carlo analysis J Mateos, T González, D Pardo, V Hoel, A Cappy Semiconductor science and technology 14 (9), 864, 1999	72	1999
Influence of the surface charge on the operation of ballistic T-branch junctions: a self-consistent model for Monte Carlo simulations I Iñiguez-De-La-Torre, J Mateos, T González, D Pardo, JS Galloo, ... Semiconductor science and technology 22 (6), 663, 2007	67	2007
Nonlinear effects in T-branch junctions J Mateos, BG Vasallo, D Pardo, T González, E Pichonat, JS Galloo, ... IEEE Electron Device Letters 25 (5), 235-237, 2004	65	2004
Searching for THz Gunn oscillations in GaN planar nanodiodes A Iniguez-De-La-Torre, I Íñiguez-De-La-Torre, J Mateos, T González, ... Journal of Applied Physics 111 (11), 2012	64	2012
Electron transport in InP under high electric field conditions TG Sanchez, JEV Perez, PMG Conde, DP Collantes Semiconductor science and technology 7 (1), 31, 1992	53	1992
Design optimization of AlInAs-GaInAs HEMTs for high-frequency applications JM Lopez, T González, D Pardo, S Bollaert, T Parenty, A Cappy IEEE transactions on Electron Devices 51 (4), 521-528, 2004	51	2004

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy