Alessandro Bernardi

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2020
Cytowania	639	114
h-indeks	14	6
i10-indeks	18	4

2005200620072008200920102011201220132014201520162017201820192020202120222023202420252 11 32 20 36 48 43 69 50 34 56 29 48 30 16 25 19 20 30 16 3

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

1 artykuł

0 artykułów

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Maria Isabel AlonsoInstitut de Ciència de Materials de Barcelona (ICMAB-CSIC)Zweryfikowany adres z icmab.es
Alejandro R. GoñiICREA Research Prof.Zweryfikowany adres z icmab.es
Miquel Garriga i BacardíInstitut de Ciència de Materials de Barcelona - CSICZweryfikowany adres z icmab.es
Sebastian ReparazINSTITUT DE CIÈNCIA DE MATERIALS DE BARCELONAZweryfikowany adres z icmab.es
Javier Rodriguez ViejoUniversidad Autonoma de Barcelona/Catalan Institute of Nanoscience and NanotechnologyZweryfikowany adres z uab.es
A.F. LopeandiaProfessor Agregat, Universitat Autònoma de BarcelonaZweryfikowany adres z uab.cat
J. Oriol OssóMax Planck, ICMAB, MATGASZweryfikowany adres z matgas.org
Andrea CavallaroImperial College LondonZweryfikowany adres z imperial.ac.uk
Albert TarancónICREA Prof at IREC- Catalonia Institute for Energy ResearchZweryfikowany adres z irec.cat
jose santisoICN2 Institut Catala de Nanociencia i NanotecnologiaZweryfikowany adres z icn2.cat
Armando RastelliProfessor of Semiconductor Physics, Johannes Kepler University LinzZweryfikowany adres z jku.at
Suwit KiravittayaDepartment of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Chulalongkorn UniversityZweryfikowany adres z chula.ac.th
Prof. Dr. Mohamed BenyoucefUniversity of KasselZweryfikowany adres z physik.uni-kassel.de
Dominic J ThurmerInfineon Technologies Dresden GmbHZweryfikowany adres z infineon.com
Oliver G SchmidtScientific Director, Research Center MAIN at TU Chemnitz, Adjunct Professor at TU DresdenZweryfikowany adres z etit.tu-chemnitz.de
Mónica BurrielUniv. Grenoble Alpes, CNRS, Grenoble INP, LMGPZweryfikowany adres z grenoble-inp.fr
Hamish FraserOhio State UniversityZweryfikowany adres z osu.edu
Srinivasan RajagopalanExxonmobil Technology and Engineering CompanyZweryfikowany adres z osu.edu
Francesc AlzinaUltrafast Dynamics in Nanoscale Systems Group. ICN2-Institut Català de Nanociència i NanotecnologiaZweryfikowany adres z icn2.cat
Marco BazzanRicercatore in Fisica, Università di PadovaZweryfikowany adres z unipd.it

Obserwuj

Alessandro Bernardi

Universitat Autonoma de Barcelona

Zweryfikowany adres z socialelephants.com - Strona główna

Nanotechnology Big Data Social Network Analysis Social Thermodynamics Data Journalism


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Electronic nature of the enhanced conductivity in YSZ-STO multilayers deposited by PLD A Cavallaro, M Burriel, J Roqueta, A Apostolidis, A Bernardi, A Tarancón, ... Solid State Ionics 181 (13-14), 592-601, 2010	126	2010
On-chip Si/SiOx microtube refractometer A Bernardi, S Kiravittaya, A Rastelli, R Songmuang, DJ Thurmer, ... Applied Physics Letters 93 (9), 2008	121	2008
Composition dependence of the phonon strain shift coefficients of SiGe alloys revisited JS Reparaz, A Bernardi, AR Goñi, MI Alonso, M Garriga Applied Physics Letters 92 (8), 2008	73	2008
Cross-plane thermal conductivity reduction of vertically uncorrelated Ge∕ Si quantum dot superlattices J Alvarez-Quintana, X Alvarez, J Rodriguez-Viejo, D Jou, ... Applied physics letters 93 (1), 2008	43	2008
Probing residual strain in InGaAs∕ GaAs micro-origami tubes by micro-Raman spectroscopy A Bernardi, AR Goni, MI Alonso, F Alsina, H Scheel, PO Vaccaro, N Saito Journal of applied physics 99 (6), 2006	38	2006
Radiografía de los micro-influencers en la economía de las plataformas digitales: Insatisfacción, trabajo gratuito y desigualdad en la retribución IV Simón, CF Rovira, SG Luque, A Bernardi Revista latina de comunicación social, 21, 2022	21	2022
Phonon pressure coefficient as a probe of the strain status of self-assembled quantum dots JS Reparaz, A Bernardi, AR Goñi, PD Lacharmoise, MI Alonso, M Garriga, ... Applied Physics Letters 91 (8), 2007	21	2007
Density control on self-assembling of Ge islands using carbon-alloyed strained SiGe layers A Bernardi, MI Alonso, AR Goñi, JO Ossó, M Garriga Applied physics letters 89 (10), 2006	20	2006
Site-controlled growth of Ge nanostructures on Si (100) via pulsed laser deposition nanostenciling CV Cojocaru, A Bernardi, JS Reparaz, MI Alonso, JM MacLeod, ... Applied Physics Letters 91 (11), 2007	19	2007
Influence of Si interdiffusion on carbon-induced growth of Ge quantum dots: a strategy for tuning island density A Bernardi, JO Ossó, MI Alonso, AR Goñi, M Garriga Nanotechnology 17 (10), 2602, 2006	19	2006
Evolution of strain and composition during growth and capping of Ge quantum dots with different morphologies A Bernardi, MI Alonso, JS Reparaz, AR Goni, PD Lacharmoise, JO Osso, ... Nanotechnology 18 (47), 475401, 2007	17	2007
A systematic study of the chemical etching process on periodically poled lithium niobate structures N Argiolas, M Bazzan, A Bernardi, E Cattaruzza, P Mazzoldi, P Schiavuta, ... Materials Science and Engineering: B 118 (1-3), 150-154, 2005	17	2005
Nanocalorimetric high-temperature characterization of ultrathin films of a-Ge AF Lopeandía, E Leon-Gutierrez, G Garcia, F Pi, A Bernardi, AR Goñi, ... Materials science in semiconductor processing 9 (4-5), 806-811, 2006	15	2006
Raman scattering interferences as a probe of vertical coherence in multilayers of carbon-induced Ge quantum dots PD Lacharmoise, A Bernardi, AR Goni, MI Alonso, M Garriga, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 76 (15), 155311, 2007	14	2007
Ellipsometric study of crystallization of amorphous Ge thin films embedded in SiO2 MI Alonso, M Garriga, A Bernardi, AR Goni, AF Lopeandia, G Garcia, ... Thin Solid Films 516 (12), 4277-4281, 2008	12	2008
Topographic investigation of ferroelectric domain structures in periodically-poled lithium niobate crystals by a profilometer M Bazzan, N Argiolas, A Bernardi, P Mazzoldi, C Sada Materials characterization 51 (2-3), 177-183, 2003	11	2003
Crystallisation of amorphous germanium thin films G Garcia, AF Lopeandia, A Bernardi, MI Alonso, AR Goni, JL Labar, ... Journal of Nanoscience and Nanotechnology 9 (5), 3013-3019, 2009	10	2009
Measurement of phonon pressure coefficients for a precise determination of deformation potentials in SiGe alloys JS Reparaz, AR Goni, A Bernardi, MI Alonso, M Garriga physica status solidi (b) 246 (3), 548-552, 2009	10	2009
Modified Stranski–Krastanov growth in Ge/Si heterostructures via nanostenciled pulsed laser deposition JM MacLeod, CV Cojocaru, F Ratto, C Harnagea, A Bernardi, MI Alonso, ... Nanotechnology 23 (6), 065603, 2012	7	2012
Ellipsometric measurements of quantum confinement effects on higher interband transitions of Ge nanocrystals MI Alonso, M Garriga, A Bernardi, AR Goni, AF Lopeandia, G Garcia, ... physica status solidi (a) 205 (4), 888-891, 2008	5	2008

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy