Oliver Brandt

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2020
Cytowania	17706	2922
h-indeks	66	24
i10-indeks	286	83

1100

550

275

825

199219931994199519961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202569 149 110 186 150 299 359 366 345 299 371 433 441 479 562 695 701 611 609 761 721 808 825 874 1016 864 777 792 759 613 481 578 414 76

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

61 artykułów

12 artykułów

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Holger T. GrahnPaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikZweryfikowany adres z pdi-berlin.de
Sergio Fernández-GarridoAssociate Professor in Materials Science and ERC-CoG Grantee at Universidad Politécnica de MadridZweryfikowany adres z upm.es
Henning RiechertDirector, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikZweryfikowany adres z pdi-berlin.de
Jonas LähnemannWissenschaftlicher Mitarbeiter, Paul-Drude-Institut für FestkörperelektronikZweryfikowany adres z pdi-berlin.de
Carsten PfüllerPost Doc, Paul-Drude-InstitutZweryfikowany adres z pdi-berlin.de
Vladimir KaganerPaul-Drude-Institut für FestkörperelektronikZweryfikowany adres z pdi-berlin.de
Pierre CorfdirABB Corporate ResearchZweryfikowany adres z ch.abb.com
Subhabrata DharIndian Institute of Technology BombayZweryfikowany adres z phy.iitb.ac.in
Bernd JenichenPaul-Drude-InstitutZweryfikowany adres z pdi-berlin.de
YueJun SunASMLZweryfikowany adres z asml.com
Leander TapferENEAZweryfikowany adres z enea.it
Caroline ChèzeZweryfikowany adres z pdi-berlin.de
Dr. Christian HauswaldDeutsche Bahn AG - Digitale Schiene DeutschlandZweryfikowany adres z deutschebahn.com
Raffaella CalarcoCNR-IMMZweryfikowany adres z cnr.it
Pranob MisraMeta - Reality LabsZweryfikowany adres z meta.com
sabelfeldИнститут вычислительной математики и математической геофизики СОZweryfikowany adres z osmf.sscc.ru
Oliver MarquardtPaul-Drude-Institut fuer Festkörperelektronik BerlinZweryfikowany adres z pdi-berlin.de
Johannes K ZettlerLayTec AGZweryfikowany adres z laytec.de
Pınar DoğanAssistant Professor, Department of Electrical and Electronics Engineering, Mugla Sitki KocmanZweryfikowany adres z mu.edu.tr
Sandip GhoshTata Institute of Fundamental ResearchZweryfikowany adres z tifr.res.in

Obserwuj

Oliver Brandt

Senior scientist, Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik

Zweryfikowany adres z pdi-berlin.de - Strona główna

Semiconductor physics Materials science Nanostructures


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Nitride semiconductors free of electrostatic fields for efficient white light-emitting diodes P Waltereit, O Brandt, A Trampert, HT Grahn, J Menniger, M Ramsteiner, ... nature 406 (6798), 865-868, 2000	2196	2000
Colossal magnetic moment of Gd in GaN S Dhar, O Brandt, M Ramsteiner, VF Sapega, KH Ploog Physical Review Letters 94 (3), 037205, 2005	442	2005
Electronic band structure of wurtzite GaN under biaxial strain in the M plane investigated with photoreflectance spectroscopy S Ghosh, P Waltereit, O Brandt, HT Grahn, KH Ploog Physical Review-Section B-Condensed Matter 65 (7), 75202-75202, 2002	346	2002
X-ray diffraction peak profiles from threading dislocations in GaN epitaxial films VM Kaganer, O Brandt, A Trampert, KH Ploog Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 72 (4), 045423, 2005	263	2005
Suitability of Au-and self-assisted GaAs nanowires for optoelectronic applications S Breuer, C Pfuller, T Flissikowski, O Brandt, HT Grahn, L Geelhaar, ... Nano letters 11 (3), 1276-1279, 2011	251	2011
Origin of high-temperature ferromagnetism in (Ga,Mn)N layers grown on 4H–SiC(0001) by reactive molecular-beam epitaxy S Dhar, O Brandt, A Trampert, L Daweritz, KJ Friedland, KH Ploog, ... Applied physics letters 82 (13), 2077-2079, 2003	247	2003
Direct measurement of local lattice distortions in strained layer structures by HREM R Bierwolf, M Hohenstein, F Phillipp, O Brandt, GE Crook, K Ploog Ultramicroscopy 49 (1-4), 273-285, 1993	247	1993
Surface reconstructions of zinc-blende GaN/GaAs (001) in plasma-assisted molecular-beam epitaxy O Brandt, H Yang, B Jenichen, Y Suzuki, L Däweritz, KH Ploog Physical Review B 52 (4), R2253, 1995	214	1995
Direct comparison of catalyst-free and catalyst-induced GaN nanowires C Chèze, L Geelhaar, O Brandt, WM Weber, H Riechert, S Münch, ... Nano Research 3, 528-536, 2010	206	2010
Identification of optical transitions in cubic and hexagonal GaN by spatially resolved cathodoluminescence J Menniger, U Jahn, O Brandt, H Yang, K Ploog Physical Review B 53 (4), 1881, 1996	200*	1996
Impact of nucleation conditions on the structural and optical properties of M-plane GaN (1-100) grown on γ-LiAlO2 YJ Sun, O Brandt, U Jahn, TY Liu, A Trampert, S Cronenberg, S Dhar, ... Journal of applied physics 92 (10), 5714-5719, 2002	195	2002
High p‐type conductivity in cubic GaN/GaAs (113) A by using Be as the acceptor and O as the codopant O Brandt, H Yang, H Kostial, KH Ploog Applied physics letters 69 (18), 2707-2709, 1996	190	1996
Growth of M-plane GaN (1-100) on γ-LiAlO2(100) P Waltereit, O Brandt, M Ramsteiner, R Uecker, P Reiche, KH Ploog Journal of crystal growth 218 (2), 143-147, 2000	189	2000
Gd-doped GaN: A very dilute ferromagnetic semiconductor with a Curie temperature above 300 K S Dhar, L Pérez, O Brandt, A Trampert, KH Ploog, J Keller, B Beschoten Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 72 (24), 245203, 2005	182	2005
Influence of AlN nucleation layers on growth mode and strain relief of GaN grown on 6H–SiC (0001) P Waltereit, O Brandt, A Trampert, M Ramsteiner, M Reiche, M Qi, ... Applied physics letters 74 (24), 3660-3662, 1999	162	1999
Optical phonons of hexagonal and cubic GaN studied by infrared transmission and Raman spectroscopy M Giehler, M Ramsteiner, O Brandt, H Yang, KH Ploog Applied physics letters 67 (6), 733-735, 1995	158	1995
Luminescence associated with stacking faults in GaN J Lähnemann, U Jahn, O Brandt, T Flissikowski, P Dogan, HT Grahn Journal of Physics D: Applied Physics 47 (42), 423001, 2014	155	2014
Luminescence of GaAs nanowires consisting of wurtzite and zinc-blende segments U Jahn, J Lähnemann, C Pfüller, O Brandt, S Breuer, B Jenichen, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 85 (4), 045323, 2012	150	2012
Sub-meV linewidth of excitonic luminescence in single GaN nanowires: Direct evidence for surface excitons O Brandt, C Pfüller, C Chèze, L Geelhaar, H Riechert Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 81 (4), 045302, 2010	150	2010
Polarity in GaN and ZnO: Theory, measurement, growth, and devices J Zuniga-Perez, V Consonni, L Lymperakis, X Kong, A Trampert, ... Applied Physics Reviews 3 (4), 2016	149	2016

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy