‪Bo Zhang （张波）,Professor‬

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2020
Cytowania	11288	5465
h-indeks	48	32
i10-indeks	306	154

1300

650

325

975

20052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202539 82 90 138 140 302 349 443 468 571 552 571 547 671 737 874 1011 1035 1082 1242 220

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

46 artykułów

195 artykułów

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

Wanjun ChenUniversity of Elecronic Science and Technology of ChinaZweryfikowany adres z uestc.edu.cn
Ming QiaoUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaZweryfikowany adres z uestc.edu.cn
Qi ZhouUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaZweryfikowany adres z uestc.edu.cn
Jie WeiUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaZweryfikowany adres z std.uestc.edu.cn
Zhuo WangUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaZweryfikowany adres z uestc.edu.cn
Ruize Sun 孙瑞泽Univerisity of Electronic Science and Technology of ChinaZweryfikowany adres z uestc.edu.cn
xin zhouUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaZweryfikowany adres z uestc.edu.cn
Alex Q. HuangUniversity of Texas at AustinZweryfikowany adres z utexas.edu
Hong TaoUniversity of Electronic Science and Technology of ChinaZweryfikowany adres z std.uestc.edu.cn
Huaping JIANGEngineer of Dynex Semiconductor Ltd.Zweryfikowany adres z dynexsemi.com
Sen HuangInstitute of Microelectronics, Chinese Academy of SciencesZweryfikowany adres z ime.ac.cn
xinhua wang中国科学院微电子研究所Zweryfikowany adres z ime.ac.cn
Chunhua ZhouEfficient Power Conversion Corp.Zweryfikowany adres z epc-co.com
Wai Tung NgProfessor, Electrical and Computer Engineering, University of TorontoZweryfikowany adres z vrg.utoronto.ca
Jin WeiPeking UniversityZweryfikowany adres z pku.edu.cn
yang yintangXidian UniversityZweryfikowany adres z xidian.edu.cn
Yaoyao JiaAssistant Professor, ECE, The University of Texas at AustinZweryfikowany adres z austin.utexas.edu
Jia SiPeking UniversityZweryfikowany adres z pku.edu.cn
Fred C. LeeCPES Director, University Distinguished Professor, Virginia TechZweryfikowany adres z vt.edu
Yonggen LiuHong Kong University of Science and TechnologyZweryfikowany adres z ust.hk

Obserwuj

Bo Zhang （张波）,Professor

Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China

Zweryfikowany adres z uestc.edu.cn - Strona główna

power semiconductor devices


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Targeting cell death pathways for cancer therapy: recent developments in necroptosis, pyroptosis, ferroptosis, and cuproptosis research X Tong, R Tang, M Xiao, J Xu, W Wang, B Zhang, J Liu, X Yu, S Shi Journal of hematology & oncology 15 (1), 174, 2022	445	2022
GaN power integration for high frequency and high efficiency power applications: A review R Sun, J Lai, W Chen, B Zhang Ieee Access 8, 15529-15542, 2020	184	2020
A novel 700-V SOI LDMOS with double-sided trench X Luo, B Zhang, Z Li, Y Guo, X Tang, Y Liu IEEE Electron Device Letters 28 (5), 422-424, 2007	137	2007
A SiC power MOSFET loss model suitable for high-frequency applications X Li, J Jiang, AQ Huang, S Guo, X Deng, B Zhang, X She IEEE Transactions on Industrial Electronics 64 (10), 8268-8276, 2017	133	2017
Understanding switching losses in SiC MOSFET: Toward lossless switching X Li, L Zhang, S Guo, Y Lei, AQ Huang, B Zhang 2015 IEEE 3rd Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA …, 2015	132	2015
A 1.6-V 25-A 5-ppm/C Curvature-Compensated Bandgap Reference ZK Zhou, Y Shi, Z Huang, PS Zhu, YQ Ma, YC Wang, Z Chen, X Ming, ... IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 59 (4), 677-684, 2011	128	2011
New thin-film power MOSFETs with a buried oxide double step structure B Duan, B Zhang, Z Li IEEE Electron device letters 27 (5), 377-379, 2006	122	2006
An ultrafast adaptively biased capacitorless LDO with dynamic charging control X Ming, Q Li, Z Zhou, B Zhang IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 59 (1), 40-44, 2011	119	2011
7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al₂O₃/GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering Q Zhou, L Liu, A Zhang, B Chen, Y Jin, Y Shi, Z Wang, W Chen, B Zhang IEEE Electron Device Letters 37 (2), 165-168, 2015	114	2015
High reverse blocking and low onset voltage AlGaN/GaN-on-Si lateral power diode with MIS-gated hybrid anode Q Zhou, Y Jin, Y Shi, J Mou, X Bao, B Chen, B Zhang IEEE Electron Device Letters 36 (7), 660-662, 2015	104	2015
A new structure and its analytical model for the electric field and breakdown voltage of SOI high voltage device with variable-k dielectric buried layer X Luo, B Zhang, Z Li Solid-State Electronics 51 (3), 493-499, 2007	104	2007
Field enhancement for dielectric layer of high-voltage devices on silicon on insulator B Zhang, Z Li, S Hu, X Luo IEEE transactions on electron devices 56 (10), 2327-2334, 2009	102	2009
Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiN_xPassivation and High-Temperature Gate Recess Y Shi, S Huang, Q Bao, X Wang, K Wei, H Jiang, J Li, C Zhao, S Li, ... IEEE Transactions on Electron Devices 63 (2), 614-619, 2016	101	2016
High-voltage LDMOS with charge-balanced surface low on-resistance path layer B Zhang, W Wang, W Chen, Z Li, Z Li IEEE Electron device letters 30 (8), 849-851, 2009	100	2009
An ultralow-power fast-transient capacitor-free low-dropout regulator with assistant push–pull output stage X Qu, ZK Zhou, B Zhang, ZJ Li IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs 60 (2), 96-100, 2013	99	2013
High-Performance Enhancement-Mode Al₂O₃/AlGaN/GaN-on-Si MISFETs With 626 MW/Figure of Merit Q Zhou, B Chen, Y Jin, S Huang, K Wei, X Liu, X Bao, J Mou, B Zhang IEEE Transactions on Electron Devices 62 (3), 776-781, 2015	95	2015
Ultralow specific on-resistance high-voltage SOI lateral MOSFET X Luo, J Fan, Y Wang, T Lei, M Qiao, B Zhang, F Udrea IEEE electron device letters 32 (2), 185-187, 2010	94	2010
Breakdown-voltage-enhancement technique for RF-based AlGaN/GaN HEMTs with a source-connected air-bridge field plate G Xie, E Xu, J Lee, N Hashemi, B Zhang, FY Fu, WT Ng IEEE electron device letters 33 (5), 670-672, 2012	89	2012
A snapback suppressed reverse-conducting IGBT with a floating p-region in trench collector H Jiang, B Zhang, W Chen, Z Li, C Liu, Z Rao, B Dong IEEE Electron device letters 33 (3), 417-419, 2012	87	2012
Comparing SiC switching power devices: MOSFET, NPN transistor and GTO thyristor AQ Huang, B Zhang Solid-State Electronics 44 (2), 325-340, 2000	84	2000

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy