Ya-Hong Xie

Cytowane przez

	Wszystkie	Od 2020
Cytowania	13561	2396
h-indeks	55	24
i10-indeks	184	63

520

260

130

390

1992199319941995199619971998199920002001200220032004200520062007200820092010201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025114 199 295 417 471 480 406 336 357 362 344 396 435 467 443 375 364 353 404 404 413 471 435 468 489 459 490 392 422 440 491 454 509 80

Dostęp publiczny

Wyświetl wszystko

44 artykuły

10 artykułów

dostępne

niedostępne

Objęte finansowaniem

Współautorzy

E A FitzgeraldCornell, ATT, MIT, Massachusetts Institute of Technology, NTUZweryfikowany adres z mit.edu
Don MonroeFreelance science writerZweryfikowany adres z DonMonroe.info
Thomas SchroederLeibniz-Institut für Kristallzüchtung (IKZ); Professor in Physics at Humboldt Universität zu BerlinZweryfikowany adres z ikz-berlin.de
Congqin MiaoUniversity of California, Los AngelesZweryfikowany adres z ucla.edu
Wei ZhangPhD of Materials Science and Engineering, University of California, Los AngelesZweryfikowany adres z ucla.edu
JCS WooUniversity of California, Los AngelesZweryfikowany adres z ee.ucla.edu
Kang L. WangElectrical Engineering DepartmentZweryfikowany adres z ee.ucla.edu
Wei LiuFujian Institute of Research on the Structure of Matter, Chinese Academy of SciencesZweryfikowany adres z fjirsm.ac.cn
Michael HilkeMcGill UniversityZweryfikowany adres z physics.mcgill.ca
Yanjie WangUniversity of California,Los angelesZweryfikowany adres z ucla.edu
Leonard FeldmanProfessor of Physics and Materials ScienceZweryfikowany adres z rutgers.edu
Eli YablonovitchZweryfikowany adres z eecs.berkeley.edu
Bo-Chao HuangELECTRICAL ENGINEERING, UCLAZweryfikowany adres z ucla.edu
Jianlin LiuProfessor of Electrical and Computer Engineering, University of California, RiversideZweryfikowany adres z ece.ucr.edu
K. A. JenkinsResearch Staff Member, IBM T.J. Watson Research CenterZweryfikowany adres z us.ibm.com
Hyun-Mi KimKorea Electronics Technolgy InstituteZweryfikowany adres z keti.re.kr
Mark S HybertsenSenior Physicist, Emeritus, Center for Functional Nanomaterials, Brookhaven National LaboratoryZweryfikowany adres z bnl.gov
James Alexander LiddleChief, Microsystems and Nanotechnology Division, NISTZweryfikowany adres z nist.gov
Faxian XiuPhysics Department, Fudan UniversityZweryfikowany adres z fudan.edu.cn
Sergey GaponenkoHead of Laboratory Stepanov Institute of Physics, Nat Academy of Sci, BelarusZweryfikowany adres z ifanbel.bas-net.by

Obserwuj

Ya-Hong Xie

University of California Los Angeles, Materials Sciences & Engineering

Zweryfikowany adres z ucla.edu - Strona główna

bio-sensing plasmonics semiconductor nano-science


Tytuł Sortuj wg cytatów Sortuj wg roku Sortuj wg tytułu	Cytowane przez Cytowane przez	Rok
Totally relaxed Ge_xSi_1−x layers with low threading dislocation densities grown on Si substrates EA Fitzgerald, YH Xie, ML Green, D Brasen, AR Kortan, J Michel, YJ Mii, ... Applied physics letters 59 (7), 811-813, 1991	940	1991
Relaxed Ge_xSi_1−x structures for III–V integration with Si and high mobility two‐dimensional electron gases in Si EA Fitzgerald, YH Xie, D Monroe, PJ Silverman, JM Kuo, AR Kortan, ... Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1992	685	1992
Impurity enhancement of the 1.54‐μm Er³⁺ luminescence in silicon J Michel, JL Benton, RF Ferrante, DC Jacobson, DJ Eaglesham, ... Journal of applied physics 70 (5), 2672-2678, 1991	582	1991
Light emission from silicon SS Iyer, YH Xie Science 260 (5104), 40-46, 1993	506	1993
Size, shape, and composition of luminescent species in oxidized Si nanocrystals and H-passivated porous Si S Schuppler, SL Friedman, MA Marcus, DL Adler, YH Xie, FM Ross, ... Physical Review B 52 (7), 4910, 1995	460	1995
Luminescence and structural study of porous silicon films YH Xie, WL Wilson, FM Ross, JA Mucha, EA Fitzgerald, JM Macaulay, ... Journal of applied physics 71 (5), 2403-2407, 1992	426	1992
Dimensions of luminescent oxidized and porous silicon structures S Schuppler, SL Friedman, MA Marcus, DL Adler, YH Xie, FM Ross, ... Physical review letters 72 (16), 2648, 1994	385	1994
Extremely high electron mobility in Si/Ge_xSi_1−x structures grown by molecular beam epitaxy YJ Mii, YH Xie, EA Fitzgerald, D Monroe, FA Thiel, BE Weir, LC Feldman Applied Physics Letters 59 (13), 1611-1613, 1991	359	1991
Semiconductor surface roughness: Dependence on sign and magnitude of bulk strain YH Xie, GH Gilmer, C Roland, PJ Silverman, SK Buratto, JY Cheng, ... Physical Review Letters 73 (22), 3006, 1994	341	1994
Very high mobility two‐dimensional hole gas in Si/GexSi1− x/Ge structures grown by molecular beam epitaxy YH Xie, D Monroe, EA Fitzgerald, PJ Silverman, FA Thiel, GP Watson Applied physics letters 63 (16), 2263-2264, 1993	258	1993
Ultra‐sensitive graphene‐plasmonic hybrid platform for label‐free detection P Wang, O Liang, W Zhang, T Schroeder, YH Xie Advanced Materials 25 (35), 4918-4924, 2013	246	2013
Surface morphology of related Ge_xSi_1−x films JWP Hsu, EA Fitzgerald, YH Xie, PJ Silverman, MJ Cardillo Applied physics letters 61 (11), 1293-1295, 1992	242	1992
Semiconductor heterostructure devices with strained semiconductor layers D Brasen, EA Fitzgerald Jr, ML Green, DP Monroe, PJ Silverman, YH Xie US Patent 5,442,205, 1995	228	1995
Label-free SERS selective detection of dopamine and serotonin using graphene-Au nanopyramid heterostructure P Wang, M Xia, O Liang, K Sun, AF Cipriano, T Schroeder, H Liu, YH Xie Analytical chemistry 87 (20), 10255-10261, 2015	192	2015
Vertical graphene base transistor W Mehr, J Dabrowski, JC Scheytt, G Lippert, YH Xie, MC Lemme, ... IEEE Electron Device Letters 33 (5), 691-693, 2012	188	2012
Relaxed template for fabricating regularly distributed quantum dot arrays YH Xie, SB Samavedam, M Bulsara, TA Langdo, EA Fitzgerald Applied physics letters 71 (24), 3567-3568, 1997	176	1997
Absorption and luminescence studies of free-standing porous silicon films YH Xie, MS Hybertsen, WL Wilson, SA Ipri, GE Carver, WL Brown, E Dons, ... Physical Review B 49 (8), 5386, 1994	157	1994
Comparison of mobility‐limiting mechanisms in high‐mobility Si_1−xGe_x heterostructures D Monroe, YH Xie, EA Fitzgerald, PJ Silverman, GP Watson Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer …, 1993	150	1993
Large scale pattern graphene electrode for high performance in transparent organic single crystal field-effect transistors W Liu, BL Jackson, J Zhu, CQ Miao, CH Chung, YJ Park, K Sun, J Woo, ... Acs Nano 4 (7), 3927-3932, 2010	148	2010
Spectroscopic Signatures of AA′ and AB Stacking of Chemical Vapor Deposited Bilayer MoS₂ M Xia, B Li, K Yin, G Capellini, G Niu, Y Gong, W Zhou, PM Ajayan, ... ACS nano 9 (12), 12246-12254, 2015	147	2015

Nie można teraz wykonać tej operacji. Spróbuj ponownie później.

Prace 1–20

Cytowania rocznie

Powielone cytowania

Scalone cytowania

Dodaj współautorówWspółautorzy

Obserwuj

Cytowane przez

Współautorzy