Joan Redwing

Citat de

	Toate	Din 2020
Referințe bibliografice	22541	7367
h-index	84	40
i10-index	271	143

1900

950

475

1425

1997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202577 174 307 406 331 328 458 505 670 715 808 856 784 848 889 879 899 793 870 901 840 770 912 1082 1149 1293 1536 1863 433

Acces public

Afișați-le pe toate

115 articole

16 articole

disponibile

indisponibile

Pe baza cerințelor privind finanțarea

Coautori

Xiaoxing XiTemple UniversityAdresă de e-mail confirmată pe temple.edu
Theresa MayerPurdue UniversityAdresă de e-mail confirmată pe purdue.edu
Tanushree H. ChoudhuryIndian Institute of Technology Bombay, PowaiAdresă de e-mail confirmată pe iitb.ac.in
Kok-Keong (KK) LewUniversity of Illinois, The Pennsylvania State University, Naval Research LaboratoryAdresă de e-mail confirmată pe amat.com
Elizabeth C. DickeyCarnegie Mellon UniversityAdresă de e-mail confirmată pe cmu.edu
Saptarshi DasAckley Professor of Engineering, Pennsylvania State UniversityAdresă de e-mail confirmată pe psu.edu
Sarah M. EichfeldPenn State UniversityAdresă de e-mail confirmată pe psu.edu
Joshua A. RobinsonProf. MatSE; Center for 2DLM; ATOMIC; 2D Crystal Consort.; The Pennsylvania State UniversityAdresă de e-mail confirmată pe psu.edu
Suzanne MohneyPenn StateAdresă de e-mail confirmată pe psu.edu
Xiaotian ZhangSJTUAdresă de e-mail confirmată pe sjtu.edu.cn
Nasim AlemPennsylvania State UniversityAdresă de e-mail confirmată pe psu.edu
Darrell G. SchlomCornell UniversityAdresă de e-mail confirmată pe cornell.edu
Zi-Kui Liu, Dorothy Pate Enright Profes...The Pennsylvania State UniversityAdresă de e-mail confirmată pe psu.edu
Zakaria Y. Al BalushiAsst. Professor of MSE at UC Berkeley, LBNL, California Institute of Technology, Penn StateAdresă de e-mail confirmată pe berkeley.edu
Thomas E. MalloukVagelos Professor in Energy Research, University of PennsylvaniaAdresă de e-mail confirmată pe sas.upenn.edu

Urmăriți

Joan Redwing

Penn State University

Adresă de e-mail confirmată pe psu.edu

Electronic materials synthesis


Titlu Sortați după descrierea bibliografică Sortați după an Sortați după titlu	Citat de Citat de	Anul
Two-dimensional gallium nitride realized via graphene encapsulation ZY Al Balushi, K Wang, RK Ghosh, RA Vilá, SM Eichfeld, JD Caldwell, ... Nature materials 15 (11), 1166-1171, 2016	776	2016
Highly Scalable, Atomically Thin WSe₂ Grown via Metal–Organic Chemical Vapor Deposition SM Eichfeld, L Hossain, YC Lin, AF Piasecki, B Kupp, AG Birdwell, ... ACS nano 9 (2), 2080-2087, 2015	462	2015
In situ epitaxial MgB₂ thin films for superconducting electronics X Zeng, AV Pogrebnyakov, A Kotcharov, JE Jones, XX Xi, EM Lysczek, ... Nature materials 1 (1), 35-38, 2002	452	2002
Benchmarking monolayer MoS₂ and WS₂ field-effect transistors A Sebastian, R Pendurthi, TH Choudhury, JM Redwing, S Das Nature communications 12 (1), 693, 2021	436	2021
Piezoelectric charge densities in AlGaN/GaN HFETs PM Asbeck, ET Yu, SS Lau, GJ Sullivan, J Van Hove, J Redwing Electronics letters 33 (14), 1230-1231, 1997	434	1997
Bottom-up assembly of large-area nanowire resonator arrays M Li, RB Bhiladvala, TJ Morrow, JA Sioss, KK Lew, JM Redwing, ... Nature nanotechnology 3 (2), 88-92, 2008	373	2008
GaN-based devices using (Ga, AL, In) N base layers RP Vaudo, JM Redwing, MA Tischler, DW Brown US Patent 6,156,581, 2000	346	2000
High-field superconductivity in alloyed thin films V Braccini, A Gurevich, JE Giencke, MC Jewell, CB Eom, DC Larbalestier, ... Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 71 (1), 012504, 2005	332	2005
Crystallographic wet chemical etching of GaN DA Stocker, EF Schubert, JM Redwing Applied Physics Letters 73 (18), 2654-2656, 1998	319	1998
A roadmap for electronic grade 2D materials N Briggs, S Subramanian, Z Lin, X Li, X Zhang, K Zhang, K Xiao, ... 2D Materials 6 (2), 022001, 2019	295	2019
High brightness electroluminescent device emitting in the green to ultraviolet spectrum and method of making the same J Redwing, MA Tischler US Patent 5,874,747, 1999	293	1999
Silicon nanowire array photoelectrochemical cells AP Goodey, SM Eichfeld, KK Lew, JM Redwing, TE Mallouk Journal of the American Chemical Society 129 (41), 12344-12345, 2007	282	2007
Diffusion-Controlled Epitaxy of Large Area Coalesced WSe₂ Monolayers on Sapphire X Zhang, TH Choudhury, M Chubarov, Y Xiang, B Jariwala, F Zhang, ... Nano letters 18 (2), 1049-1056, 2018	280	2018
III-V nitride substrate boule and method of making and using the same RP Vaudo, JS Flynn, GR Brandes, JM Redwing, MA Tischler US Patent 6,596,079, 2003	273	2003
Optical properties of Si-doped GaN EF Schubert, ID Goepfert, W Grieshaber, JM Redwing Applied Physics Letters 71 (7), 921-923, 1997	271	1997
Growth characteristics of silicon nanowires synthesized by vapor–liquid–solid growth in nanoporous alumina templates KK Lew, JM Redwing Journal of Crystal Growth 254 (1-2), 14-22, 2003	259	2003
Realizing large-scale, electronic-grade two-dimensional semiconductors YC Lin, B Jariwala, BM Bersch, K Xu, Y Nie, B Wang, SM Eichfeld, ... ACS nano 12 (2), 965-975, 2018	247	2018
AlGaN/GaN HEMTs grown on SiC substrates SC Binari, JM Redwing, G Kelner, W Kruppa Electronics Letters 33 (3), 242-243, 1997	235	1997
Optical properties of rectangular cross-sectional ZnS nanowires Q Xiong, G Chen, JD Acord, X Liu, JJ Zengel, HR Gutierrez, JM Redwing, ... Nano Letters 4 (9), 1663-1668, 2004	229	2004
The role of the tunneling component in the current-voltage characteristics of metal-GaN Schottky diodes LS Yu, QZ Liu, QJ Xing, DJ Qiao, SS Lau, J Redwing Journal of applied physics 84 (4), 2099-2104, 1998	225	1998

Sistemul nu poate realiza operația în acest moment. Încercați din nou mai târziu.

Articole 1–20

Referințe bibliografice pe an

Citate duplicat

Citate fuzionate

Adăugați coautoriCoautori

Urmăriți

Citat de

Coautori