Joël Eymery

Citat de

	Toate	Din 2020
Referințe bibliografice	6066	1654
h-index	40	22
i10-index	110	50

460

230

115

345

19961997199819992000200120022003200420052006200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202524 17 20 18 23 28 46 50 51 79 120 105 134 183 202 259 225 319 312 431 439 460 420 357 409 326 291 261 321 43

Acces public

Afișați-le pe toate

40 de articole

4 articole

disponibile

indisponibile

Pe baza cerințelor privind finanțarea

Coautori

Christophe DurandAsso. Professor-HDR, Université Grenoble Alpes, CEA, IRIG, PHELIQS-NPSCAdresă de e-mail confirmată pe cea.fr
Maria TchernychevaResearcher at Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), CNRS, Universite Paris-SudAdresă de e-mail confirmată pe u-psud.fr
Catherine Bougerol-(Chaillout)Directrice de recherche CNRSAdresă de e-mail confirmată pe neel.cnrs.fr
Marie-Ingrid RichardCEA-Grenoble and ESRFAdresă de e-mail confirmată pe esrf.fr
Gwénolé JacopinInstitut Néel - CNRS, Univ. Grenoble Alpes, FranceAdresă de e-mail confirmată pe epfl.ch
Vincent Favre-NicolinESRF-The European Synchrotron (on leave from Univ. Grenoble Alpes)Adresă de e-mail confirmată pe esrf.fr
Lorenzo RiguttiUniversity of Rouen NormandieAdresă de e-mail confirmată pe univ-rouen.fr
hezhi zhangDalian university of technologyAdresă de e-mail confirmată pe dlut.edu.cn
Pascal GentileceaAdresă de e-mail confirmată pe cea.fr
Tobias SchülliESRF Scientist in charge of Beamline ID01; Deputy Group Head of the X-ray Nanoprobe groupAdresă de e-mail confirmată pe esrf.fr
Maxime DuprazCNRS - Institut NéelAdresă de e-mail confirmată pe esrf.fr
damien salomonAdresă de e-mail confirmată pe esrf.fr
Steven LeakeESRF - The European SynchrotronAdresă de e-mail confirmată pe esrf.fr
Nan GUANPh.D. candidate @ C2N, Univ. Paris-Sud.Adresă de e-mail confirmată pe u-psud.fr
Francois AndrieuCEA LETIAdresă de e-mail confirmată pe cea.fr
Denis ButtardProfesseur Université Grenoble Alpes - CEA-INACAdresă de e-mail confirmată pe cea.fr
Jean-Luc ROUVIERECEAAdresă de e-mail confirmată pe cea.fr
stephane labatAix-Marseille UniversityAdresă de e-mail confirmată pe univ-amu.fr
jean-charles BarbeCEAAdresă de e-mail confirmată pe cea.fr
Lars SamuelsonProfessor in Physics, Lund UniversityAdresă de e-mail confirmată pe ftf.lth.se

Urmăriți

Joël Eymery

UGA, CEA, IRIG-MEM, Nanostructure and X-Ray Lab. (HDR, Dr Res. & Senior Expert CEA)

Adresă de e-mail confirmată pe cea.fr - Pagina de pornire

Semiconductor physics Nanoscience Synchrotron Nanowires MOVPE


Titlu Sortați după descrierea bibliografică Sortați după an Sortați după titlu	Citat de Citat de	Anul
Nanowire-based one-dimensional electronics C Thelander, P Agarwal, S Brongersma, J Eymery, LF Feiner, A Forchel, ... Materials today 9 (10), 28-35, 2006	905	2006
Self-assembled growth of catalyst-free GaN wires by metal–organic vapour phaseepitaxy R Köster, JS Hwang, C Durand, DLS Dang, J Eymery Nanotechnology 21 (1), 015602, 2009	241	2009
Flexible light-emitting diodes based on vertical nitride nanowires X Dai, A Messanvi, H Zhang, C Durand, J Eymery, C Bougerol, FH Julien, ... Nano letters 15 (10), 6958-6964, 2015	240	2015
M-plane core–shell InGaN/GaN multiple-quantum-wells on GaN wires for electroluminescent devices R Koester, JS Hwang, D Salomon, X Chen, C Bougerol, JP Barnes, ... Nano letters 11 (11), 4839-4845, 2011	238	2011
Integrated photonic platform based on InGaN/GaN nanowire emitters and detectors M Tchernycheva, A Messanvi, A de Luna Bugallo, G Jacopin, P Lavenus, ... Nano letters 14 (6), 3515-3520, 2014	209	2014
Homoepitaxial growth of catalyst-free GaN wires on N-polar substrates XJ Chen, G Perillat-Merceroz, D Sam-Giao, C Durand, J Eymery Applied Physics Letters 97 (15), 2010	173	2010
Composition of wide bandgap semiconductor materials and nanostructures measured by atom probe tomography and its dependence on the surface electric field L Mancini, N Amirifar, D Shinde, I Blum, M Gilbert, A Vella, F Vurpillot, ... The Journal of Physical Chemistry C 118 (41), 24136-24151, 2014	167	2014
Surface diffusion dewetting of thin solid films: Numerical method and application to E Dornel, JC Barbe, F De Crécy, G Lacolle, J Eymery Physical Review B—Condensed Matter and Materials Physics 73 (11), 115427, 2006	136	2006
Flexible white light emitting diodes based on nitride nanowires and nanophosphors N Guan, X Dai, A Messanvi, H Zhang, J Yan, E Gautier, C Bougerol, ... ACS photonics 3 (4), 597-603, 2016	119	2016
Accurate control of the misorientation angles in direct wafer bonding F Fournel, H Moriceau, B Aspar, K Rousseau, J Eymery, JL Rouviere, ... Applied physics letters 80 (5), 793-795, 2002	94	2002
Ordering of Ge quantum dots with buried Si dislocation networks F Leroy, J Eymery, P Gentile, F Fournel Applied physics letters 80 (17), 3078-3080, 2002	91	2002
Nanoscaled MOSFET Transistors on Strained Si, SiGe, Ge Layers: Some Integration and Electrical Properties Features TP Ernst, F Andrieu, O Weber, JM Hartmann, C Dupre, O Faynot, ... ECS Transactions 3 (7), 947, 2006	90	2006
Effect of the quantum well thickness on the performance of InGaN photovoltaic cells L Redaelli, A Mukhtarova, S Valdueza-Felip, A Ajay, C Bougerol, ... Applied Physics Letters 105 (13), 2014	89	2014
Flexible photodiodes based on nitride core/shell p–n junction nanowires H Zhang, X Dai, N Guan, A Messanvi, V Neplokh, V Piazza, M Vallo, ... ACS applied materials & interfaces 8 (39), 26198-26206, 2016	88	2016
Analysis of strain and stacking faults in single nanowires using Bragg coherent diffraction imaging V Favre-Nicolin, F Mastropietro, J Eymery, D Camacho, YM Niquet, ... New Journal of Physics 12 (3), 035013, 2010	88	2010
Enhanced Sb incorporation in InAsSb nanowires grown by metalorganic vapor phase epitaxy BM Borg, KA Dick, J Eymery, LE Wernersson Applied Physics Letters 98 (11), 2011	83	2011
X-ray scattering study of hydrogen implantation in silicon N Sousbie, L Capello, J Eymery, F Rieutord, C Lagahe Journal of applied physics 99 (10), 2006	83	2006
Correlation of microphotoluminescence spectroscopy, scanning transmission electron microscopy, and atom probe tomography on a single nano-object containing an InGaN/GaN … L Rigutti, I Blum, D Shinde, D Hernández-Maldonado, W Lefebvre, ... Nano letters 14 (1), 107-114, 2014	81	2014
Inversion domain boundaries in GaN wires revealed by coherent Bragg imaging S Labat, MI Richard, M Dupraz, M Gailhanou, G Beutier, M Verdier, ... ACS nano 9 (9), 9210-9216, 2015	79	2015
High-energy x-ray reflectivity of buried interfaces created by wafer bonding F Rieutord, J Eymery, F Fournel, D Buttard, R Oeser, O Plantevin, ... Physical Review B 63 (12), 125408, 2001	79	2001

Sistemul nu poate realiza operația în acest moment. Încercați din nou mai târziu.

Articole 1–20

Referințe bibliografice pe an

Citate duplicat

Citate fuzionate

Adăugați coautoriCoautori

Urmăriți

Citat de

Coautori