Zheyang Zheng

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	2374	2274
h-индекс	29	28
i10-индекс	61	60

780

390

195

585

2018201920202021202220232024202528 66 112 333 427 512 779 108

Общий доступ

Просмотреть все

11 статей

27 статей

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Kevin J. ChenHong Kong University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене ust.hk
Jin WeiPeking UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене pku.edu.cn
Mengyuan HuaSouthern university of science and technologyПодтвержден адрес электронной почты в домене sustech.edu.cn
Tao ChenThe Hong Kong University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене connect.ust.hk
Sirui FengZhejiang University, Hong Kong University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене ust.hk
Jiahui SunHong Kong University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене connect.ust.hk
Junting CHENHong Kong University of Science and Technology, Southern University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене connect.ust.hk
Zhaofu ZHANGWuhan University, University of Cambridge, Hong Kong University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене whu.edu.cn
Zhang LiHKUST, The Hong Kong Univerisity of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене connect.ust.hk
Yat Hon NgHong Kong University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене connect.ust.hk
Yan ChengThe Hong Kong University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене connect.ust.hk
jiacheng leiHKUSTПодтвержден адрес электронной почты в домене connect.ust.hk
Qingkai QIANCollege of Optoelectronic Engineering, Chongqing UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене cqu.edu.cn
Hang LiaoThe Hong Kong University of Scicence and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене ust.hk
Ji ShuHKUSTПодтвержден адрес электронной почты в домене connect.ust.hk
Qiming ShaoHKUST / UCLA / Tsinghua UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене ust.hk
Xiaolong ChenDepartment of Electrical and Electronic Engineering, Southern University of Science and TechnologyПодтвержден адрес электронной почты в домене sustech.edu.cn
Jiarui GongTexas A&M UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене tamu.edu
Guangwei XuUniversity of Science and Technology of ChinaПодтвержден адрес электронной почты в домене ustc.edu.cn
Yihan ZhangAssistant Professor, ECE, HKUSTПодтвержден адрес электронной почты в домене ust.hk

Zheyang Zheng

University of Science and Technology of China

Подтвержден адрес электронной почты в домене ustc.edu.cn - Главная страница

Electronic Device Wide-bandgap Semiconductor Power Electronics GaN RF and Microwave


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
Gallium nitride-based complementary logic integrated circuits Z Zheng, L Zhang, W Song, S Feng, H Xu, J Sun, S Yang, T Chen, J Wei, ... Nature Electronics 4 (8), 595-603, 2021	215	2021
High and / Ratio Enhancement-Mode Buried -Channel GaN MOSFETs on -GaN Gate Power HEMT Platform Z Zheng, W Song, L Zhang, S Yang, J Wei, KJ Chen IEEE Electron Device Letters 41 (1), 26-29, 2019	122	2019
p-GaN Gate HEMT With Surface Reinforcement for Enhanced Gate Reliability L Zhang, Z Zheng, S Yang, W Song, J He, KJ Chen IEEE Electron Device Letters 42 (1), 22-25, 2020	86	2020
Identification of Trap States in p-GaN Layer of a p-GaN/AlGaN/GaN Power HEMT Structure by Deep-Level Transient Spectroscopy S Yang, S Huang, J Wei, Z Zheng, Y Wang, J He, KJ Chen IEEE Electron Device Letters 41 (5), 685-688, 2020	77	2020
650-V double-channel lateral Schottky barrier diode with dual-recess gated anode J Lei, J Wei, G Tang, Z Zhang, Q Qian, Z Zheng, M Hua, KJ Chen IEEE Electron Device Letters 39 (2), 260-263, 2017	76	2017
OFF-State Drain-Voltage-Stress-Induced V_TH Instability in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs J Chen, M Hua, J Wei, J He, C Wang, Z Zheng, KJ Chen IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 9 (3 …, 2020	73	2020
E-Mode p-n Junction/AlGaN/GaN (PNJ) HEMTs C Wang, M Hua, J Chen, S Yang, Z Zheng, J Wei, L Zhang, KJ Chen IEEE Electron Device Letters 41 (4), 545-548, 2020	68	2020
Planar GaN Power Integration–The World is Flat KJ Chen, J Wei, G Tang, H Xu, Z Zheng, L Zhang, W Song 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 27.1. 1-27.1. 4, 2020	63	2020
Short Circuit Capability and Short Circuit Induced Instability of a 1.2-kV SiC Power MOSFET J Sun, J Wei, Z Zheng, Y Wang, KJ Chen IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics 7 (3 …, 2019	58	2019
Monolithically Integrated GaN Ring Oscillator Based on High-Performance Complementary Logic Inverters Z Zheng, W Song, L Zhang, S Yang, J Wei, KJ Chen IEEE Electron Device Letters 42 (1), 26-29, 2020	49	2020
Dependence of Stability on Gate-Bias Under Reverse-Bias Stress in E-mode GaN MIS-FET M Hua, J Wei, Q Bao, Z Zhang, Z Zheng, KJ Chen IEEE Electron Device Letters 39 (3), 413-416, 2018	48	2018
Incorporating the Dynamic Threshold Voltage Into the SPICE Model of Schottky-Type p-GaN Gate Power HEMTs H Xu, J Wei, R Xie, Z Zheng, J He, KJ Chen IEEE Transactions on Power Electronics 36 (5), 5904-5914, 2020	46	2020
An Actively-Passivated p-GaN Gate HEMT With Screening Effect Against Surface Traps Y Wu, J Wei, M Wang, M Nuo, J Yang, W Lin, Z Zheng, L Zhang, M Hua, ... IEEE Electron Device Letters 44 (1), 25-28, 2022	43	2022
GaN Power Integration Technology and Its Future Prospects J Wei, Z Zheng, G Tang, H Xu, G Lyu, L Zhang, J Chen, M Hua, S Feng, ... IEEE Transactions on Electron Devices, 2023	41	2023
2D materials as semiconducting gate for field-effect transistors with inherent over-voltage protection and boosted ON-current Q Qian, J Lei, J Wei, Z Zhang, G Tang, K Zhong, Z Zheng, KJ Chen npj 2D Materials and Applications 3 (1), 24, 2019	41	2019
Short Circuit Capability Characterization and Analysis of p-GaN Gate High-Electron-Mobility Transistors Under Single and Repetitive Tests J Sun, J Wei, Z Zheng, KJ Chen IEEE Transactions on Industrial Electronics 68 (9), 8798-8807, 2020	40	2020
RF Linearity Enhancement of GaN-on-Si HEMTs With a Closely Coupled Double-Channel Structure W Song, Z Zheng, T Chen, J Wei, L Yuan, KJ Chen IEEE Electron Device Letters 42 (8), 1116-1119, 2021	37	2021
E-mode p-GaN Gate HEMT with p-FET Bridge for Higher V_TH and Enhanced V_TH Stability M Hua, J Chen, C Wang, L Liu, L Li, J Zhao, Z Jiang, J Wei, L Zhang, ... 2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 23.1. 1-23.1. 4, 2020	37	2020
A Normally-off Copackaged SiC-JFET/GaN-HEMT Cascode Device for High-Voltage and High-Frequency Applications G Lyu, Y Wang, J Wei, Z Zheng, J Sun, L Zhang, KJ Chen IEEE Transactions on Power Electronics 35 (9), 9669-9679, 2020	37	2020
Dynamic OFF-State Current (Dynamic) in-GaN Gate HEMTs With an Ohmic Gate Contact Y Wang, M Hua, G Tang, J Lei, Z Zheng, J Wei, KJ Chen IEEE Electron Device Letters 39 (9), 1366-1369, 2018	37	2018

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы