Amador Perez Tomas

Процитировано

	Все	Начиная с 2020 г.
Статистика цитирования	6607	3716
h-индекс	35	25
i10-индекс	79	44

820

410

205

615

200720082009201020112012201320142015201620172018201920202021202220232024202521 33 46 50 80 94 119 206 287 306 436 545 615 617 683 746 815 757 96

Общий доступ

Просмотреть все

48 статей

0 статей*

доступно

недоступно

На основе финансирования

Соавторы

Mike JenningsProfessor, Swansea UniversityПодтвержден адрес электронной почты в домене swansea.ac.uk
phil mawbyprofessor of power electronics, School of Engineering, university of warwick, UKПодтвержден адрес электронной почты в домене warwick.ac.uk
Peter GammonUniversity of WarwickПодтвержден адрес электронной почты в домене warwick.ac.uk
Marcel PlacidiRamon y Cajal researcher (UPC)Подтвержден адрес электронной почты в домене irec.cat
Narcis MestresMaterials Science Intitut of Barcelona, ICMAB-CSICПодтвержден адрес электронной почты в домене icmab.es
Craig A. FisherMaxPower SemiconductorПодтвержден адрес электронной почты в домене maxpowersemi.com
Ekaterine ChikoidzeGEMaC, CNRS, Paris Saclay University,Подтвержден адрес электронной почты в домене uvsq.fr
Prof James A. CovingtonProfessor in Electronic Engineering, School of Engineering, University of WarwickПодтвержден адрес электронной почты в домене warwick.ac.uk
Vishal Ajit ShahAssociate Professor, University of WarwickПодтвержден адрес электронной почты в домене warwick.ac.uk
Yvon CordierDirecteur de Recherche, CNRSПодтвержден адрес электронной почты в домене crhea.cnrs.fr
Xavier PerpiñàTenured Scientist, IMB-CNM (CSIC)Подтвержден адрес электронной почты в домене imb-cnm.csic.es
Dean P. HamiltonDe Montfort (formally University of Warwick and WMG)Подтвержден адрес электронной почты в домене warwick.ac.uk
Fan LiResearch Fellow, School of Engineering, University of WarwickПодтвержден адрес электронной почты в домене warwick.ac.uk
Xavier JORDAResearch Scientist, IMB-CNM (CSIC)Подтвержден адрес электронной почты в домене imb-cnm.csic.es
Jordi LlobetIMB-CNM CSICПодтвержден адрес электронной почты в домене imb-cnm.csic.es
Monica Lira-CantuFull Professor and Group Leader, ICN2-CSICПодтвержден адрес электронной почты в домене icn2.cat
Gustau CatalanICREA Research Professor, Institut Catala de Nanociencia i NanotecnologiaПодтвержден адрес электронной почты в домене icn2.cat

Amador Perez Tomas

IMB-CNM CSIC Instituto de Microelectrónica de Barcelona, Barcelona, Spain

Подтвержден адрес электронной почты в домене imb-cnm.csic.es

Wide Bandgap Semiconductors Power Electronics Photovoltaics Renewable Energies CO2 Capture


Название По числу цитат По году По названию	Процитировано Процитировано	Год
A survey of wide bandgap power semiconductor devices J Millan, P Godignon, X Perpiñà, A Pérez-Tomás, J Rebollo IEEE transactions on Power Electronics 29 (5), 2155-2163, 2013	2718	2013
P-type β-gallium oxide: A new perspective for power and optoelectronic devices E Chikoidze, A Fellous, A Perez-Tomas, G Sauthier, T Tchelidze, ... Materials Today Physics 3, 118-126, 2017	261	2017
Inhibiting the absorber/Mo-back contact decomposition reaction in Cu 2 ZnSnSe 4 solar cells: the role of a ZnO intermediate nanolayer S López-Marino, M Placidi, A Pérez-Tomás, J Llobet, V Izquierdo-Roca, ... Journal of Materials Chemistry A 1 (29), 8338-8343, 2013	200	2013
Field-effect mobility temperature modeling of 4H-SiC metal-oxide-semiconductor transistors A Pérez-Tomás, P Brosselard, P Godignon, J Millán, N Mestres, ... Journal of applied physics 100 (11), 2006	149	2006
Multiwavelength excitation Raman scattering analysis of bulk and two-dimensional MoS2: vibrational properties of atomically thin MoS2 layers M Placidi, M Dimitrievska, V Izquierdo-Roca, X Fontané, ... 2D Materials 2 (3), 035006, 2015	141	2015
Performance and stability of mixed FAPbI3 (0.85) MAPbBr3 (0.15) halide perovskite solar cells under outdoor conditions and the effect of low light irradiation Y Reyna, M Salado, S Kazim, A Pérez-Tomas, S Ahmad, M Lira-Cantu Nano Energy 30, 570-579, 2016	131	2016
Planar edge termination design and technology considerations for 1.7-kV 4H-SiC PiN diodes R Pérez, D Tournier, A Pérez-Tomás, P Godignon, N Mestres, J Millán IEEE Transactions on Electron Devices 52 (10), 2309-2316, 2005	121	2005
p-Type Ultrawide-Band-Gap Spinel ZnGa₂O₄: New Perspectives for Energy Electronics E Chikoidze, C Sartel, I Madaci, H Mohamed, C Vilar, B Ballesteros, ... Crystal Growth & Design 20 (4), 2535-2546, 2020	110	2020
Enhancing the intrinsic p-type conductivity of the ultra-wide bandgap Ga 2 O 3 semiconductor E Chikoidze, C Sartel, H Mohamed, I Madaci, T Tchelidze, M Modreanu, ... Journal of Materials Chemistry C 7 (33), 10231-10239, 2019	104	2019
Metal oxides in photovoltaics: all-oxide, ferroic, and perovskite solar cells A Pérez-Tomás, A Mingorance, D Tanenbaum, M Lira-Cantú The future of semiconductor oxides in next-generation solar cells, 267-356, 2018	103	2018
Modelling the inhomogeneous SiC Schottky interface PM Gammon, A Pérez-Tomás, VA Shah, O Vavasour, E Donchev, ... Journal of Applied Physics 114 (22), 2013	100	2013
GaN transistor characteristics at elevated temperatures A Pérez-Tomás, M Placidi, N Baron, S Chenot, Y Cordier, JC Moreno, ... Journal of Applied Physics 106 (7), 2009	99	2009
Analysis of the AlGaN/GaN vertical bulk current on Si, sapphire, and free-standing GaN substrates A Pérez-Tomás, A Fontserè, J Llobet, M Placidi, S Rennesson, N Baron, ... Journal of Applied Physics 113 (17), 2013	85	2013
Heteroepitaxial Beta-Ga₂O₃ on 4H-SiC for an FET With Reduced Self Heating SAO Russell, A Pérez-Tomás, CF McConville, CA Fisher, DP Hamilton, ... IEEE Journal of the Electron Devices Society 5 (4), 256-261, 2017	79	2017
A field-effect electron mobility model for SiC MOSFETs including high density of traps at the interface A Pérez-Tomás, P Godignon, N Mestres, J Millán Microelectronic engineering 83 (3), 440-445, 2006	79	2006
Characterization and modeling of nn Si∕ SiC heterojunction diodes A Pérez-Tomás, MR Jennings, M Davis, JA Covington, PA Mawby, ... Journal of applied physics 102 (1), 2007	71	2007
Micro and nano analysis of 0.2 Ω mm Ti/Al/Ni/Au ohmic contact to AlGaN/GaN A Fontserè, A Pérez-Tomás, M Placidi, J Llobet, N Baron, S Chenot, ... Applied Physics Letters 99 (21), 2011	65	2011
Functional oxides for photoneuromorphic engineering: toward a solar brain A Pérez‐Tomás Advanced Materials Interfaces 6 (15), 1900471, 2019	63*	2019
Origin of large negative electrocaloric effect in antiferroelectric P Vales-Castro, R Faye, M Vellvehi, Y Nouchokgwe, X Perpiñà, ... Physical Review B 103 (5), 054112, 2021	59	2021
Analysis of Al/Ti, Al/Ni multiple and triple layer contacts to p-type 4H-SiC MR Jennings, A Pérez-Tomás, M Davies, D Walker, L Zhu, P Losee, ... Solid-state electronics 51 (5), 797-801, 2007	57	2007

В данный момент система не может выполнить эту операцию. Повторите попытку позднее.

Статьи 1–20

Ссылок за год

Повторяющиеся цитирования

Объединенные цитирования

СоавторыСоавторы

Подписаться

Процитировано

Соавторы